可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。可控硅元件的結構不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構。見圖1。它有三個PN結（J1、J2、J3），從J1結構的P1層引出陽極A，從N2層引出陰級K，從P2層引出控制極G，所以它是一種四層三端的半導體器件。可控硅結構示意圖和符號圖結構原件可控硅類型可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成，其等效圖解如右圖所示。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。靜安區好的可控硅貨源充足

4、 觸發電壓VGT 在規定的環境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的**小控制極電流和電壓。5、 維持電流IH 在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的**小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發信號使其導通，用負觸發信號使其關斷的可控硅等等可控硅有多種分類方法。（一）按關斷、導通及控制方式分類：可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。。上海優勢可控硅現價按一機部IBI144一75的規定，普通型可控硅稱為KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅閘流管》。

PNPN四層組成(2)可控硅由關斷轉為導通必須同時具備兩個條件:(1〕受正向陽極電壓;(2)受正向門極電壓。(3)可控硅導通后，當陽極電流小干維持電流In時.可控硅關斷。(4)可控硅的特性主要是:1.陽極伏安特性曲線，2.門極伏安特性區。(5)應在額定參數范圍內使用可控硅。選擇可控硅主要確定兩個參致:電流⒈ 額定通態電流（IT）即比較大穩定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。⒉反向重復峰值電壓（VRRM）或斷態重復峰值電壓（VDRM），俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。

意法ST公司：TW=5mA，SW=10mA，CW=35mA，BW=50mA，C=25mA，B=50mA，H=15mA，T=15mA，注意：以上觸發電流均有一個上下起始誤差范圍，產品PDF文件中均有詳細說明一般分為最小值/典型值/最大值，而非“=”一個參數值。雙向可控硅可被認為是一對反并聯連接的普通可控硅的集成，工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅有兩個主電極T1和T2， 一個門極G， 門極使器件在主電極的正反兩個方向均可觸發導通，所以雙向可控硅在第1和第3象限有對稱的伏安特性。雙向可控硅門極加正、負觸發脈沖都能使管子觸發導通，因此有四種觸發方式。雙向可控硅應用為正常使用雙向可控硅，需定量掌握其主要參數，對雙向可控硅進行適當選用并采取相應措施以達到各參數的要求。 [1]可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。

在性能上，可控硅不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件（俗稱“死硅”）更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態。可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此頻率，因元件開關損耗***增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用。可控硅的優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍；反應極快，在微秒級內開通、關斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。可控硅的弱點：靜態及動態的過載能力較差；容易受干擾而誤導通。額定通態平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。靜安區好的可控硅貨源充足

反應極快，在微秒級內開通、關斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。靜安區好的可控硅貨源充足

耐壓級別的選擇： 通常把VDRM(斷態重復峰值電壓)和 VR R M(反向重復峰值電壓)中較小的值標作該器件的額定電壓。 選用時，額定電壓應為正常工作峰值電壓的2~3倍，作為允許的操作過電壓裕量。 [1]·電流的確定： 由于雙向可控硅通常用在交流電路中，因此不用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅的電流值為實際工作電流值的2~3倍。 同時， 可控硅承受斷態重復峰值電壓VD R M 和反向重復峰值電壓 V R R M 時的峰值電流應小于器件規定的IDRM 和 IRRM。靜安區好的可控硅貨源充足

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