真空鍍膜技術屬于表面處理技術的一類，應用非常廣。主要應用有一下幾類：光學膜:用于CCD、CMOS中的各種濾波片，高反鏡。功能膜:用于制造電阻、電容，半導體薄膜，刀具鍍膜，車燈，車燈罩，激光，太陽能等。裝飾膜:手機/家電裝飾鍍膜，汽車標牌，化妝品盒蓋，建筑裝飾玻璃、汽車玻璃，包裝袋。真空鍍膜對真空的要求非常嚴格，根據不同的真控制可以劃分為低真空（1至1E-5Torr），中真空（1E-5至1E-6Torr），高真空（1E-6至1E-8Torr），超高真空（低于1E-9Torr），針對不同的真空有多種測量方式，電容膜片（CDG）、導熱（Piriani）、熱陰極電離（HCIG)、粘度（自旋轉子）等。降低PVD制備薄膜的應力，可以提高襯底溫度，有利于薄膜和襯底間原子擴散，并加速反應過程。肇慶新型真空鍍膜

在真空中把金屬、合金或化合物進行蒸發(或濺射)，使其沉積在被涂覆的物體(稱基片、基板或基體)上的方法稱為真空鍍膜法。真空蒸鍍簡稱蒸鍍，是在真空條件下，用一定的方法加熱鍛膜材料(簡稱膜料)使之氣化，并沉積在工件表面形成固態薄膜。以動量傳遞的方法，用荷能粒子轟擊材料表面，使其表面原子獲得足夠的能量而飛逸出來的過程稱為濺射。離子鍍膜技術簡稱離子鍍，離子鍍是在真空條件下，利用氣體放電使氣體或被蒸發物質部分電離，在氣體離子或被蒸發物質離子轟擊作用的同時把蒸發物質或其反應產物沉積在基片上。電阻加熱蒸鍍是用絲狀或片狀的鎢、鉬、鉭高熔點金屬做成適當形狀的蒸發源，將膜料放在其中，接通電源，電阻直接加熱膜料而使其蒸發。深圳納米涂層真空鍍膜鍍膜技術可用于制造醫療設備的部件。

LPCVD設備中的薄膜材料的質量和性能可以通過多種方法進行表征和評價。常見的表征和評價方法有以下幾種：（1）厚度測量法，是指通過光學或電子手段來測量薄膜的厚度，如橢圓偏振儀、納米壓痕儀、電子顯微鏡等；（2）成分分析法，是指通過光譜或質譜手段來分析薄膜的化學成分，如X射線光電子能譜（XPS）、二次離子質譜（SIMS）、原子發射光譜（AES）等；（3）結構表征法，是指通過衍射或散射手段來表征薄膜的晶體結構，如X射線衍射（XRD）、拉曼光譜（Raman）、透射電子顯微鏡（TEM）等；（4）性能測試法，是指通過電學或力學手段來測試薄膜的物理性能，如電阻率、介電常數、硬度、應力等。

電子束蒸發法是真空蒸發鍍膜中一種常用的方法，是在高真空條件下利用電子束激發進行直接加熱蒸發材料，是使蒸發材料由固體轉變為氣化并向襯底輸運，在基底上凝結形成薄膜的方法。在電子束加熱裝置中，被加熱的材料放置于底部有循環水冷的坩堝當中，可避免電子束擊穿坩堝導致儀器損壞，而且可避免蒸發材料與坩堝壁發生反應影響薄膜的質量，因此，電子束蒸發沉積法可以制備高純薄膜。在微電子與光電子集成中，薄膜的形成方法主要有兩大類，及沉積和外延生長。沉積技術分為物理沉積、化學沉積和混合方法沉積。蒸發沉積（熱蒸發、電子束蒸發）和濺射沉積是典型的物理方法；化學氣相沉積是典型的化學方法；等離子體增強化學氣相沉積是物理與化學方法相結合的混合方法。薄膜沉積過程，通常生成的是非晶膜和多晶膜，沉積部位和晶態結構都是隨機的，而沒有固定的晶態結構。使用CVD的方式進行沉積氧化氮化硅(SiOxNy)與氮化硅(SiNx)能有效提高鈍化發射極和后極電池效率。

真空泵是抽真空的關鍵設備，其性能直接影響腔體的真空度。在選擇真空泵時，需要考慮以下因素：抽速和極限真空度：根據腔體的體積和所需的真空度，選擇合適的真空泵，確保其抽速和極限真空度滿足要求。穩定性和可靠性：選擇性能穩定、可靠性高的真空泵，以減少故障率和維修成本。振動和噪音：選擇振動小、噪音低的真空泵，以減少對鍍膜過程的影響。經濟性：在滿足性能要求的前提下，選擇性價比高的真空泵，以降低生產成本。常用的真空泵包括機械泵、分子泵、離子泵等。機械泵主要用于粗抽，將腔體內的氣體壓力降低到一定程度；分子泵則用于進一步抽真空，將腔體內的氣體壓力降低到高真空或超高真空范圍；離子泵則主要用于維持腔體的高真空度，去除殘留的氣體和污染物。PECVD，是一種利用等離子體在較低溫度下進行沉積的一種薄膜生長技術。北京PVD真空鍍膜

真空鍍膜技術普遍應用于工業制造。肇慶新型真空鍍膜

PECVD（等離子增強化學氣相沉積或等離子體輔助化學氣相沉積），是一種利用等離子體在較低溫度下進行沉積的一種薄膜生長技術。等離子體中大部分原子或分子被電離，通常使用射頻(RF)產生，但也可以通過交流電(AC)或直流電(DC)在兩個平行電極之間放電產生。PECVD是一種基于真空的工藝，通常在<0.1Torr的壓力下進行，允許相對較低的基板溫度，從室溫到300°C。通過利用等離子體為這些沉積反應的發生提供能量，而不是將基板加熱到很高的的溫度來驅動這些沉積反應。由于PECVD沉積溫度較低，沉積的薄膜應力較小，結合力更強。肇慶新型真空鍍膜