介質薄膜是重要的半導體薄膜之一。它可用作電路間的絕緣層，掩蔽半導體主要元件的相互擴散和漏電現象，從而進一步改善半導體操作性能的可靠性；它還可用作保護膜，在半導體制程的環節生成保護膜，保護芯片不受外部沖擊；或用作隔離膜，在堆疊一層層元件后進行刻蝕時，防止無需移除的部分被刻蝕。淺槽隔離（STI，ShallowTrenchIsolation）和金屬層間電介質層（就是典型的例子。沉積材料主要有二氧化硅（SiO2），碳化硅（SiC）和氮化硅（SiN）等。真空蒸發鍍膜是在真空室中，加熱蒸發容器待形成薄膜的原材料，使原子或者分子從表面氣化逸出，形成蒸汽流。淮安PVD真空鍍膜

蒸發物質的分子被電子撞擊后沉積在固體表面稱為離子鍍。蒸發源接陽極，工件接陰極，當通以三至五千伏高壓直流電以后，蒸發源與工件之間產生輝光放電。由于真空罩內充有惰性氬氣，在放電電場作用下部分氬氣被電離，從而在陰極工件周圍形成一等離子暗區。帶正電荷的氬離子受陰極負高壓的吸引，猛烈地轟擊工件表面，致使工件表層粒子和臟物被轟濺拋出，從而使工件待鍍表面得到了充分的離子轟擊清洗。隨后，接通蒸發源交流電源，蒸發料粒子熔化蒸發，進入輝光放電區并被電離。帶正電荷的蒸發料離子，在陰極吸引下，隨同氬離子一同沖向工件，當拋鍍于工件表面上的蒸發料離子超過濺失離子的數量時，則逐漸堆積形成一層牢固粘附于工件表面的鍍層。徐州小家電真空鍍膜真空鍍膜設備需精確控制溫度和壓力。

對于典型的半導體應用，基板被放置在兩個平行電極之間的沉積室中一個接地電極，通常是一個射頻通電電極.前體氣體如硅烷(SiH4)和氨(NH3)通常與惰性氣體如氬氣(Ar)或氮氣(N2)混合以控制過程。這些氣體通過基板上方的噴頭固定裝置引入腔室，有助于將氣體更均勻地分布到基板上。等離子體由電極之間的放電(100–300eV)點燃，在基板周圍發生啟輝，有助于產生驅動化學反應的熱能。前體氣體分子與高能電子碰撞，然后通過氣流傳播到基板，在那里它們發生反應并被吸收在基板表面上以生長薄膜。然后將化學副產品抽走，完成沉積過程。

LPCVD的優點主要有以下幾個方面：一是具有較佳的階梯覆蓋能力，可以在復雜的表面形貌上形成均勻且連續的薄膜；二是具有很好的組成成分和結構控制，可以通過調節反應溫度、壓力和氣體流量等參數來改變薄膜的物理和化學性質；三是具有很高的沉積速率和輸出量，可以實現大面積和批量生產；四是降低了顆粒污染源，提高了薄膜的質量和可靠性LPCVD的缺點主要有以下幾個方面：一是需要較高的反應溫度（通常在500-1000℃之間），這會增加能耗和設備成本，同時也會對基片造成熱損傷或熱應力；二是需要較長的反應時間（通常在幾十分鐘到幾小時之間），這會降低生產效率和靈活性；三是需要較復雜的設備和工藝控制，以保證反應室內的溫度、壓力和氣體流量等參數的均勻性和穩定性。真空鍍膜過程中需使用品質高的鍍膜材料。

沉積工藝也可分為化學氣相沉積和物理的氣相沉積。CVD的優點是速率快，且由于在晶圓表面發生化學反應，擁有臺階覆蓋率。但從上述化學方程式中不難看出，其缺點就是產生副產物廢氣。在半導體制程中，很難將這些廢氣完全排出，難免會參雜些不純物質。因此，CVD多用于不需要精確把控材料特性的沉積涂層，如沉積各種消耗性的膜層（硬掩模）或各種厚絕緣薄膜等。PVD則向晶圓表面直接轟擊要沉積的材料。也就是說，如果想在晶圓表面沉積A物質，則需將A物質氣化后，使其沉積到晶圓表面。常用的PVD方法有濺射，這在刻蝕工藝中也曾涉及過。在這種方法中，我們先向A物質靶材轟擊離子束（主要采用惰性氣體），使A物質粒子濺射出來，再將脫落的粒子轉移至硅片表面，并形成薄膜。PVD的優點是無副產物，沉積薄膜的純度高，且還可以沉積鎢（W）、鈷（Co）等無反應能力的純凈物材料。因此，多用于純凈物的金屬布線。真空鍍膜在航空航天領域有重要應用。蘇州真空鍍膜

鍍膜后的零件具有優異的導電性能。淮安PVD真空鍍膜

在真空中把金屬、合金或化合物進行蒸發(或濺射)，使其沉積在被涂覆的物體(稱基片、基板或基體)上的方法稱為真空鍍膜法。真空蒸鍍簡稱蒸鍍，是在真空條件下，用一定的方法加熱鍛膜材料(簡稱膜料)使之氣化，并沉積在工件表面形成固態薄膜。以動量傳遞的方法，用荷能粒子轟擊材料表面，使其表面原子獲得足夠的能量而飛逸出來的過程稱為濺射。離子鍍膜技術簡稱離子鍍，離子鍍是在真空條件下，利用氣體放電使氣體或被蒸發物質部分電離，在氣體離子或被蒸發物質離子轟擊作用的同時把蒸發物質或其反應產物沉積在基片上。電阻加熱蒸鍍是用絲狀或片狀的鎢、鉬、鉭高熔點金屬做成適當形狀的蒸發源，將膜料放在其中，接通電源，電阻直接加熱膜料而使其蒸發。淮安PVD真空鍍膜