集成電路對于離散晶體管有兩個主要優勢:成本和性能。成本低是由于芯片把所有的組件通過照相平版技術,作為一個單位印刷,而不是在一個時間只制作一個晶體管。性能高是由于組件快速開關,消耗更低能量,因為組件很小且彼此靠近。2006年,芯片面積從幾平方毫米到350 mm2...
D/A轉換器的主要部件是電阻開關網絡,通常是由輸入的二進制數的各位控制一些開關,通過電阻網絡,在運算放大器的輸入端產生與二進制數各位的權成比例的電流,這些電流經過運算放大器相加和轉換而成為與二進制數成比例的模擬電壓。D/A轉換的原理電路如概述圖圖5-1所示,是...
晶體管發明并大量生產之后,各式固態半導體組件如二極管、晶體管等大量使用,取代了真空管在電路中的功能與角色。到了20世紀中后期半導體制造技術進步,使得集成電路成為可能。相對于手工組裝電路使用個別的分立電子組件,集成電路可以把很大數量的微晶體管集成到一個小芯片,是...
**早的電路故障診斷方法主要依靠一些簡單工具進行測試診斷,它極大地依賴于**或技術人員的理論知識和經驗。在這些測試方法中,**常用的主要有四類:虛擬測試、功能測試、結構測試和缺陷故障測試。虛擬測試不需要檢測實際芯片,而只測試仿真的芯片,適用于在芯片制造前進行。...
該過程使用了對紫外光敏感的化學物質,即遇紫外光則變軟。通過控制遮光物的位置可以得到芯片的外形。在硅晶片涂上光致抗蝕劑,使得其遇紫外光就會溶解。這時可以用上***份遮光物,使得紫外光直射的部分被溶解,這溶解部分接著可用溶劑將其沖走。這樣剩下的部分就與遮光物的形狀...
晶圓光刻顯影、蝕刻光刻工藝的基本流程如圖1 [2]所示。首先是在晶圓(或襯底)表面涂上一層光刻膠并烘干。烘干后的晶圓被傳送到光刻機里面。光線透過一個掩模把掩模上的圖形投影在晶圓表面的光刻膠上,實現曝光,激發光化學反應。對曝光后的晶圓進行第二次烘烤,即所謂的曝光...
D/A轉換器的主要特性指標包括以下幾方面:分辨率指**小輸出電壓(對應的輸入數字量只有比較低有效位為“1”)與比較大輸出電壓(對應的輸入數字量所有有效位全為“1”)之比。如N位D/A轉換器,其分辨率為1/(2^N-1)。在實際使用中,表示分辨率大小的方法也用輸...
外觀檢測的方法有三種:一是傳統的手工檢測方法,主要靠目測,手工分檢,可靠性不高,檢測效率較低,勞動強度大,檢測缺陷有疏漏,無法適應大批量生產制造;二是基于激光測量技術的檢測方法,該方法對設備的硬件要求較高,成本相應較高,設備故障率高,維護較為困難;三是基于機器...
輸入時其輸出值與理想輸出值(滿量程)之間的偏差表示,一般也用LSB的份數或用偏差值相對滿量程的百分數來表示。非線性誤差D/A轉換器的非線性誤差定義為實際轉換特性曲線與理想特性曲線之間的比較大偏差,并以該偏差相對于滿量程的百分數度量。在轉換器電路設計中,一般要求...
晶圓光刻顯影、蝕刻光刻工藝的基本流程如圖1 [2]所示。首先是在晶圓(或襯底)表面涂上一層光刻膠并烘干。烘干后的晶圓被傳送到光刻機里面。光線透過一個掩模把掩模上的圖形投影在晶圓表面的光刻膠上,實現曝光,激發光化學反應。對曝光后的晶圓進行第二次烘烤,即所謂的曝光...
IC由很多重疊的層組成,每層由視頻技術定義,通常用不同的顏色表示。一些層標明在哪里不同的摻雜劑擴散進基層(成為擴散層),一些定義哪里額外的離子灌輸(灌輸層),一些定義導體(多晶硅或金屬層),一些定義傳導層之間的連接(過孔或接觸層)。所有的組件由這些層的特定組合...
集成電路對于離散晶體管有兩個主要優勢:成本和性能。成本低是由于芯片把所有的組件通過照相平版技術,作為一個單位印刷,而不是在一個時間只制作一個晶體管。性能高是由于組件快速開關,消耗更低能量,因為組件很小且彼此靠近。2006年,芯片面積從幾平方毫米到350 mm2...
小型集成電路(SSI英文全名為Small Scale Integration)邏輯門10個以下或晶體管100個以下。中型集成電路(MSI英文全名為Medium Scale Integration)邏輯門11~100個或 晶體管101~1k個。大規模集成電路(L...
**的集成電路是微處理器或多核處理器的**,可以控制計算機到手機到數字微波爐的一切。雖然設計開發一個復雜集成電路的成本非常高,但是當分散到通常以百萬計的產品上,每個集成電路的成本**小化。集成電路的性能很高,因為小尺寸帶來短路徑,使得低功率邏輯電路可以在快速開...
第二層次:將數個第-層次完成的封裝與其他電子元器件組成- -個電路卡的工藝。第三層次:將數個第二層次完成的封裝組裝的電路卡組合成在一個主電路板上使之成為一個部件或子系統的工藝。第四層次:將數個子系統組裝成為一個完整電子產品的工藝過程。在芯片.上的集成電路元器件...
倒T型電阻網絡圖9-6為倒T型電阻網絡D/A轉換器原理圖。由于P點接地、N點虛地,所以不論數碼D0、D1、D2、D3是0還是1,電子開關S0、S1、S2、S3都相當于接地。因此,圖9-6中各支路電流I0、I1、I2、I3和IR的大小不會因二進制數的不同而改變。...
任正非早就表示:華為很像一架被打得千瘡百孔的飛機,正在加緊補洞,現在大多數洞已經補好,還有一些比較重要的洞,需要兩三年才能完全克服。隨著禁令愈加嚴苛,要補的洞越來越多, [10]余承東是承認,當初只做設計不做生產是個錯誤,除了補洞更要拓展新的領地。華為和合作伙...
**早的電路故障診斷方法主要依靠一些簡單工具進行測試診斷,它極大地依賴于**或技術人員的理論知識和經驗。在這些測試方法中,**常用的主要有四類:虛擬測試、功能測試、結構測試和缺陷故障測試。虛擬測試不需要檢測實際芯片,而只測試仿真的芯片,適用于在芯片制造前進行。...
2019年,華為旗下海思發布全球***5G SoC芯片海思麒麟990,采用了全球先進的7納米工藝;64層3D NAND閃存芯片實現量產;中芯國際14納米工藝量產。 [5]2021年7月,***采用自主指令系統LoongArch設計的處理器芯片,龍芯3A5000...
實際上從數學關系來看,INL的微分結果即是DNL, DNL的積分結果即是INL 。5.單調性:單調性是指數模轉換器輸入在逐漸增加時,輸出也是逐步增加的,若輸入增加,輸出卻減小,此時即呈現非單調性,如圖4左是單調性的,圖4右是非單調性的,此時DNL會小于-1LS...
工作溫度范圍一般情況下,影響D/A轉換精度的主要環境和工作條件因素是溫度和電源電壓變化。由于工作溫度會對運算放大器加權電阻網絡等產生影響,所以只有在一定的工作范圍內才能保證額定精度指標。較好的D/A轉換器的工作溫度范圍在-40℃~85℃之間,較差的D/A轉換器...
極大規模集成電路(ULSI英文全名為Ultra Large Scale Integration)邏輯門10,001~1M個或 晶體管100,001~10M個。GLSI(英文全名為Giga Scale Integration)邏輯門1,000,001個以上或晶體...
管腳數:A—8;B—10﹔C—12,192;D—14;E—16;F——22,256;G—4;H—4;I—28 ;J—2;K—5,68;L—40;M—6,48;N—18;O—42;P—20﹔Q—2,100﹔R—3,843;S——4,80;T—6,160;U—60...
2019年,華為旗下海思發布全球***5G SoC芯片海思麒麟990,采用了全球先進的7納米工藝;64層3D NAND閃存芯片實現量產;中芯國際14納米工藝量產。 [5]2021年7月,***采用自主指令系統LoongArch設計的處理器芯片,龍芯3A5000...
C=0℃至60℃(商業級);I=-20℃至85℃(工業級);E=-40℃至85℃(擴展工業級);A=-40℃至82℃(航空級);M=-55℃至125℃(**級)封裝類型:A—SSOP;B—CERQUAD;C-TO-200,TQFP﹔D—陶瓷銅頂;E—QSOP;...
集成電路對于離散晶體管有兩個主要優勢:成本和性能。成本低是由于芯片把所有的組件通過照相平版技術,作為一個單位印刷,而不是在一個時間只制作一個晶體管。性能高是由于組件快速開關,消耗更低能量,因為組件很小且彼此靠近。2006年,芯片面積從幾平方毫米到350 mm2...
轉換精度是指D/A轉換器的實際輸出與理論值之間的誤差。轉換精度可分為***精度和相對精度。(1)***精度指對應于給定的數字量,D/A轉換器的輸出端實際測得的模擬輸出值(電流或電壓)與理論值之差。***精度由D/A轉換的增益誤差、線性誤差和噪聲等綜合因素決定。...
D/A轉換器的主要特性指標包括以下幾方面:分辨率指**小輸出電壓(對應的輸入數字量只有比較低有效位為“1”)與比較大輸出電壓(對應的輸入數字量所有有效位全為“1”)之比。如N位D/A轉換器,其分辨率為1/(2^N-1)。在實際使用中,表示分辨率大小的方法也用輸...
1991年,首都鋼鐵公司和日本NEC公司成立中外合資公司——首鋼NEC電子有限公司。1992年,上海飛利浦公司建成了我國***條5英寸線。1993年,***塊256K DRAM在中國華晶電子集團公司試制成功。1994年,首鋼日電公司建成了我國***條6英寸線。...
通常集成電路芯片故障檢測必需的模塊有三個:源激勵模塊,觀測信息采集模塊和檢測模塊。源激勵模塊用于將測試向量輸送給集成電路芯片,以驅使芯片進入各種工作模式。通常要求測試向量集能盡量多的包含所有可能的輸入向量。觀測信息采集模塊負責對之后用于分析和處理的信息進行采集...