熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI) 作為一種能夠捕捉微觀尺度熱輻射信號的精密儀器,其優勢在于對材料、器件局部溫度分布的高空間分辨率觀測。
然而,在面對微弱熱信號(如納米尺度結構的熱輻射、低功耗器件的散熱特性等)時,傳統熱成像方法易受環境噪聲、背景輻射的干擾,難以實現精細測量。鎖相熱成像技術的引入,為熱紅外顯微鏡突破這一局限提供了關鍵解決方案。通過鎖相熱成像技術的賦能,熱紅外顯微鏡從 “可見” 微觀熱分布升級為 “可測” 納米級熱特性,為微觀尺度熱科學研究與工業檢測提供了不可或缺的工具。 半導體芯片內部缺陷定位是工藝優化與失效分析的關鍵技術基礎。什么是熱紅外顯微鏡分析
致晟光電推出的多功能顯微系統,創新實現熱紅外與微光顯微鏡的集成設計,搭配靈活可選的制冷/非制冷模式,可根據您的實際需求定制專屬配置方案。這套設備的優勢在于一體化集成能力:只需一套系統,即可同時搭載可見光顯微鏡、熱紅外顯微鏡及InGaAs微光顯微鏡三大功能模塊。這種設計省去了多設備切換的繁瑣,更通過硬件協同優化提升了整體性能,讓您在同一平臺上輕松完成多波段觀測任務。相比單獨購置多套設備,該集成系統能大幅降低采購與維護成本,在保證檢測精度的同時,為實驗室節省空間與預算,真正實現性能與性價比的雙重提升。非制冷熱紅外顯微鏡原理熱紅外顯微鏡的高精度熱檢測,為電子設備可靠性提供保障 。
在失效分析的有損分析中,打開封裝是常見操作,通常有三種方法。全剝離法會將集成電路完全損壞,留下完整的芯片內部電路。但這種方法會破壞內部電路和引線,導致無法進行電動態分析,適用于需觀察內部電路靜態結構的場景。局部去除法通過特定手段去除部分封裝,優點是開封過程不會損壞內部電路和引線,開封后仍可進行電動態分析,能為失效分析提供更豐富的動態數據。自動法則是利用硫酸噴射實現局部去除,自動化操作可提高效率和精度,不過同樣屬于破壞性處理,會對樣品造成一定程度的損傷。
熱點區域對應高溫部位,可能是發熱源或故障點;等溫線連接溫度相同點,能直觀呈現溫度梯度與熱量傳導規律。目前市面上多數設備受紅外波長及探測器性能限制,普遍存在熱點分散、噪點多的問題,導致發熱區域定位不準,圖像對比度和清晰度下降,影響溫度分布判斷的準確性。
而我方設備優勢是設備抗干擾能力強,可有效減少外界環境及內部器件噪聲影響,保障圖像穩定可靠;等溫線明顯,能清晰展現溫度相同區域,便于快速掌握溫度梯度與熱傳導情況,提升熱特性分析精度;成像效果大幅提升,具備更高的空間分辨率、溫度分辨率及對比度,可清晰呈現細微細節,為分析提供高質量的圖像支持。 熱紅外顯微技術可透過硅片或封裝材料,實現非接觸式熱斑定位。
致晟光電熱紅外顯微鏡的軟件算法優化,信號處理邏輯也是其競爭力之一。
其搭載的自適應降噪算法,能通過多幀信號累積與特征學習,精細識別背景噪聲的頻譜特征 —— 無論是環境溫度波動產生的低頻干擾,還是電子元件的隨機噪聲,都能被針對性濾除,使信噪比提升 2-3 個數量級。
針對微弱熱信號提取,算法內置動態閾值調節機制,結合熱信號的時域相關性與空間分布特征,可從噪聲中剝離 0.05mK 級的微小溫度變化,即使納米尺度結構的隱性感熱信號也能被清晰捕捉。同時,軟件支持熱分布三維建模、溫度梯度曲線分析、多區域熱演化對比等多元功能,通過直觀的可視化界面呈現數據 —— 從熱點定位的微米級標記到熱傳導路徑的動態模擬,為用戶提供從信號提取到深度分析的全流程支持,大幅提升微觀熱分析效率。 熱紅外顯微鏡支持芯片、電路板等多類電子元件熱檢測。半導體失效分析熱紅外顯微鏡貨源充足
熱紅外顯微鏡憑借高靈敏度探測器,實現芯片微米級紅外熱分布觀察,鎖定異常熱點 。什么是熱紅外顯微鏡分析
非破壞性分析(NDA)以非侵入方式分析樣品內部結構和性能,無需切割、拆解或化學處理,能保留樣品完整性,為后續研究留有余地,在高精度、高成本的半導體領域作用突出。
無損分析,通過捕捉樣品自身紅外熱輻射成像,全程無接觸,無需對晶圓、芯片等進行破壞性處理。在半導體制造中,可識別晶圓晶體缺陷;封裝階段,能檢測焊接點完整性或封裝層粘結質量;失效分析時,可定位內部短路或斷裂區域的隱性熱信號,為根源分析提供依據,完美適配半導體行業對高價值樣品的保護需求。 什么是熱紅外顯微鏡分析