例如,當某批芯片在測試中發現漏電失效時,我們的微光顯微鏡能定位到具體的失效位置,為后續通過聚焦離子束(FIB)切割進行截面分析、追溯至柵氧層缺陷及氧化工藝異常等環節提供關鍵前提。可以說,我們的設備是半導體行業失效分析中定位失效點的工具,其的探測能力和高效的分析效率,為后續問題的解決奠定了不可或缺的基礎。
在芯片研發階段,它能幫助研發人員快速鎖定設計或工藝中的隱患,避免資源的無效投入;在量產過程中,它能及時發現批量性失效的源頭,為生產線調整爭取寶貴時間,降低損失;在產品應用端,它能為可靠性問題的排查提供方向,助力企業提升產品質量和市場口碑。無論是先進制程的芯片研發,還是成熟工藝的量產檢測,我們的設備都以其獨特的技術優勢,成為失效分析流程中無法替代的關鍵一環,為半導體企業的高效運轉和技術升級提供有力支撐。 電路驗證中出現閂鎖效應及漏電,微光顯微鏡可定位位置,為電路設計優化提供依據,保障系統穩定運行。顯微微光顯微鏡銷售公司
EMMI的本質只是一臺光譜范圍廣,光子靈敏度高的顯微鏡。
但是為什么EMMI能夠應用于IC的失效分析呢?
原因就在于集成電路在通電后會出現三種情況:1.載流子復合;2.熱載流子;3.絕緣層漏電。當這三種情況發生時集成電路上就會產生微弱的熒光,這時EMMI就能捕獲這些微弱熒光,這就給了EMMI一個應用的機會而在IC的失效分析中,我們給予失效點一個偏壓產生熒光,然后EMMI捕獲電流中產生的微弱熒光。原理上,不管IC是否存在缺陷,只要滿足其機理在EMMI下都能觀測到熒光 半導體微光顯微鏡聯系人我司微光顯微鏡分析 PCB/PCBA 失效元器件周圍光子,可判斷其是否失效及類型位置,提高維修效率、降低成本。
當芯片內部存在漏電缺陷,如結漏電、氧化層漏電時,電子-空穴對復合會釋放光子,微光顯微鏡(EMMI)能捕捉并定位。對于載流子復合異常情況,像閂鎖效應、熱電子效應引發的失效,以及器件在飽和態晶體管、正向偏置二極管等工作狀態下的固有發光,它也能有效探測,為這類與光子釋放相關的失效提供關鍵分析依據。
而熱紅外顯微鏡則主要用于排查與熱量異常相關的芯片問題。金屬互聯短路、電源與地短接會導致局部過熱,其可通過檢測紅外輻射差異定位。對于高功耗區域因設計缺陷引發的電流集中導致的熱分布異常,以及封裝或散熱結構失效造成的整體溫度異常等情況,它能生成溫度分布圖像,助力找出熱量異常根源。
隨著器件尺寸的逐漸變小,MOS器件的溝道長度也逐漸變短。短溝道效應也愈發嚴重。短溝道效應會使得MOS管的漏結存在一個強電場,該電場會對載流子進行加速,同時賦予載流子一個動能,該載流子會造成中性的Si原子被極化,產生同樣帶有能量的電子與空穴對,這種電子與空穴被稱為熱載流子,反映在能帶圖中就是電位更高的電子和電位更低的空穴。一部分熱載流子會在生成后立馬復合,產生波長更短的熒光,另一部分在電場的作用下分離。電子進入柵氧層,影響閾值電壓,空穴進入襯底,產生襯底電流。歸因于短溝道效應能在MOS管的漏端能看到亮點,同樣在反偏PN結處也能產生強場,也能觀察到亮點。熱電子與晶格相互作用及閂鎖效應發生時也會產生光子,在顯微鏡下呈現亮點。
致晟光電始終以客戶需求為重心,兼顧貨源保障方面。目前,我們有現貨儲備,設備及相關配件一應俱全,能夠快速響應不同行業、不同規模客戶的采購需求。無論是緊急補購的小型訂單,還是批量采購的大型項目,都能憑借充足的貨源實現高效交付,讓您無需為設備短缺而擔憂,確保生產計劃或項目推進不受影響。
為了讓客戶對設備品質有更直觀的了解,我們大力支持現場驗貨。您可以親臨我們的倉庫或展示區,近距離觀察設備的外觀細節,親身操作查驗設備的運行性能、精度等關鍵指標。每一臺設備都經過嚴格的出廠檢測,我們敢于將品質擺在您眼前,讓您在采購前就能對設備的實際狀況了然于胸,消除后顧之憂。 我司微光顯微鏡能檢測內部缺陷,通過分析光子發射評估性能,為研發、生產和質量控制提供支持。自銷微光顯微鏡應用
為提升微光顯微鏡探測力,我司多種光學物鏡可選,用戶可依樣品工藝與結構選裝,滿足不同微光探測需求。顯微微光顯微鏡銷售公司
為了讓客戶對設備品質有更直觀的了解,我們大力支持現場驗貨。您可以親臨我們的實驗室,近距離觀察設備的外觀細節,親身操作查驗設備的運行性能、精度等關鍵指標。每一臺設備都經過嚴格的出廠檢測,我們敢于將品質擺在您眼前,讓您在采購前就能對設備的實際狀況了然于胸,消除后顧之憂。一位來自汽車零部件廠商的客戶分享道:“之前采購設備總擔心實際性能和描述有差距,在致晟光電現場驗貨時,工作人員耐心陪同我們測試,設備的精度和穩定性都超出預期,這下采購心里踏實多了。”顯微微光顯微鏡銷售公司