在當今科技飛速發展的時代，電子設備的性能與可靠性至關重要。從微小的芯片到復雜的電路板，任何一個環節出現故障都可能導致整個系統的崩潰。在這樣的背景下，蘇州致晟光電科技有限公司自主研發的實時瞬態鎖相熱分析系統（RTTLIT）應運而生，猶如一顆璀璨的明星，為電子行業的失效分析領域帶來了全新的解決方案。

致晟光電成立于 2024 年，總部位于江蘇蘇州，公司秉持著 “需求為本、科技創新” 的理念，專注于電子產品失效分析儀器設備的研發與制造。 電激勵與鎖相熱成像系統，電子檢測黃金組合。半導體失效分析鎖相紅外熱成像系統P20

電激勵的鎖相熱成像系統在電子產業的柔性電子檢測中展現出廣闊的應用前景，為柔性電子技術的發展提供了關鍵的質量控制手段。柔性電子具有可彎曲、重量輕、便攜性好等優點，廣泛應用于柔性顯示屏、柔性傳感器、可穿戴設備等領域。然而，柔性電子材料通常較薄且易變形，傳統的機械檢測或接觸式檢測方法容易對其造成損傷。電激勵方式在柔性電子檢測中具有獨特優勢，可采用低電流的周期性激勵，避免對柔性材料造成破壞。鎖相熱成像系統能夠通過檢測柔性電子內部線路的溫度變化，識別出線路斷裂、層間剝離、電極脫落等缺陷。例如，在柔性顯示屏的檢測中，系統可以對顯示屏施加低電流電激勵，通過分析溫度場分布，發現隱藏在柔性基底中的細微線路缺陷，確保顯示屏的顯示效果和使用壽命。這一技術的應用，有效保障了柔性電子產品的質量，推動了電子產業中柔性電子技術的快速發展。鎖相鎖相紅外熱成像系統技術參數快速定位相比其他檢測技術，鎖相熱成像技術能夠在短時間內快速定位熱點，縮短失效分析時間。

電激勵的參數設置對鎖相熱成像系統在電子產業的檢測效果有著決定性的影響，需要根據不同的檢測對象進行精細調控。電流大小的選擇尤為關鍵，必須嚴格適配電子元件的額定耐流值。如果電流過小，產生的熱量不足以激發明顯的溫度響應，系統將難以捕捉到缺陷信號；

而電流過大則可能導致元件過熱損壞，造成不必要的損失。頻率的選擇同樣不容忽視，高頻電激勵產生的熱量主要集中在元件表面，適合檢測表層的焊接缺陷、線路斷路等問題；低頻電激勵則能使熱量滲透到元件內部，可有效探測深層的結構缺陷，如芯片內部的晶格缺陷。在檢測復雜的集成電路時，技術人員往往需要通過多次試驗，確定比較好的電流和頻率參數組合，以確保系統能夠清晰區分正常區域和缺陷區域的溫度信號，從而保障檢測結果的準確性。例如，在檢測高精度的傳感器芯片時，通常會采用低電流、多頻率的電激勵方式，以避免對芯片的敏感元件造成干擾。

通過大量海量熱圖像數據，催生出更智能的數據分析手段。借助深度學習算法，構建熱圖像識別模型，可快速準確地從復雜熱分布中識別出特定熱異常模式。如在集成電路失效分析中，模型能自動比對正常與異常芯片的熱圖像，定位短路、斷路等故障點，有效縮短分析時間。在數據處理軟件中集成熱傳導數值模擬功能，結合實驗測得的熱數據，反演材料內部熱導率、比熱容等參數，從熱傳導理論層面深入解析熱現象，為材料熱性能研究與器件熱設計提供量化指導。在復合材料檢測中，電激勵能使缺陷區域產生獨特熱響應，鎖相熱成像系統可將這種響應轉化為清晰的缺陷圖像。

鎖相熱成像系統借助電激勵在電子產業的微型電子元件檢測中展現出極高的靈敏度，滿足了電子產業向微型化、高精度發展的需求。隨著電子技術的不斷進步，電子元件正朝著微型化方向快速發展，如微型傳感器、微型繼電器等，其尺寸通常在毫米甚至微米級別，缺陷也更加細微，傳統的檢測方法難以應對。電激勵能夠在微型元件內部產生微小但可探測的溫度變化，即使是納米級的缺陷也能引起局部溫度的細微波動。鎖相熱成像系統結合先進的鎖相技術，能夠從強大的背景噪聲中提取出與電激勵同頻的溫度信號，將微小的溫度變化放大并清晰顯示出來，從而檢測出微米級的缺陷。例如，在檢測微型加速度傳感器的敏感元件時，系統能夠發現因制造誤差導致的微小結構變形，這些變形會影響傳感器的測量精度。這一技術的應用，為微型電子元件的質量檢測提供了有力支持，推動了電子產業向微型化、高精度方向不斷發展。非接觸式檢測在不破壞樣品的情況下實現成像，適用于各種封裝狀態的樣品，包括未開封的芯片和PCBA。熱紅外成像鎖相紅外熱成像系統性價比

鎖相熱成像系統讓電激勵下的缺陷無所遁形。半導體失效分析鎖相紅外熱成像系統P20

失效背景調查就像是為芯片失效分析開啟“導航系統”，能幫助分析人員快速了解芯片的基本情況，為后續工作奠定基礎。收集芯片型號是首要任務，不同型號的芯片在結構、功能和特性上存在差異，這是開展分析的基礎信息。同時，了解芯片的應用場景也不可或缺，是用于消費電子、工業控制還是航空航天等領域，不同的應用場景對芯片的性能要求不同，失效原因也可能大相徑庭。失效模式的收集同樣關鍵，短路、漏電、功能異常等不同的失效模式，指向的潛在問題各不相同。比如短路可能是由于內部線路故障，而漏電則可能與芯片的絕緣性能有關。失效比例的統計也有重要意義，如果同一批次芯片失效比例較高，可能暗示著設計缺陷或制程問題；如果只是個別芯片失效，那么應用不當的可能性相對較大。
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