芯片制造工藝復雜精密,從設計到量產的每一個環節都可能潛藏缺陷,而失效分析作為測試流程的重要一環,是攔截不合格產品、追溯問題根源的 “守門人”。微光顯微鏡憑借其高靈敏度的光子探測技術,能夠捕捉到芯片內部因漏電、熱失控等故障產生的微弱發光信號,定位微米級甚至納米級的缺陷。這種檢測能力,能幫助企業快速鎖定問題所在 —— 無論是設計環節的邏輯漏洞,還是制造過程中的材料雜質、工藝偏差,都能被及時發現。這意味著企業可以針對性地優化生產工藝、改進設計方案,從而提升芯片良率。在當前芯片制造成本居高不下的背景下,良率的提升直接轉化為生產成本的降低,讓企業在價格競爭中占據更有利的位置。針對納米級半導體器件,搭配超高倍物鏡,能分辨納米尺度的缺陷發光,推動納米電子學研究。廠家微光顯微鏡校準方法
半導體材料分為直接帶隙半導體和間接帶隙半導體,而Si是典型的直接帶隙半導體,其禁帶寬度為1.12eV。所以當電子與空穴復合時,電子會彈射出一個光子,該光子的能量為1.12eV,根據波粒二象性原理,該光子的波長為1100nm,屬于紅外光區。通俗的講就是當載流子進行復合的時候就會產生1100nm的紅外光。這也就是產生亮點的原因之一:載流子復合。所以正偏二極管的PN結處能看到亮點。如果MOS管產生latch-up現象,(體寄生三極管導通)也會觀察到在襯底處產生熒光亮點。IC微光顯微鏡哪家好紅外成像可以不破壞芯片封裝,嘗試定位未開封芯片失效點并區分其在封裝還是 Die 內部,利于評估芯片質量。
當芯片內部存在漏電缺陷,如結漏電、氧化層漏電時,電子-空穴對復合會釋放光子,微光顯微鏡(EMMI)能捕捉并定位。對于載流子復合異常情況,像閂鎖效應、熱電子效應引發的失效,以及器件在飽和態晶體管、正向偏置二極管等工作狀態下的固有發光,它也能有效探測,為這類與光子釋放相關的失效提供關鍵分析依據。
而熱紅外顯微鏡則主要用于排查與熱量異常相關的芯片問題。金屬互聯短路、電源與地短接會導致局部過熱,其可通過檢測紅外輻射差異定位。對于高功耗區域因設計缺陷引發的電流集中導致的熱分布異常,以及封裝或散熱結構失效造成的整體溫度異常等情況,它能生成溫度分布圖像,助力找出熱量異常根源。
挑選適配自身的微光顯微鏡 EMMI,關鍵在于明確需求、考量性能與評估預算。先梳理應用場景,若聚焦半導體失效分析,需關注能否定位漏電結、閂鎖效應等缺陷產生的光子;性能層面,探測器是主要考察對象,像 -80℃制冷型 InGaAs 探測器,靈敏度高、波長檢測范圍廣(900 - 1700nm),能捕捉更微弱信號;物鏡分辨率也重要,高分辨率物鏡可清晰呈現微小失效點。操作便捷性也不容忽視,軟件界面友好、具備自動聚焦等功能,能提升工作效率。預算方面,進口設備價格高昂,國產設備性價比優勢凸顯,如部分國產品牌雖價格低 30% 以上,但性能與進口相當,還能提供及時售后。總之,綜合這些因素,多對比不同品牌、型號設備,才能選到契合自身的 EMMI 。針對氮化鎵等寬禁帶半導體,它能適應其寬波長探測需求,助力寬禁帶器件的研發與應用。
可探測到亮點的情況
一、由缺陷導致的亮點結漏電(Junction Leakage)接觸毛刺(Contact Spiking)熱電子效應(Hot Electrons)閂鎖效應(Latch-Up)氧化層漏電(Gate Oxide Defects / Leakage (F-N Current))多晶硅晶須(Poly-silicon Filaments)襯底損傷(Substrate Damage)物理損傷(Mechanical Damage)等。
二、器件本身固有的亮點飽和 / 有源狀態的雙極晶體管(Saturated/Active Bipolar Transistors)飽和狀態的 MOS 管 / 動態 CMOS(Saturated MOS/Dynamic CMOS)正向偏置二極管 / 反向偏置二極管(擊穿狀態)(Forward Biased Diodes / Reverse Biased Diodes (Breakdown))等。 在超導芯片檢測中,可捕捉超導態向正常態轉變時的異常發光,助力超導器件的性能優化。實時成像微光顯微鏡儀器
它嘗試通過金屬層邊緣等位置的光子來定位故障點,解決了復雜的檢測難題。廠家微光顯微鏡校準方法
在半導體芯片的精密檢測領域,微光顯微鏡與熱紅外顯微鏡如同兩把功能各異的 “利劍”,各自憑借獨特的技術原理與應用優勢,在芯片質量管控與失效分析中發揮著不可替代的作用。二者雖同服務于芯片檢測,但在邏輯與適用場景上的差異,使其成為互補而非替代的檢測組合。從技術原理來看,兩者的 “探測語言” 截然不同。
微光顯微鏡是 “光子的捕捉者”,其重心在于高靈敏度的光子傳感器,能夠捕捉芯片內部因電性能異常釋放的微弱光信號 —— 這些信號可能來自 PN 結漏電時的電子躍遷,或是柵氧擊穿瞬間的能量釋放,波長多集中在可見光至近紅外范圍。
廠家微光顯微鏡校準方法
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