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（2）動穩定程度高：產品繞組有較高的機械強度，具有較強的抗突發能力，以滿足極惡劣的負載環境。在設計、制造過程中較好地消除了變壓器漏磁引起的或非正常運輸可能造成的動不穩定源。產品具有較高的動穩定性。高抗阻，比同容量的電力變壓器的阻抗高30%，以抑制di/dt，有...

晶閘管（Thyristor）是一種半導體器件，廣泛應用于電力電子領域。它的主要功能是控制電流的開關，能夠在高電壓和大電流的條件下穩定工作。晶閘管的基本結構由四層半導體材料（P-N-P-N結構）組成，具有三個PN結。晶閘管的工作原理是，當施加一個觸發信號到其門極...

多脈沖整流是指在一個三相電源系統中，輸出直流電壓在一個周期內多于6個波頭，通常有12、18、24脈沖。多脈沖整流器通常由移相整流變壓器和整流橋兩部分組成。輸入三相電壓通過變壓器移相，產生幾組三相電壓輸出到整流橋。多組三相整流橋相互連接，使得整流橋電路產生的諧波...

廣泛應用于以下領域：直流拖動、軋鋼、電解、電鍍機床、造紙、紡織、勵磁、低壓大電流工業電爐等領域。整流器運行操作流程：1、接通交流電源，控制電源與主開關電源相序同步，將“2SA”按鈕置于啟動位置， “給定” 電位器旋至**小位置。2、合上交流接觸器、運行指示燈亮...

脈沖數越多，整流器的輸入電流及輸出電壓特性越好，但是整流器的系統越復雜。按整流變壓器的類型可以分為傳統的多脈沖變壓整流器和自耦式多脈沖變壓整流器。傳統的多脈沖變壓整流器采用隔離變壓器實現輸入電壓和輸出電壓的隔離，但整流變壓器的等效容量大，體積龐大。自耦變壓整流...

二者比較單向可控硅和雙向可控硅，都是三個電極。單向可控硅有陰極（K）、陽極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相關連，其引出端稱T1極，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為...

當運行點到達控制范圍的**右端，節點電壓進一步升高后將不能由控制系統來補償，因為TCR的電抗器已經處于完全導通狀態，所以運行點將沿著對應電抗器全導通(α=90°)的特性曲線向上移動，此時補償器運行在過負荷范圍，超過此范圍后，觸發控制將設置～個電流極限以防止晶閘...

要使晶閘管從導通狀態轉變回阻斷狀態，需要使陽極電流減小到維持電流以下，或者使陽極電壓變為反向。二、類型與特點類型：單向可控硅：具有單向導電性，常用于直流或單向交流電路的控制。雙向可控硅（TRIAC）：相當于兩個單向可控硅反向連接，具有雙向導通功能，適用于交流電...

若欲使可控硅關斷，也有兩個關斷條件：1） 使正向導通電流值小于其工作維持電流值；2） 使 A、K 之間電壓反向。可見，可控硅器件若用于直流電路，一旦為觸發信號開通，并保持一定幅度的流通電流 的話，則可控硅會一直保持開通狀態。除非將電源開斷一次，才能使其關斷。若...

有些驅動器只有一個輸出端，這就要在原來的Rg 上再并聯一個電阻和二極管的串聯網絡，用以調節2個方向的驅動速度。3、在IGBT的柵射極間接上Rge=10－100K 電阻，防止在未接驅動引線的情況下，偶然加主電高壓，通過米勒電容燒毀IGBT。所以用戶比較好再在IG...

二、晶閘管模塊的應用領域晶閘管模塊的應用范圍較為廣闊，涵蓋了幾乎所有需要電力電子轉換和控制的領域。在電力行業，晶閘管模塊被廣泛應用于高壓直流輸電（HVDC）和柔**流輸電系統（FACTS）中。作為換流閥的關鍵部件，晶閘管模塊能夠實現大功率電能的遠距離傳輸，同時...

(2) 在風機吊裝完后，吊裝變壓器直接就位于基礎上，利用千斤頂進行找平、找正。(3) 按廠家規定的固定方式（螺接或焊接）進行變壓器與基礎之間的連接。(4) 若為分體到貨，在變壓器安裝找正后，進行外殼的安裝。(5) 懸掛標志牌，清掃變壓器箱體內部。(6) 在下一...

移相方法移相方法就是二次側采用星、角聯結的兩個繞組，可以使整流電爐的脈波數提高一倍。10kv干式整流變壓器對于大功率整流設備，需要脈波數也較多，脈波數為18、24、36等應用的日益增多，這就必須在整流變壓器一次側設置移相繞組來進行移相。移相繞組與主繞組聯結方式...

觸發電壓范圍一般為 1.5V-3V 左右，觸發電流為 10mA-幾百 mA 左右。峰值觸發 電壓不宜超過10V，峰值觸發電流也不宜超過 2A。A、K 間導通壓降為 1-2V [1]。雙向可控硅單向可控硅的工作原理圖雙向可控硅具有兩個方向輪流導通、關斷的特性。雙...

4、故障解除：當整流器故障時，發出燈光報警信號并停機，操作人員應在排除故障以后可 合閘，否則將擴大故障范圍，造成更大損失，故障排除后，可將 K 主令開關置一下，除去電 笛聲，排除故障后，然后按正常運行程序開機。5、起動后，直流輸出電壓或電流達不到額定值則丟脈沖...

確定IGBT 的門極電荷對于設計一個驅動器來說，**重要的參數是門極電荷QG(門極電壓差時的IGBT 門極總電荷)，如果在IGBT 數據手冊中能夠找到這個參數，那么我們就可以運用公式計算出：門極驅動能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on)...

建筑與家用電器：在建筑照明系統中，晶閘管模塊通過智能模塊精確控制燈光亮度，可以實現節能環保的效果。同時，在空調、洗衣機、微波爐等家電中，晶閘管模塊用于實現準確的溫控和能耗管理，提高了設備的使用壽命和可靠性。醫療設備：晶閘管模塊用于控制X射線機、CT掃描儀等設備...

一、結構與工作原理結構：晶閘管是由四層半導體材料（P-N-P-N）組成的三端器件，具有三個電極：陽極（A）、陰極（K）和控制極或稱為門極（G）。工作原理：當陽極接正向電壓，而控制極無觸發電壓或觸發電壓不足以使內部的三極管導通時，晶閘管處于阻斷狀態，電流不能流過...

fsw max. : 比較高開關頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門極電壓差時的 IGBT門極總電荷RG extern : IGBT 外部的門極電阻RG intern : IGBT 芯片內部的門極電阻但是實際上在很多情況下，數據手冊中這個門極電荷參數...

實際應用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和。漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。 IGBT的觸發和關斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負向電壓，柵極電壓可由不同的驅動電路產生。當選擇這些驅動電路時，必須基于以下的...

功率半導體模塊就是按一定功能、模式的組合體，功率半導體模塊是大功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一體。功率半導體模塊可根據封裝的元器件的不同實現不同功能，功率半導體模塊配用風冷散熱可作風冷模塊，配用水冷散熱可作水冷模塊等。功率半導體器件以功率金屬氧化物半...

表1 IGBT門極驅動條件與器件特性的關系由于IGBT的開關特性和安全工作區隨著柵極驅動電路的變化而變化，因而驅動電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對其驅動電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當的正向柵壓。并且在...

晶閘管整流器是一種整流器，拖動裝置的直流電源是利用晶閘管整流器的直流電壓向提升電動機供電。這種拖動裝置的直流電源是利用晶閘管整流器的直流電壓向提升電動機供電，所以又稱。電動機的電樞和磁場均可由晶閘管整流器供電，因為該整流器的直流電壓可通過觸發延遲角均勻調節，電...

TCR的響應迅速，典型的響應時間為1．5～3個周期。實際的響應時間是測量延遲、TCR控制器的參數和系統強度的函數。如果對TCR采用電壓控制的正常運行區域就被壓縮到一條特性曲線上。這種特性曲線體現了補償器的硬電壓控制特性，它將系統電壓精確地穩定在電壓設定值%上。...

普通晶閘管是一種半可控大功率半導體器件，出現于70年代。pnpn四層半導體結構，有三個極：陽極、陰極和門極。 晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，它的出現使半導體器件由弱電領域擴展到強電領域。普通晶閘管t在工作過程中，它的陽極a和陰極k與...

在變壓器的設計中，銅和鐵的用量可以均衡考慮。因為一旦變壓器的容量確定了，電流就確定了，導線的粗細也就確定了，增大匝數W，磁通Φ就可以小一些，鐵芯的截面積就可以小一些，但是要把這些匝數繞進去，鐵芯的窗口要大一些；相反，減小匝數W，磁通Φ就要大一些，鐵芯的截面積要...

1、智能功率模塊（ipms） 智能功率模塊的特點在于除了功率半導體器件外，還有驅動電路。許多ipm模塊也配備了溫度傳感器和電流平衡電路或用于電流測量的分流電阻。通常智能功率模塊也集成了額外保護和監測功能，如過電流和短路保護，驅動器電源電壓控制和直流母線電壓測...

電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。電壓測方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。首先，可以把從陰極向上數的***、二、三層...

TCR觸發角α的可控范圍是90°～180°。當觸發角為90°時，晶閘管全導通，此時TCR中的電流為連續的正弦波形。當觸發角從90°變到接近180°時，TCR中的電流呈非連續脈沖形，對稱分布于正半波和負半波。當觸發角為180°時，電流減小到0，當觸發角低于90°...

（3）器身：器身絕緣墊塊均采用**度的層壓木和層壓紙板支撐，使繞組的端部的支撐面積達到95%以上，進一步提高了產品抗短路能力，提高產品的運行可靠性。器身與箱蓋的連接采用了呆板帶緩沖結構，克服了器身“懸空”和“頂蓋”現象。絕緣材料均采用**度、高密度電纜紙包繞，...