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來源: 發布時間:2025-07-24

引言近年來,高亮度LED照明以高光效、長壽命、高可靠性和無污染等優點正在逐步取代白熾燈、熒光燈等傳統光源。在一些應用中,希望在某些情況下可調節燈光的亮度,以便進一步節能和提供舒適的照明。常見的調光有雙向可控硅調光、后沿調光、ON/OFF調光、遙控調光等。可控硅調光器在傳統的白熾燈等調光照明應用已久,且不用改變接線,裝置成本較低,各品牌可控硅調光器的性能和規格相差不大,但是其直接應用在LED驅動場合還存在著一系列問題。通過控制電機的電流和電壓,可以實現電機的轉動、速度控制、方向控制等。上海推廣驅動電路貨源充足

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表1 IGBT門極驅動條件與器件特性的關系由于IGBT的開關特性和安全工作區隨著柵極驅動電路的變化而變化,因而驅動電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對其驅動電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當的正向柵壓。并且在IGBT導通后。柵極驅動電路提供給IGBT的驅動電壓和電流要有足夠的幅度,使IGBT的功率輸出級總處于飽和狀態。瞬時過載時,柵極驅動電路提供的驅動功率要足以保證IGBT不退出飽和區。IGBT導通后的管壓降與所加柵源電壓有關,在漏源電流一定的情況下,VGE越高,VDS值就越低,器件的導通損耗就越小,這有利于充分發揮管子的工作能力。但是, VGE并非越高越好,一般不允許超過20 V,原因是一旦發生過流或短路,柵壓越高,則電流幅值越高,IGBT損壞的可能性就越大。通常,綜合考慮取+15 V為宜。黃浦區國產驅動電路設計根據具體的應用場景和需求,還有推挽驅動、隔離驅動、加速關斷驅動等多種設計方案。

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根據圖2中,RC充放電電路的輸出經過增益電路后可得電流參考為:式中k為增益,VC為RC充放電電路的輸入電壓,τ為RC的時間系數,θ為可控硅的導通角。則在**小導通角對應的輸出為零,即電路輸出的**大值對應電流參考的**大值:從式(1)和式(2)可得輸出電流表達式如式(3)所示。在斬波角為θ時,電路對應的輸入功率為:式中Vp為輸入電壓峰值,Rin為等效輸入阻抗。假設電路的變換效率為η,且電路的輸出功率為PO=IO·UO,則可得到電路的等效輸入阻抗如式(5)所示。從式(5)可得電路的功率因數如式(6)所示。

3、調節功率開關器件的通斷速度柵極電阻小,開關器件通斷快,開關損耗小;反之則慢,同時開關損耗大。但驅動速度過快將使開關器件的電壓和電流變化率**提高,從而產生較大的干擾,嚴重的將使整個裝置無法工作,因此必須統籌兼顧。二、柵極電阻的選取1、柵極電阻阻值的確定各種不同的考慮下,柵極電阻的選取會有很大的差異。初試可如下選取:不同品牌的IGBT模塊可能有各自的特定要求,可在其參數手冊的推薦值附近調試。2、柵極電阻功率的確定柵極電阻的功率由IGBT柵極驅動的功率決定,一般來說柵極電阻的總功率應至少是柵極驅動功率的2倍。傳感器驅動:驅動電路可以將傳感器檢測到的物理量轉換為電信號,例如溫度傳感器、壓力傳感器等。

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Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)所給出的測試方法測量出開通能量E,然后再計算出QG。E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGE這種方法雖然準確但太繁瑣,一般情況下我們可以簡單地利用IGBT數據手冊中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門極電荷:如果IGBT數據表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz,那么可以近似的認為Cin=4.5Cies,門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 4.5Cies : IGBT的輸入電容(Cies 可從IGBT 手冊中找到)IGBT驅動:IGBT常被用于中大功率數字電源開發,其驅動電壓范圍為-15~15V。上海推廣驅動電路貨源充足

半橋驅動和全橋驅動:這兩種驅動方式多用于需要更高功率轉換效率的場合,如電機驅動、電源轉換等。上海推廣驅動電路貨源充足

優良的驅動電路對變換器性能的影響驅動電路1.提高系統可靠性2.提高變換效率(開關器件開關、導通損耗)3.減小開關器件應力(開/關過程中)4.降低EMI/EMC驅動電路為什么要采取隔離措施安規問題,驅動電路副邊與主電路有耦合關系,而驅動原邊是與控制電路連在一起, 主電路是一次電路,控制電路是ELV電路, 一次電路和ELV電路之間要做加強絕緣,實現絕緣要求一般就采取變壓器光耦等隔離措施。驅動電路采取隔離措施的條件需要隔離控制參考地與驅動信號參考地(e極) 同—驅動電路無需隔離;無需隔離控制參考地與驅動信號參考地(e極)不同—驅動電路應隔離。上海推廣驅動電路貨源充足

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