在半導體芯片的精密檢測領域,微光顯微鏡與熱紅外顯微鏡如同兩把功能各異的 “利劍”,各自憑借獨特的技術原理與應用優(yōu)勢,在芯片質量管控與失效分析中發(fā)揮著不可替代的作用。二者雖同服務于芯片檢測,但在邏輯與適用場景上的差異,使其成為互補而非替代的檢測組合。從技術原理來看,兩者的 “探測語言” 截然不同。
微光顯微鏡是 “光子的捕捉者”,其重心在于高靈敏度的光子傳感器,能夠捕捉芯片內部因電性能異常釋放的微弱光信號 —— 這些信號可能來自 PN 結漏電時的電子躍遷,或是柵氧擊穿瞬間的能量釋放,波長多集中在可見光至近紅外范圍。
微光顯微鏡能檢測半導體器件微小缺陷和失效點,及時發(fā)現隱患,保障設備可靠運行、提升通信質量。鎖相微光顯微鏡成像
微光顯微鏡無法檢測不產生光子的失效(如歐姆接觸、金屬短路),且易受強光環(huán)境干擾;熱紅外顯微鏡則難以識別無明顯溫度變化的失效(如輕微漏電但功耗極低的缺陷),且溫度信號可能受環(huán)境熱傳導影響。
實際分析中,二者常結合使用,通過 “光 - 熱” 信號交叉驗證,提升失效定位的準確性。致晟光電在技術創(chuàng)新的征程中,實現了一項突破性成果 —— 將熱紅外顯微鏡與微光顯微鏡集可以集成于一臺設備,只需一次采購,便可以節(jié)省了重復的硬件投入。 半導體失效分析微光顯微鏡廠家其搭載的圖像增強算法,能強化微弱光子信號,減少噪聲干擾,使故障點成像更鮮明,便于識別。
對半導體研發(fā)工程師而言,排查的過程層層受阻。在逐一排除外圍電路異常、生產工藝制程損傷等潛在因素后,若仍未找到癥結,往往需要芯片原廠介入,通過剖片分析深入探究內核。
然而,受限于專業(yè)分析設備的缺乏,再加上芯片內部設計涉及機密,工程師難以深入了解其底層構造,這就導致他們在面對原廠出具的分析報告時,常常陷入 “被動接受” 的局面 —— 既無法完全驗證報告的細節(jié),也難以基于自身判斷提出更具針對性的疑問或補充分析方向。
RTTLIT E20 微光顯微分析系統(EMMI)是專為半導體器件漏電缺陷檢測量身打造的高精度檢測設備,其系統搭載 -80℃制冷型 InGaAs 探測器與高分辨率顯微物鏡 ,構建起超高靈敏度檢測體系 —— 可準確捕捉器件在微弱漏電流下產生的極微弱微光信號,實現納米級缺陷的可視化成像。通過超高靈敏度成像技術,設備能快速定位漏電缺陷并完成深度分析,為工程師提供直觀的缺陷數據支撐,助力優(yōu)化生產工藝、提升產品可靠性。從芯片研發(fā)到量產質控,RTTLIT E20 以穩(wěn)定可靠的性能,為半導體器件全生命周期的質量保障提供科學解決方案,是半導體行業(yè)提升良率的關鍵檢測利器。微光顯微鏡分析 3D 封裝器件光子,結合光學原理和算法可預估失效點深度,為失效分析和修復提供參考。
在微光顯微鏡(EMMI) 操作過程中,當對樣品施加合適的電壓時,其失效點會由于載流子加速散射或電子-空穴對復合效應而發(fā)射特定波長的光子。這些光子經過采集和圖像處理后,可以形成一張信號圖。隨后,取消施加在樣品上的電壓,在未供電的狀態(tài)下采集一張背景圖。再通過將信號圖與背景圖進行疊加處理,就可以精確地定位發(fā)光點的位置,實現對失效點的精確定位。進一步地,為了提升定位的準確性,可采用多種圖像處理技術進行優(yōu)化。例如,通過濾波算法去除背景噪聲,增強信號圖的信噪比;利用邊緣檢測技術,突出顯示發(fā)光點的邊緣特征,從而提高定位精度。微光顯微鏡搭配高分辨率鏡頭,可將微小缺陷放大至清晰可見,讓檢測更易觀察分析,提升檢測的準確度。自銷微光顯微鏡售價
我司自研含微光顯微鏡等設備,獲多所高校、科研院所及企業(yè)認可使用,性能佳,廣受贊譽。鎖相微光顯微鏡成像
同時,我們誠摯歡迎各位客戶蒞臨蘇州實驗室進行深入交流。在這里,我們的專業(yè)技術團隊將為您詳細演示微光顯微鏡、熱紅外顯微鏡的全套操作流程,從基礎功能到高級應用,一一講解其中的技術原理與操作技巧。針對您在設備選型、使用場景、技術參數等方面的疑問,我們也會給予細致入微的解答,讓您對失效分析領域掌握設備優(yōu)勢與適用范圍。
這種面對面的深度溝通,旨在讓合作過程更加透明,讓您對我們的產品與服務更有信心,合作也更顯安心。 鎖相微光顯微鏡成像