從傳統(tǒng)熱發(fā)射顯微鏡到致晟光電熱紅外顯微鏡的技術(shù)進(jìn)化，不只是觀測(cè)精度與靈敏度的提升，更實(shí)現(xiàn)了對(duì)先進(jìn)制程研發(fā)需求的深度適配。它以微觀熱信號(hào)為紐帶，串聯(lián)起芯片設(shè)計(jì)、制造與可靠性評(píng)估全流程。在設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)助力優(yōu)化熱布局，制造階段輔助排查熱相關(guān)缺陷，可靠性評(píng)估時(shí)提供精細(xì)熱數(shù)據(jù)。這種全鏈條支撐，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突破先進(jìn)制程的熱壁壘提供了扎實(shí)技術(shù)保障，助力研發(fā)更小巧、運(yùn)算更快、性能更可靠的芯片，推動(dòng)其從實(shí)驗(yàn)室研發(fā)穩(wěn)步邁向量產(chǎn)應(yīng)用。
分析倒裝芯片（Flip Chip）、3D 封裝（TSV）的層間熱傳導(dǎo)異常，排查焊球陣列、TSV 通孔的熱界面失效。無(wú)損熱紅外顯微鏡探測(cè)器

熱紅外是紅外光譜中波長(zhǎng)介于 3–18 微米的譜段，其能量主要來(lái)自物體自身的熱輻射，而非對(duì)外界光源的反射。該波段可細(xì)分為中紅外（3–8μm）、長(zhǎng)波紅外（8–15μm）和超遠(yuǎn)紅外（15–18μm），其熱感應(yīng)本質(zhì)源于分子熱振動(dòng)產(chǎn)生的電磁波輻射，輻射強(qiáng)度與物體溫度正相關(guān)。在應(yīng)用上，熱紅外利用大氣窗口（3–5μm、8–14μm）實(shí)現(xiàn)高精度的地表遙感監(jiān)測(cè)，并廣泛應(yīng)用于熱成像、氣體探測(cè)等領(lǐng)域�，F(xiàn)代設(shè)備如 TIRS-2 和 O-PTIR 等，已將熱紅外技術(shù)的空間分辨率提升至納米級(jí)水平。

半導(dǎo)體熱紅外顯微鏡方案設(shè)計(jì)熱紅外顯微鏡可模擬器件實(shí)際工作溫度測(cè)試，為產(chǎn)品性能評(píng)估提供真實(shí)有效數(shù)據(jù)。

熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI ）技術(shù)不僅可實(shí)現(xiàn)電子設(shè)備的故障精細(xì)定位，更在性能評(píng)估、熱管理優(yōu)化及可靠性分析等領(lǐng)域展現(xiàn)獨(dú)特價(jià)值。通過(guò)高分辨率熱成像捕捉設(shè)備熱點(diǎn)分布圖譜，工程師能深度解析器件熱傳導(dǎo)特性，以此為依據(jù)優(yōu)化散熱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，有效提升設(shè)備運(yùn)行穩(wěn)定性與使用壽命。此外，該技術(shù)可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)線(xiàn)路功耗分布與異常發(fā)熱區(qū)域，建立動(dòng)態(tài)熱特征數(shù)據(jù)庫(kù)，為線(xiàn)路故障的早期預(yù)警與預(yù)防性維護(hù)提供數(shù)據(jù)支撐，從根本上去降低潛在失效風(fēng)險(xiǎn)。

除了熱輻射，電子設(shè)備在出現(xiàn)故障或異常時(shí)，還可能伴隨微弱的光發(fā)射增強(qiáng)。熱紅外顯微鏡搭載高靈敏度的光學(xué)探測(cè)器，如光電倍增管（PMT）或電荷耦合器件（CCD），能夠有效捕捉這些低強(qiáng)度的光信號(hào)。這類(lèi)光發(fā)射通常源自電子在半導(dǎo)體材料中發(fā)生的能級(jí)躍遷、載流子復(fù)合或其他物理過(guò)程。通過(guò)對(duì)光發(fā)射信號(hào)的成像和分析，熱紅外顯微鏡不僅能夠進(jìn)一步驗(yàn)證熱點(diǎn)區(qū)域的存在，還可輔助判斷異常的具體機(jī)制，為故障定位和性能評(píng)估提供更精確的信息。熱紅外顯微鏡在電子產(chǎn)品研發(fā)階段，輔助優(yōu)化熱管理方案 。

半導(dǎo)體制程已逐步進(jìn)入 3 納米及更先進(jìn)階段，芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)日趨密集，供電電壓也持續(xù)降低，這使得微觀熱行為對(duì)器件性能的影響變得更為明顯。致晟光電熱紅外顯微鏡是在傳統(tǒng)熱發(fā)射顯微鏡基礎(chǔ)上，經(jīng)迭代進(jìn)化而成的精密工具。在先進(jìn)制程研發(fā)中，它在應(yīng)對(duì)熱難題方面能提供一定支持，在芯片設(shè)計(jì)驗(yàn)證、失效排查以及性能優(yōu)化等環(huán)節(jié)，都能發(fā)揮相應(yīng)的作用。其通過(guò)不斷優(yōu)化的技術(shù)，適應(yīng)了先進(jìn)制程下對(duì)微觀熱信號(hào)檢測(cè)的需求，為相關(guān)研發(fā)工作提供了有助于分析和解決問(wèn)題的熱分布信息，助力研發(fā)人員更好地推進(jìn)芯片相關(guān)的研究與改進(jìn)工作。
熱紅外顯微鏡能透過(guò)硅片或封裝材料，對(duì)半導(dǎo)體芯片內(nèi)部熱缺陷進(jìn)行非接觸式檢測(cè)。芯片用熱紅外顯微鏡

熱紅外顯微鏡利用其高分辨率，觀察半導(dǎo)體制造過(guò)程中的熱工藝缺陷 。無(wú)損熱紅外顯微鏡探測(cè)器

   在產(chǎn)品全壽命周期中，失效分析以解決失效問(wèn)題、確定根本原因?yàn)槟繕?biāo)。通過(guò)對(duì)失效模式開(kāi)展綜合性試驗(yàn)分析，它能定位失效部位，厘清失效機(jī)理 一一 無(wú)論是材料劣化、結(jié)構(gòu)缺陷還是工藝瑕疵引發(fā)的問(wèn)題，都能被系統(tǒng)拆解。在此基礎(chǔ)上，進(jìn)一步提出針對(duì)性糾正措施，從源頭阻斷失效的重復(fù)發(fā)生。

作為貫穿產(chǎn)品質(zhì)量控制全流程的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，失效分析的價(jià)值體現(xiàn)在對(duì)全鏈條潛在風(fēng)險(xiǎn)的追溯與排查：在設(shè)計(jì)（含選型）階段，可通過(guò)模擬失效驗(yàn)證方案合理性；制造環(huán)節(jié)，能鎖定工藝偏差導(dǎo)致的批量隱患；使用過(guò)程中，可解析環(huán)境因素對(duì)性能衰減的影響；質(zhì)量管理層面，則為標(biāo)準(zhǔn)優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支撐。 無(wú)損熱紅外顯微鏡探測(cè)器