微光顯微鏡的原理是探測(cè)光子發(fā)射。它通過(guò)高靈敏度的光學(xué)系統(tǒng)捕捉芯片內(nèi)部因電子 - 空穴對(duì)（EHP）復(fù)合產(chǎn)生的微弱光子（如 P-N 結(jié)漏電、熱電子效應(yīng)等過(guò)程中的發(fā)光），進(jìn)而定位失效點(diǎn)。其探測(cè)對(duì)象是光信號(hào)，且多針對(duì)可見光至近紅外波段的光子。熱紅外顯微鏡則基于紅外輻射測(cè)溫原理工作。芯片運(yùn)行時(shí)，失效區(qū)域（如短路、漏電點(diǎn)）會(huì)因能量損耗異常產(chǎn)生局部升溫，其釋放的紅外輻射強(qiáng)度與溫度正相關(guān)。設(shè)備通過(guò)檢測(cè)不同區(qū)域的紅外輻射差異，生成溫度分布圖像，以此定位發(fā)熱異常點(diǎn)，探測(cè)對(duì)象是熱信號(hào)（紅外波段輻射）。其低噪聲電纜連接設(shè)計(jì)，減少信號(hào)傳輸過(guò)程中的損耗，確保微弱光子信號(hào)完整傳遞至探測(cè)器?？蒲杏梦⒐怙@微鏡對(duì)比

InGaAs微光顯微鏡與傳統(tǒng)微光顯微鏡在原理和功能上具有相似之處，均依賴于電子-空穴對(duì)復(fù)合產(chǎn)生的光子及熱載流子作為探測(cè)信號(hào)源。然而，InGaAs微光顯微鏡相較于傳統(tǒng)微光顯微鏡，呈現(xiàn)出更高的探測(cè)靈敏度，并且其探測(cè)波長(zhǎng)范圍擴(kuò)展至900nm至1700nm，而傳統(tǒng)微光顯微鏡的探測(cè)波長(zhǎng)范圍限于350nm至1100nm。這一特性使得InGaAs微光顯微鏡具備更更好的波長(zhǎng)檢測(cè)能力，從而拓寬了其應(yīng)用領(lǐng)域。進(jìn)一步而言，InGaAs微光顯微鏡的這一優(yōu)勢(shì)使其在多個(gè)科研與工業(yè)領(lǐng)域展現(xiàn)出獨(dú)特價(jià)值。在半導(dǎo)體材料研究中，InGaAs微光顯微鏡能夠探測(cè)到更長(zhǎng)的波長(zhǎng)，這對(duì)于分析材料的缺陷、雜質(zhì)以及能帶結(jié)構(gòu)等方面具有重要意義?？蒲杏梦⒐怙@微鏡對(duì)比針對(duì)光器件，能定位光波導(dǎo)中因損耗產(chǎn)生的發(fā)光點(diǎn)，為優(yōu)化光子器件的傳輸性能、降低損耗提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)。

微光顯微鏡技術(shù)特性差異

探測(cè)靈敏度方向：EMMI 追求對(duì)微弱光子的高靈敏度（可檢測(cè)單光子級(jí)別信號(hào)），需配合暗場(chǎng)環(huán)境減少干擾；熱紅外顯微鏡則強(qiáng)調(diào)溫度分辨率（部分設(shè)備可達(dá) 0.01℃），需抑制環(huán)境熱噪聲。

空間分辨率：EMMI 的分辨率受光學(xué)系統(tǒng)和光子波長(zhǎng)限制，通常在微米級(jí)；熱紅外顯微鏡的分辨率與紅外波長(zhǎng)、鏡頭數(shù)值孔徑相關(guān)，一般略低于 EMMI，但更注重大面積熱分布的快速成像。

樣品處理要求：EMMI 對(duì)部分遮蔽性失效（如金屬下方漏電）需采用背面觀測(cè)模式，可能需要減薄、拋光樣品；

處理要求：熱紅外顯微鏡可透過(guò)封裝材料（如陶瓷、塑料）探測(cè)，對(duì)樣品破壞性較小，更適合非侵入式初步篩查。

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芯片制造工藝復(fù)雜精密，從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)的每一個(gè)環(huán)節(jié)都可能潛藏缺陷，而失效分析作為測(cè)試流程的重要一環(huán)，是攔截不合格產(chǎn)品、追溯問題根源的 “守門人”。微光顯微鏡憑借其高靈敏度的光子探測(cè)技術(shù)，能夠捕捉到芯片內(nèi)部因漏電、熱失控等故障產(chǎn)生的微弱發(fā)光信號(hào)，定位微米級(jí)甚至納米級(jí)的缺陷。這種檢測(cè)能力，能幫助企業(yè)快速鎖定問題所在 —— 無(wú)論是設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)的邏輯漏洞，還是制造過(guò)程中的材料雜質(zhì)、工藝偏差，都能被及時(shí)發(fā)現(xiàn)。這意味著企業(yè)可以針對(duì)性地優(yōu)化生產(chǎn)工藝、改進(jìn)設(shè)計(jì)方案，從而提升芯片良率。在當(dāng)前芯片制造成本居高不下的背景下，良率的提升直接轉(zhuǎn)化為生產(chǎn)成本的降低，讓企業(yè)在價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)更有利的位置。微光顯微鏡搭配高分辨率鏡頭，可將微小缺陷放大至清晰可見，讓檢測(cè)更易觀察分析，提升檢測(cè)的準(zhǔn)確度。低溫?zé)嵛⒐怙@微鏡售價(jià)

其內(nèi)置的圖像分析軟件，可測(cè)量亮點(diǎn)尺寸與亮度，為量化評(píng)估缺陷嚴(yán)重程度提供數(shù)據(jù)?？蒲杏梦⒐怙@微鏡對(duì)比

相較于傳統(tǒng)微光顯微鏡，InGaAs（銦鎵砷）微光顯微鏡在檢測(cè)先進(jìn)制程組件微小尺寸組件的缺陷方面具有更高的適用性。其原因在于，較小尺寸的組件通常需要較低的操作電壓，這導(dǎo)致熱載子激發(fā)的光波長(zhǎng)增長(zhǎng)。InGaAs微光顯微鏡特別適合于檢測(cè)先進(jìn)制程產(chǎn)品中的亮點(diǎn)和熱點(diǎn)（HotSpot）定位。InGaAs微光顯微鏡與傳統(tǒng)EMMI在應(yīng)用上具有相似性，但I(xiàn)nGaAs微光顯微鏡在以下方面展現(xiàn)出優(yōu)勢(shì)：

1.偵測(cè)到缺陷所需時(shí)間為傳統(tǒng)EMMI的1/5~1/10；

2.能夠偵測(cè)到微弱電流及先進(jìn)制程中的缺陷；

3.能夠偵測(cè)到較輕微的MetalBridge缺陷；

4.針對(duì)芯片背面（Back-Side）的定位分析中，紅外光對(duì)硅基板具有較高的穿透率。 科研用微光顯微鏡對(duì)比