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為了讓客戶對設備品質有更直觀的了解，我們大力支持現場驗貨。您可以親臨我們的實驗室，近距離觀察設備的外觀細節，親身操作查驗設備的運行性能、精度等關鍵指標。每一臺設備都經過嚴格的出廠檢測，我們敢于將品質擺在您眼前，讓您在采購前就能對設備的實際狀況了然于胸，消除后顧...

EMMI的本質只是一臺光譜范圍廣，光子靈敏度高的顯微鏡。 但是為什么EMMI能夠應用于IC的失效分析呢？ 原因就在于集成電路在通電后會出現三種情況：1.載流子復合；2.熱載流子；3.絕緣層漏電。當這三種情況發生時集成電路上就會產生微弱的熒光，這...

從傳統熱發射顯微鏡到熱紅外顯微鏡的演變，是其技術團隊對微觀熱分析需求的深度洞察與持續創新的結果。它既延續了通過紅外熱輻射解析熱行為的原理，又通過全尺度觀測、高靈敏度檢測、場景化分析等創新，突破了傳統技術的邊界。如今，這款設備已成為半導體失效分析、新材料熱特性研...

從傳統熱發射顯微鏡到熱紅外顯微鏡的演變，是其技術團隊對微觀熱分析需求的深度洞察與持續創新的結果。它既延續了通過紅外熱輻射解析熱行為的原理，又通過全尺度觀測、高靈敏度檢測、場景化分析等創新，突破了傳統技術的邊界。如今，這款設備已成為半導體失效分析、新材料熱特性研...

在失效分析中，零成本簡單且常用的三個方法基于“觀察-驗證-定位”的基本邏輯，無需復雜設備即可快速縮小失效原因范圍： 1.外觀檢查法（VisualInspection） 2.功能復現與對比法（FunctionReproduction&Compar...

熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI）技術，作為半導體失效分析領域的關鍵手段，通過捕捉器件內部產生的熱輻射，實現失效點的精細定位。它憑借對微觀熱信號的高靈敏度探測，成為解析半導體故障的 “火眼金睛”。然而，隨著半導體技術不斷升級，器件正朝著超精細圖案制程與低...

熱紅外顯微鏡是半導體失效分析與缺陷定位的三大主流手段之一（EMMI、THERMAL、OBIRCH），通過捕捉故障點產生的異常熱輻射，實現精細定位。存在缺陷或性能退化的器件通常表現為局部功耗異常，導致微區溫度升高。顯微熱分布測試系統結合熱點鎖定技術，能夠高效...

從傳統熱發射顯微鏡到熱紅外顯微鏡的演變，是其技術團隊對微觀熱分析需求的深度洞察與持續創新的結果。它既延續了通過紅外熱輻射解析熱行為的原理，又通過全尺度觀測、高靈敏度檢測、場景化分析等創新，突破了傳統技術的邊界。如今，這款設備已成為半導體失效分析、新材料熱特性研...

在故障分析領域，微光顯微鏡（EmissionMicroscope,EMMI）是一種極具實用價值且效率出眾的分析工具。其功能是探測集成電路（IC）內部釋放的光子。在IC元件中，電子-空穴對（ElectronHolePairs,EHP）的復合過程會伴隨光子（Pho...

得注意的是，兩種技術均支持對芯片進行正面檢測（從器件有源區一側觀測）與背面檢測（透過硅襯底觀測），可根據芯片結構、封裝形式靈活選擇檢測角度，確保在大范圍掃描中快速鎖定微小失效點（如微米級甚至納米級缺陷）。在實際失效分析流程中，PEM系統先通過EMMI與OBIR...

可探測到亮點的情況 一、由缺陷導致的亮點結漏電（Junction Leakage）接觸毛刺（Contact Spiking）熱電子效應（Hot Electrons）閂鎖效應（Latch-Up）氧化層漏電（Gate Oxide Defects / Le...

無損熱紅外顯微鏡的非破壞性分析（NDA）技術，為失效分析提供了 “保全樣品” 的重要手段。它在不損傷高價值樣品的前提下，捕捉隱性熱信號以定位內部缺陷，既保障了分析的準確性，又為后續驗證、復盤保留了完整樣本，讓失效分析從 “找到問題” 到 “解決問題” 的閉...

車規級芯片作為汽車電子系統的重心，其可靠性直接關系到汽車的安全運行，失效分析是對提升芯片質量、保障行車安全意義重大。在車規級芯片失效分析中，熱紅外顯微鏡發揮著關鍵作用。芯片失效常伴隨異常發熱，通過熱紅外顯微鏡分析其溫度分布，能定位失效相關的熱點區域。比如，芯片...

致晟光電自主研發的熱紅外顯微鏡 Thermal EMMI P系列，是電子工業中不可或缺的精密檢測工具，在半導體芯片、先進封裝技術、功率電子器件以及印刷電路板（PCB）等領域的失效分析中發揮著舉足輕重的作用。 該設備搭載——實時瞬態鎖相紅外熱分析（RT...

從傳統熱發射顯微鏡到熱紅外顯微鏡的演變，是其技術團隊對微觀熱分析需求的深度洞察與持續創新的結果。它既延續了通過紅外熱輻射解析熱行為的原理，又通過全尺度觀測、高靈敏度檢測、場景化分析等創新，突破了傳統技術的邊界。如今，這款設備已成為半導體失效分析、新材料熱特性研...

隨著器件尺寸的逐漸變小，MOS器件的溝道長度也逐漸變短。短溝道效應也愈發嚴重。短溝道效應會使得MOS管的漏結存在一個強電場，該電場會對載流子進行加速，同時賦予載流子一個動能，該載流子會造成中性的Si原子被極化，產生同樣帶有能量的電子與空穴對，這種電子與空穴被稱...

熱紅外顯微鏡能高效檢測微尺度半導體電路及MEMS器件的熱問題。在電路檢測方面，這套熱成像顯微鏡可用于電路板失效分析，且配備了電路板檢測用軟件包“模型比較”，能識別缺陷元件；同時還可搭載“缺陷尋找”軟件模塊，專門探測不易發現的短路問題并定位短路點。在MEMS研發...

微光顯微鏡技術特性差異 探測靈敏度方向：EMMI 追求對微弱光子的高靈敏度（可檢測單光子級別信號），需配合暗場環境減少干擾；熱紅外顯微鏡則強調溫度分辨率（部分設備可達 0.01℃），需抑制環境熱噪聲。 空間分辨率：EMMI 的分辨率受光學系統和...

當電子設備中的某個元件發生故障或異常時，常常伴隨局部溫度升高。熱紅外顯微鏡通過高靈敏度的紅外探測器，能夠捕捉到極其微弱的熱輻射信號。這些探測器通常采用量子級聯激光器等先進技術，或其他高性能紅外傳感方案，具備寬溫區、高分辨率的成像能力。通過對熱輻射信號的精細探測...

致晟光電 RTTLIT E20 微光顯微分析系統（EMMI）是一款專為半導體器件漏電缺陷檢測量身打造的高精度檢測設備。該系統搭載先進的 - 80℃制冷型 InGaAs 探測器與高分辨率顯微物鏡，憑借超高檢測靈敏度，可捕捉器件在微弱漏電流信號下產生的極微弱微光。...

從傳統熱發射顯微鏡到熱紅外顯微鏡的演變，是其技術團隊對微觀熱分析需求的深度洞察與持續創新的結果。它既延續了通過紅外熱輻射解析熱行為的原理，又通過全尺度觀測、高靈敏度檢測、場景化分析等創新，突破了傳統技術的邊界。如今，這款設備已成為半導體失效分析、新材料熱特性研...

光束誘導電阻變化（OBIRCH）功能與微光顯微鏡（EMMI）技術常被集成于同一檢測系統，合稱為光發射顯微鏡（PEM，PhotoEmissionMicroscope）。 二者在原理與應用上形成巧妙互補，能夠協同應對集成電路中絕大多數失效模式，大...

例如，當某批芯片在測試中發現漏電失效時，我們的微光顯微鏡能定位到具體的失效位置，為后續通過聚焦離子束（FIB）切割進行截面分析、追溯至柵氧層缺陷及氧化工藝異常等環節提供關鍵前提。可以說，我們的設備是半導體行業失效分析中定位失效點的工具，其的探測能力和高效的...

熱紅外顯微鏡與光學顯微鏡雖同屬微觀觀測工具，但在原理、功能與應用場景上存在明顯差異，尤其在失效分析等專業領域各有側重。 從工作原理看，光學顯微鏡利用可見光（400-760nm 波長）的反射或透射成像，通過放大樣品的物理形態（如結構、顏色、紋理）呈現細...

熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI) 也是科研與教學領域的利器，其設備能捕捉微觀世界的熱信號。它將紅外探測與顯微技術結合，呈現物體表面溫度分布，分辨率達微米級，可觀察半導體芯片熱點、電子器件熱分布等。非接觸式測量是其一大優勢，無需與被測物體直接接觸，避...

致晟光電自主研發的熱紅外顯微鏡 Thermal EMMI P系列，是電子工業中不可或缺的精密檢測工具，在半導體芯片、先進封裝技術、功率電子器件以及印刷電路板（PCB）等領域的失效分析中發揮著舉足輕重的作用。 該設備搭載——實時瞬態鎖相紅外熱分析（RT...

OBIRCH與EMMI技術在集成電路失效分析領域中扮演著互補的角色，其主要差異體現在檢測原理及應用領域。具體而言，EMMI技術通過光子檢測手段來精確定位漏電或發光故障點，而OBIRCH技術則依賴于激光誘導電阻變化來識別短路或阻值異常區域。這兩種技術通常被整合于...

在選擇 EMMI 微光顯微鏡時，需綜合考量應用需求、預算、技術參數及售后服務等因素。首先明確具體應用場景，例如 LED 檢測可能需要特定波長范圍，而集成電路分析則對分辨率要求更高。預算方面，進口設備系列價格昂貴，但成立年限長、有品牌加持。而選擇國產設備——如致...

RTTLIT E20 微光顯微分析系統（EMMI）是專為半導體器件漏電缺陷檢測量身打造的高精度檢測設備，其系統搭載 -80℃制冷型 InGaAs 探測器與高分辨率顯微物鏡 ，構建起超高靈敏度檢測體系 —— 可準確捕捉器件在微弱漏電流下產生的極微弱微光信號，實現...

例如，當某批芯片在測試中發現漏電失效時，我們的微光顯微鏡能定位到具體的失效位置，為后續通過聚焦離子束（FIB）切割進行截面分析、追溯至柵氧層缺陷及氧化工藝異常等環節提供關鍵前提。可以說，我們的設備是半導體行業失效分析中定位失效點的工具，其的探測能力和高效的...