蘇州致晟光電科技有限公司自主研發的RTTLIT （實時瞬態鎖相熱分析系統），該技術的溫度靈敏度極高，部分型號甚至可達 0.0001℃，功率檢測限低至 1μW。這意味著它能夠捕捉到極其微弱的熱信號變化，哪怕是芯片內部極為微小的漏電或局部發熱缺陷都難以遁形。這種高靈敏度檢測能力在半導體器件、晶圓、集成電路等對精度要求極高的領域中具有無可比擬的優勢，能夠幫助工程師快速、準確地定位故障點，較大程度上的縮短了產品研發和故障排查的時間。鎖相熱成像系統讓電激勵檢測效率大幅提升。直銷鎖相紅外熱成像系統運動

電子產業的存儲器芯片檢測中，電激勵的鎖相熱成像系統發揮著獨特作用，為保障數據存儲安全提供了有力支持。存儲器芯片如 DRAM、NAND Flash 等，是電子設備中用于存儲數據的關鍵部件，其存儲單元的質量直接決定了數據存儲的可靠性。存儲單元若存在缺陷，如氧化層擊穿、接觸不良等，會導致數據丟失、讀寫錯誤等問題。通過對存儲器芯片施加電激勵，進行讀寫操作，缺陷存儲單元會因電荷存儲異常而產生異常溫度。鎖相熱成像系統能夠定位這些缺陷單元的位置，幫助制造商在生產過程中篩選出合格的存儲器芯片，提高產品的合格率。例如，在檢測固態硬盤中的 NAND Flash 芯片時，系統可以發現存在壞塊的存儲單元區域，這些區域在讀寫操作時溫度明顯升高。通過標記這些壞塊并進行屏蔽處理，能夠有效保障數據存儲的安全，推動電子產業存儲領域的健康發展。非破壞性分析鎖相紅外熱成像系統市場價高靈敏度鎖相熱成像技術能夠檢測到極微小的熱信號，可檢測低至uA級漏電流或微短路缺陷。

失效背景調查就像是為芯片失效分析開啟“導航系統”，能幫助分析人員快速了解芯片的基本情況，為后續工作奠定基礎。收集芯片型號是首要任務，不同型號的芯片在結構、功能和特性上存在差異，這是開展分析的基礎信息。同時，了解芯片的應用場景也不可或缺，是用于消費電子、工業控制還是航空航天等領域，不同的應用場景對芯片的性能要求不同，失效原因也可能大相徑庭。失效模式的收集同樣關鍵，短路、漏電、功能異常等不同的失效模式，指向的潛在問題各不相同。比如短路可能是由于內部線路故障，而漏電則可能與芯片的絕緣性能有關。失效比例的統計也有重要意義，如果同一批次芯片失效比例較高，可能暗示著設計缺陷或制程問題；如果只是個別芯片失效，那么應用不當的可能性相對較大。

光束誘導電阻變化（OBIRCH）功能與微光顯微鏡（EMMI）技術常被集成于同一檢測系統，合稱為光發射顯微鏡（PEM，PhotoEmissionMicroscope）。二者在原理與應用上形成巧妙互補，能夠協同應對集成電路中絕大多數失效模式，大幅提升失效分析的全面性與效率。OBIRCH技術的獨特優勢在于，即便失效點被金屬層覆蓋形成“熱點”，其仍能通過光束照射引發的電阻變化特性實現精細檢測——這恰好彌補了EMMI在金屬遮擋區域光信號捕捉受限的不足。電激勵模式多樣，適配鎖相熱成像系統不同需求。

ThermalEMMI（熱紅外顯微鏡）是一種先進的非破壞性檢測技術，主要用于精細定位電子設備中的熱點區域，這些區域通常與潛在的故障、缺陷或性能問題密切相關。該技術可在不破壞被測對象的前提下，捕捉電子元件在工作狀態下釋放的熱輻射與光信號，為工程師提供關鍵的故障診斷線索和性能分析依據。在諸如復雜集成電路、高性能半導體器件以及精密印制電路板（PCB）等電子組件中，ThermalEMMI能夠快速識別出異常發熱或發光的區域，幫助工程師迅速定位問題根源，從而及時采取有效的維修或優化措施。鎖相熱成像系統通過識別電激勵引發的周期性熱信號，可有效檢測材料內部缺陷，其靈敏度遠超傳統熱成像技術。直銷鎖相紅外熱成像系統運動

檢測速度快，但鎖相熱紅外電激勵成像所得的位相圖不受物體表面情況影響，對深層缺陷檢測效果更好。直銷鎖相紅外熱成像系統運動

鎖相熱成像系統的電激勵方式在電子產業的 LED 芯片檢測中扮演著不可或缺的角色，為 LED 產品的質量提升提供了重要支持。LED 芯片是 pn 結，pn 結的質量直接決定了 LED 的發光效率、壽命和可靠性。如果 pn 結存在缺陷，如晶格失配、雜質污染等，會導致芯片的電光轉換效率下降，發熱增加，嚴重影響 LED 的性能。通過對 LED 芯片施加電激勵，使芯片處于工作狀態，缺陷處的電流分布和熱分布會出現異常，導致局部溫度升高。鎖相熱成像系統能夠精確檢測到這些溫度差異，并通過圖像處理技術，清晰顯示出 pn 結缺陷的位置和形態。

制造商可以根據檢測結果，篩選出良好的 LED 芯片，剔除不合格產品，從而提升 LED 燈具、顯示屏等產品的質量和使用壽命。例如，在 LED 顯示屏的生產過程中，利用該系統對 LED 芯片進行檢測，可使產品的不良率降低 30% 以上，推動了電子產業中 LED 領域的發展。 直銷鎖相紅外熱成像系統運動