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2、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋，對(duì)于1~6A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時(shí)接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開(kāi)G極，指針應(yīng)指示幾十歐至一百歐，此時(shí)可控硅已被觸發(fā)，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流小）。然后瞬時(shí)斷開(kāi)A極再接通，指針應(yīng)退回∞位置，則表明可控硅...

(2) 認(rèn)真核對(duì)變壓器基礎(chǔ)橫、縱軸線尺寸及預(yù)埋管位置，并與圖紙所給尺寸核對(duì)，無(wú)誤后方可進(jìn)行下一步工作。2.2 變壓器開(kāi)箱檢查(1) 變壓器到貨后開(kāi)箱檢查時(shí)，應(yīng)會(huì)同業(yè)主、監(jiān)理及廠家的有關(guān)人員一同檢查。(2) 在卸車前測(cè)量和記錄沖擊記錄器的沖擊值，這個(gè)數(shù)值應(yīng)小于3...

該電子為p+n-p晶體管的少數(shù)載流子，從集電極襯底p+層開(kāi)始流入空穴，進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制（雙極工作），所以可以降低集電極－發(fā)射極間飽和電壓。在發(fā)射極電極側(cè)形成n+pn－寄生晶體管。若n+pn－寄生晶體管工作，又變成p+n－ pn+晶閘管。電流繼續(xù)流動(dòng)，直到輸出側(cè)停...

普通晶閘管是一種半可控大功率半導(dǎo)體器件，出現(xiàn)于70年代。pnpn四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，有三個(gè)極：陽(yáng)極、陰極和門極。 晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，它的出現(xiàn)使半導(dǎo)體器件由弱電領(lǐng)域擴(kuò)展到強(qiáng)電領(lǐng)域。普通晶閘管t在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極a和陰極k與...

右圖給出自耦式12脈沖變壓整流器，變壓器用于產(chǎn)生滿足整流器要求的兩組三相電壓，兩組三相電壓（Va''，Vb''，Vc''）與(Va'，Vb'，Vc')分別超前與滯后于輸入三相電壓15°，兩組三相電壓輸出分別連接到整流橋1和整流橋2，整流橋輸出通過(guò)平衡電抗器并聯(lián)...

1、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中，如果柵極上的噪聲電壓超過(guò)VGT，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋，則也會(huì)被觸發(fā)導(dǎo)通。應(yīng)用安裝時(shí)，首先要使柵極外的連線盡可能短。當(dāng)連線不能很短時(shí)，可用絞線或屏蔽線來(lái)減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個(gè)...

E 節(jié)能照明：隧道照明，路燈照明，攝影照明，舞臺(tái)燈光F 化學(xué)工業(yè)：蒸餾蒸發(fā)，預(yù)熱系統(tǒng)，管道加熱，石油化工，溫度補(bǔ)償G 其它行業(yè)：鹽浴爐，工頻感應(yīng)爐，淬火爐溫控，熱處理爐溫控，金剛石壓機(jī)加熱，大功率充磁/退磁設(shè)備，航空電源調(diào)壓，中央空調(diào)電加熱器溫控，紡織機(jī)械，水...

BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。實(shí)際這一過(guò)程是“一觸即發(fā)”的過(guò)程，對(duì)可控硅來(lái)說(shuō)，觸發(fā)信號(hào)加入控制極，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能。可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，...

IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)、變頻器、變頻家電等領(lǐng)域。IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動(dòng)...

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用，在實(shí)際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅(qū)動(dòng)器的作用對(duì)整個(gè)換流系統(tǒng)來(lái)說(shuō)同樣至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)器的選擇及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動(dòng)器功率不足或選擇錯(cuò)誤可能會(huì)直接導(dǎo)致 IGBT ...

一種將交流電能轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟娔艿陌雽?dǎo)體器件。通常它包含一個(gè)PN結(jié)，有正極和負(fù)極兩個(gè)端子。二極管**重要的特性就是單方向?qū)щ娦浴Ｔ陔娐分校娏髦荒軓亩O管的正極流入，負(fù)極流出。整流二極管(rectifier diode)一種用于將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷陌雽?dǎo)體器件。二...

1、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中，如果柵極上的噪聲電壓超過(guò)VGT，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋，則也會(huì)被觸發(fā)導(dǎo)通。應(yīng)用安裝時(shí)，首先要使柵極外的連線盡可能短。當(dāng)連線不能很短時(shí)，可用絞線或屏蔽線來(lái)減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個(gè)...

E 節(jié)能照明：隧道照明，路燈照明，攝影照明，舞臺(tái)燈光F 化學(xué)工業(yè)：蒸餾蒸發(fā)，預(yù)熱系統(tǒng)，管道加熱，石油化工，溫度補(bǔ)償G 其它行業(yè)：鹽浴爐，工頻感應(yīng)爐，淬火爐溫控，熱處理爐溫控，金剛石壓機(jī)加熱，大功率充磁/退磁設(shè)備，航空電源調(diào)壓，中央空調(diào)電加熱器溫控，紡織機(jī)械，水...

IGBT是先進(jìn)的第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動(dòng)汽車、伺服控制器、UPS、開(kāi)關(guān)電源、斬波電源、無(wú)軌電車等。問(wèn)世迄今有十年多歷史，幾乎已替代一切其它功率器件，例SCR、GTO、GTR...

1、高壓晶閘管 2、用于未來(lái)能量轉(zhuǎn)換中的igbt和快速開(kāi)關(guān)二極管 3、采用超級(jí)結(jié)技術(shù)的超高速開(kāi)關(guān)器件 4、應(yīng)用于高功率電源的sic元件功率電子模塊的集成度 半導(dǎo)體模塊之間的差異，不僅*體現(xiàn)在連接技術(shù)方面。另一個(gè)差別因素是附加有源和無(wú)源器件的集成度。根據(jù)...

阻性負(fù)載：模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的2倍。感性負(fù)載：模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的3倍。2、導(dǎo)通角要求模塊在較小導(dǎo)通角時(shí)（即模塊高輸入電壓、低輸出電壓）輸出較大電流，這樣會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。這是因?yàn)樵诜钦也顟B(tài)下用普通儀表測(cè)出的電流值，不是有效值，...

測(cè)量靜態(tài)測(cè)量:把萬(wàn)用表放在乘100檔,測(cè)量黑表筆接1端子、紅表筆接2端子,顯示電阻應(yīng)為無(wú)窮大; 表筆對(duì)調(diào),顯示電阻應(yīng)在400歐左右.用同樣的方法,測(cè)量黑表筆接3端子、紅表筆接1端子, 顯示電阻應(yīng)為無(wú)窮大;表筆對(duì)調(diào),顯示電阻應(yīng)在400歐左右.若符合上述情況表明此...

PNPN四層組成(2)可控硅由關(guān)斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通必須同時(shí)具備兩個(gè)條件:(1〕受正向陽(yáng)極電壓;(2)受正向門極電壓。(3)可控硅導(dǎo)通后，當(dāng)陽(yáng)極電流小干維持電流In時(shí).可控硅關(guān)斷。(4)可控硅的特性主要是:1.陽(yáng)極伏安特性曲線，2.門極伏安特性區(qū)。(5)應(yīng)在額定參數(shù)范圍...

若保持接通A極或T2極時(shí)斷開(kāi)G極，指針立即退回∞位置，則說(shuō)明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞。可按圖2方法進(jìn)一步測(cè)量，對(duì)于單向可控硅，閉合開(kāi)關(guān)K，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開(kāi)K燈仍不息滅，否則說(shuō)明可控硅損壞。對(duì)于雙向可控硅，閉合開(kāi)關(guān)K，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開(kāi)K，燈應(yīng)不息滅。然后將電池反接，...

整流電路常用整流電路為單相半波、單相全波、三相半波、三相全波（Y或△）橋式、三相曲折式（Zo形）、六相Y形（中點(diǎn)接線）、六相叉形（又曲折形）、六相Y形并聯(lián)橋式（帶平衡電抗器）、六相△Y形串聯(lián)橋式、十二相四曲折形帶平衡電抗器、六相Y形或△形式、六相（十二、二十四...

（五）按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。（六）過(guò)零觸發(fā)-一般是調(diào)功，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過(guò)零點(diǎn)觸發(fā)，必須是過(guò)零點(diǎn)才觸發(fā)，導(dǎo)通可控硅。（七）非過(guò)零觸發(fā)-無(wú)論交流電電壓在什么相位的時(shí)候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅，常見(jiàn)的是移相觸...

觸發(fā)電流（I_gt）和觸發(fā)電壓（V_gt）：用于觸發(fā)晶閘管導(dǎo)通的電流和電壓。關(guān)斷時(shí)間（t_q）：晶閘管從完全導(dǎo)通狀態(tài)到完全關(guān)斷狀態(tài)所需的時(shí)間。導(dǎo)通壓降（V_f）：晶閘管在導(dǎo)通狀態(tài)下兩端的電壓降。浪涌電流能力（I_tsm）：晶閘管能夠承受的短時(shí)過(guò)載電流。動(dòng)態(tài)dv...

但是，它除了其中一個(gè)電極G仍叫做控制極外，另外兩個(gè)電極通常卻不再叫做陽(yáng)極和陰極，而統(tǒng)稱為主電極Tl和T2。它的符號(hào)也和普通可控硅不同，是把兩個(gè)可控硅反接在一起畫(huà)成的，如圖2所示。它的型號(hào)，在我國(guó)一般用“3CTS”或“KS”表示；國(guó)外的資料也有用“TRIAC”來(lái)...

保護(hù)裝置整流變壓器微機(jī)保護(hù)裝置是由高集成度、總線不出芯片單片機(jī)、高精度電流電壓互感器、高絕緣強(qiáng)度出口中間繼電器、高可靠開(kāi)關(guān)電源模塊等部件組成。是用于測(cè)量、控制、保護(hù)、通訊為一體化的一種經(jīng)濟(jì)型保護(hù)。整流變壓器微機(jī)保護(hù)裝置的優(yōu)點(diǎn)1、可以滿足庫(kù)存配制有二十幾種保護(hù)，...

4、故障解除：當(dāng)整流器故障時(shí)，發(fā)出燈光報(bào)警信號(hào)并停機(jī)，操作人員應(yīng)在排除故障以后可 合閘，否則將擴(kuò)大故障范圍，造成更大損失，故障排除后，可將 K 主令開(kāi)關(guān)置一下，除去電 笛聲，排除故障后，然后按正常運(yùn)行程序開(kāi)機(jī)。5、起動(dòng)后，直流輸出電壓或電流達(dá)不到額定值則丟脈沖...

可控硅(SCR是可控硅整流器的簡(jiǎn)稱。可控硅有單向、雙向、可關(guān)斷和光控幾種類型。它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長(zhǎng)、控制方便等優(yōu)點(diǎn)，被***用于可控整流、調(diào)壓、逆變以及無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)等各種自動(dòng)控制和大功率的電能轉(zhuǎn)換的場(chǎng)合。單向可控硅是一種可控整流電子元件，能在外部...

2．變壓器設(shè)計(jì)的基本問(wèn)題是什么？變壓器設(shè)計(jì)的基本問(wèn)題是磁通和電流密度。變壓器的電流與容量成正比，電流密度的大小（即導(dǎo)線的粗細(xì)）按照導(dǎo)體的發(fā)熱量來(lái)考慮。對(duì)于磁通，電磁學(xué)的基本關(guān)系式為u=4.44fwΦ，其中u為電壓；f為頻率，在這里為50Hz，定值；w為線圈的匝...

2、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋，對(duì)于1~6A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時(shí)接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開(kāi)G極，指針應(yīng)指示幾十歐至一百歐，此時(shí)可控硅已被觸發(fā)，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流小）。然后瞬時(shí)斷開(kāi)A極再接通，指針應(yīng)退回∞位置，則表明可控硅...

四、直流輸電用這類整流變壓器的電壓一般在110kV以上，容量在數(shù)萬(wàn)千伏安。需特別注意對(duì)地絕緣的交、直流疊加問(wèn)題。 此外還有電鍍用或電加工用直流電源，勵(lì)磁用直流電源，充電用及靜電除塵用直流電源等。應(yīng)用整流變**多的化學(xué)行業(yè)中，大功率整流裝置也是二次電壓低，電流...

三相整流橋是將數(shù)個(gè)整流管封在一個(gè)殼內(nèi)，從而構(gòu)成的一個(gè)完整整流電路。當(dāng)功率進(jìn)一步增加或由于其他原因要求多相整流時(shí)三相整流電路就被提了出來(lái)。三相整流橋分為三相整流全橋和三相整流半橋兩種。選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。對(duì)輸出電壓要求高的整流電路需要裝電容器，對(duì)...