當芯片內部存在漏電缺陷，如結漏電、氧化層漏電時，電子-空穴對復合會釋放光子，微光顯微鏡(EMMI)能捕捉并定位。對于載流子復合異常情況，像閂鎖效應、熱電子效應引發的失效，以及器件在飽和態晶體管、正向偏置二極管等工作狀態下的固有發光，它也能有效探測，為這類與光子釋放相關的失效提供關鍵分析依據。

而熱紅外顯微鏡則主要用于排查與熱量異常相關的芯片問題。金屬互聯短路、電源與地短接會導致局部過熱，其可通過檢測紅外輻射差異定位。對于高功耗區域因設計缺陷引發的電流集中導致的熱分布異常，以及封裝或散熱結構失效造成的整體溫度異常等情況，它能生成溫度分布圖像，助力找出熱量異常根源。 支持離線數據分析，可將檢測圖像導出后進行深入處理，不占用設備的實時檢測時間。什么是微光顯微鏡成像儀

EMMI 微光顯微鏡作為集成電路失效分析的重要設備，其漏電定位功能對于失效分析工程師而言是不可或缺的工具。在集成電路領域，對芯片的可靠性有著極高的要求。在芯片運行過程中，微小漏電現象較為常見，且在特定條件下，這些微弱的漏電可能會被放大，導致芯片乃至整個控制系統的失效。因此，芯片微漏電現象在集成電路失效分析中占據著至關重要的地位。此外，考慮到大多數集成電路的工作電壓范圍在3.3V至20V之間，工作電流即便是微安或毫安級別的漏電流也足以表明芯片已經出現失效。因此，準確判斷漏流位置對于確定芯片失效的根本原因至關重要。 什么是微光顯微鏡成像儀其搭載的圖像增強算法，能強化微弱光子信號，減少噪聲干擾，使故障點成像更鮮明，便于識別。

InGaAs微光顯微鏡與傳統微光顯微鏡在原理和功能上具有相似之處，均依賴于電子-空穴對復合產生的光子及熱載流子作為探測信號源。然而，InGaAs微光顯微鏡相較于傳統微光顯微鏡，呈現出更高的探測靈敏度，并且其探測波長范圍擴展至900nm至1700nm，而傳統微光顯微鏡的探測波長范圍限于350nm至1100nm。這一特性使得InGaAs微光顯微鏡具備更更好的波長檢測能力，從而拓寬了其應用領域。進一步而言，InGaAs微光顯微鏡的這一優勢使其在多個科研與工業領域展現出獨特價值。在半導體材料研究中，InGaAs微光顯微鏡能夠探測到更長的波長，這對于分析材料的缺陷、雜質以及能帶結構等方面具有重要意義。

微光顯微鏡（EMMI）無法探測到亮點的情況:

一、不會產生亮點的故障有歐姆接觸（OhmicContact）金屬互聯短路（MetalInterconnectShort）表面反型層（SurfaceInversionLayer）硅導電通路（SiliconConductingPath）等。

二、亮點被遮蔽的情況有掩埋結（BuriedJunctions）及金屬下方的漏電點（LeakageSitesunderMetal）。此類情況可采用背面觀測模式（backsidemode），但該模式*能探測近紅外波段的發光，且需對樣品進行減薄及拋光處理等。 針對接面漏電，我司微光顯微鏡能偵測其光子定位位置，利于篩選不良品，為改進半導體制造工藝提供數據。

選擇國產 EMMI 微光顯微鏡，既是擁抱技術自主，更是搶占效率與成本的雙重優勢！致晟光電全本土化研發實力，與南京理工大學光電技術學院深度攜手，致力于光電技術研究和產業化應用，充分發揮其科研優勢，構建起產學研深度融合的技術研發體系。

憑借這一堅實后盾，我們的 EMMI 微光顯微鏡在性能上實現更佳突破：-80℃制冷型探測器搭配高分辨率物鏡，輕松捕捉極微弱漏電流光子信號，漏電缺陷定位精度與國際設備同步，讓每一個細微失效點無所遁形。 我司自研含微光顯微鏡等設備，獲多所高校、科研院所及企業認可使用，性能佳，廣受贊譽。什么是微光顯微鏡性價比

在航空航天芯片檢測中，它可定位因輻射導致的芯片損傷，為航天器電子設備的穩定運行保駕護航。什么是微光顯微鏡成像儀

在微光顯微鏡（EMMI) 操作過程中，當對樣品施加合適的電壓時，其失效點會由于載流子加速散射或電子-空穴對復合效應而發射特定波長的光子。這些光子經過采集和圖像處理后，可以形成一張信號圖。隨后，取消施加在樣品上的電壓，在未供電的狀態下采集一張背景圖。再通過將信號圖與背景圖進行疊加處理，就可以精確地定位發光點的位置，實現對失效點的精確定位。進一步地，為了提升定位的準確性，可采用多種圖像處理技術進行優化。例如，通過濾波算法去除背景噪聲，增強信號圖的信噪比；利用邊緣檢測技術，突出顯示發光點的邊緣特征，從而提高定位精度。什么是微光顯微鏡成像儀