企業(yè)用戶何如去采購適合自己的設(shè)備?
功能側(cè)重的差異,讓它們在芯片檢測中各司其職。微光顯微鏡的 “專長” 是識別電致發(fā)光缺陷,對于邏輯芯片、存儲芯片等高密度集成電路中常見的 PN 結(jié)漏電、柵氧擊穿、互連缺陷等細微電性能問題,它能提供的位置信息,是芯片失效分析中定位 “電故障” 的工具。
例如,在 7nm 以下先進制程芯片的檢測中,其高靈敏度可捕捉到單個晶體管異常產(chǎn)生的微弱信號,為工藝優(yōu)化提供關(guān)鍵依據(jù)。
熱紅外顯微鏡則更關(guān)注 “熱失控” 風(fēng)險,在功率半導(dǎo)體、IGBT 等大功率器件的檢測中表現(xiàn)突出。這類芯片工作時功耗較高,散熱性能直接影響可靠性,短路、散熱通道堵塞等問題會導(dǎo)致局部溫度驟升,熱紅外顯微鏡能快速生成熱分布圖譜,直觀呈現(xiàn)熱點位置與溫度梯度,幫助工程師判斷散熱設(shè)計缺陷或電路短路點。在汽車電子等對安全性要求極高的領(lǐng)域,這種對熱異常的敏銳捕捉,是預(yù)防芯片失效引發(fā)安全事故的重要保障。
在超導(dǎo)芯片檢測中,可捕捉超導(dǎo)態(tài)向正常態(tài)轉(zhuǎn)變時的異常發(fā)光,助力超導(dǎo)器件的性能優(yōu)化。低溫熱微光顯微鏡24小時服務(wù)
半導(dǎo)體企業(yè)購入微光顯微鏡設(shè)備,是提升自身競爭力的關(guān)鍵舉措,原因在于芯片測試需要找到問題點 —— 失效分析。失效分析能定位芯片設(shè)計缺陷、制造瑕疵或可靠性問題,直接決定產(chǎn)品良率與市場口碑。微光顯微鏡憑借高靈敏度的光子探測能力,可捕捉芯片內(nèi)部微弱發(fā)光信號,高效識別漏電、熱失控等隱性故障,為優(yōu)化生產(chǎn)工藝、提升芯片性能提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)支撐。在激烈的市場競爭中,快速完成失效分析意味著縮短研發(fā)周期、降低返工成本,同時通過提升產(chǎn)品可靠性鞏固客戶信任,這正是半導(dǎo)體企業(yè)在技術(shù)迭代與市場爭奪中保持優(yōu)勢的邏輯。低溫熱微光顯微鏡工作原理與原子力顯微鏡聯(lián)用時,微光顯微鏡可同步獲取樣品的表面形貌和發(fā)光信息,便于關(guān)聯(lián)材料的結(jié)構(gòu)與電氣缺陷。
對半導(dǎo)體研發(fā)工程師而言,排查的過程層層受阻。在逐一排除外圍電路異常、生產(chǎn)工藝制程損傷等潛在因素后,若仍未找到癥結(jié),往往需要芯片原廠介入,通過剖片分析深入探究內(nèi)核。
然而,受限于專業(yè)分析設(shè)備的缺乏,再加上芯片內(nèi)部設(shè)計涉及機密,工程師難以深入了解其底層構(gòu)造,這就導(dǎo)致他們在面對原廠出具的分析報告時,常常陷入 “被動接受” 的局面 —— 既無法完全驗證報告的細節(jié),也難以基于自身判斷提出更具針對性的疑問或補充分析方向。
InGaAs微光顯微鏡與傳統(tǒng)微光顯微鏡在原理和功能上具有相似之處,均依賴于電子-空穴對復(fù)合產(chǎn)生的光子及熱載流子作為探測信號源。然而,InGaAs微光顯微鏡相較于傳統(tǒng)微光顯微鏡,呈現(xiàn)出更高的探測靈敏度,并且其探測波長范圍擴展至900nm至1700nm,而傳統(tǒng)微光顯微鏡的探測波長范圍限于350nm至1100nm。這一特性使得InGaAs微光顯微鏡具備更更好的波長檢測能力,從而拓寬了其應(yīng)用領(lǐng)域。進一步而言,InGaAs微光顯微鏡的這一優(yōu)勢使其在多個科研與工業(yè)領(lǐng)域展現(xiàn)出獨特價值。在半導(dǎo)體材料研究中,InGaAs微光顯微鏡能夠探測到更長的波長,這對于分析材料的缺陷、雜質(zhì)以及能帶結(jié)構(gòu)等方面具有重要意義。支持離線數(shù)據(jù)分析,可將檢測圖像導(dǎo)出后進行深入處理,不占用設(shè)備的實時檢測時間。
EMMI 微光顯微鏡作為集成電路失效分析的重要設(shè)備,其漏電定位功能對于失效分析工程師而言是不可或缺的工具。在集成電路領(lǐng)域,對芯片的可靠性有著極高的要求。在芯片運行過程中,微小漏電現(xiàn)象較為常見,且在特定條件下,這些微弱的漏電可能會被放大,導(dǎo)致芯片乃至整個控制系統(tǒng)的失效。因此,芯片微漏電現(xiàn)象在集成電路失效分析中占據(jù)著至關(guān)重要的地位。此外,考慮到大多數(shù)集成電路的工作電壓范圍在3.3V至20V之間,工作電流即便是微安或毫安級別的漏電流也足以表明芯片已經(jīng)出現(xiàn)失效。因此,準確判斷漏流位置對于確定芯片失效的根本原因至關(guān)重要。 針對納米級半導(dǎo)體器件,搭配超高倍物鏡,能分辨納米尺度的缺陷發(fā)光,推動納米電子學(xué)研究。鎖相微光顯微鏡性價比
電路驗證中出現(xiàn)閂鎖效應(yīng)及漏電,微光顯微鏡可定位位置,為電路設(shè)計優(yōu)化提供依據(jù),保障系統(tǒng)穩(wěn)定運行。低溫熱微光顯微鏡24小時服務(wù)
EMMI的本質(zhì)只是一臺光譜范圍廣,光子靈敏度高的顯微鏡。
但是為什么EMMI能夠應(yīng)用于IC的失效分析呢?
原因就在于集成電路在通電后會出現(xiàn)三種情況:1.載流子復(fù)合;2.熱載流子;3.絕緣層漏電。當這三種情況發(fā)生時集成電路上就會產(chǎn)生微弱的熒光,這時EMMI就能捕獲這些微弱熒光,這就給了EMMI一個應(yīng)用的機會而在IC的失效分析中,我們給予失效點一個偏壓產(chǎn)生熒光,然后EMMI捕獲電流中產(chǎn)生的微弱熒光。原理上,不管IC是否存在缺陷,只要滿足其機理在EMMI下都能觀測到熒光 低溫熱微光顯微鏡24小時服務(wù)