光刻系統SUSS是一種應用于半導體制造領域的工藝試驗儀器，其比較大基片尺寸為6英寸，可實現0.5μm的分辨率和1μm的**小線寬 [1]。該系統通過精密光學曝光技術完成微電子器件的圖形轉移，為集成電路研發和生產提供關鍵工藝支持。比較大基片處理能力：支持直徑6英寸的基片加工（截至2021年1月） [1]圖形分辨率：系統的光學成像系統可實現0.5μm的分辨率 [1]線寬控制：在標準工藝條件下能夠穩定實現1μm的**小線寬加工 [1]該系統采用接觸式/接近式曝光原理，通過紫外光源實現掩模圖形向基片光刻膠的精確轉移。其精密對準機構可保證多次曝光時的套刻精度，適用于半導體器件研發階段的工藝驗證和小批量試制。方法：a、氣相成底膜的熱板涂底。HMDS蒸氣淀積，200～250C,30秒鐘；吳中區直銷光刻系統規格尺寸

掃描投影曝光（Scanning Project Printing）。70年代末～80年代初，〉1μm工藝；掩膜板1：1，全尺寸；步進重復投影曝光（Stepping-repeating Project Printing或稱作Stepper）。80年代末～90年代，0.35μm（I line）～0.25μm（DUV）。掩膜板縮小比例（4：1），曝光區域（Exposure Field）22×22mm（一次曝光所能覆蓋的區域）。增加了棱鏡系統的制作難度。01:13步進掃描光刻機 芯片工程師教程掃描步進投影曝光（Scanning-Stepping Project Printing）。90年代末～至今，用于≤0.18μm工藝。采用6英寸的掩膜板按照4：1的比例曝光，曝光區域（Exposure Field）26×33mm。優點：增大了每次曝光的視場；提供硅片表面不平整的補償；提高整個硅片的尺寸均勻性。但是，同時因為需要反向運動，增加了機械系統的精度要求。南通省電光刻系統批量定制表現為圖形的關鍵尺寸超出要求的范圍。

e、光刻膠厚度控片（PhotoResist Thickness MC）：光刻膠厚度測量；f、光刻缺陷控片（PDM，Photo Defect Monitor）：光刻膠缺陷監控。舉例：0.18μm的CMOS掃描步進光刻工藝。光源：KrF氟化氪DUV光源（248nm）；數值孔徑NA：0.6～0.7；焦深DOF：0.7μm；分辨率Resolution：0.18～0.25μm（一般采用了偏軸照明OAI_Off-Axis Illumination和相移掩膜板技術PSM_Phase Shift Mask增強）；套刻精度Overlay：65nm；產能Throughput：30～60wafers/hour（200mm）；視場尺寸Field Size：25×32mm；

電子束光刻基本上分兩大類，一類是大生產光掩模版制造的電子束曝光系統，另一類是直接在基片上直寫納米級圖形的電子束光刻系統。電子束光刻技術起源于掃描電鏡，**早由德意志聯邦共和國杜平根大學的G．Mollenstedt等人在20世紀60年代提出。電子束曝光的波長取決于電子能量，電子能量越高，曝光的波長越短，大 體在10－6nm量級上，因而電子束光刻不受衍射極限的影響，所以電子束光刻可獲得接近于原子尺寸的分辨率。但是，由于電子束入射到抗蝕劑及基片上時，電子會與固體材料的原子發生“碰撞”產生電子散射現象，包括前散射和背散射電子，這些散射電子同樣也參與“曝光”，前散射電子波及范圍可在幾十納米，從基片上返回抗蝕劑中背散射電子可波及到幾十微米之遠。但是同時引入了衍射效應，降低了分辨率。1970后適用，但是其最大分辨率為2～4μm。

浸沒式光刻機是通過在物鏡與晶圓之間注入超純水，等效縮短光源波長并提升數值孔徑，從而實現更高分辨率的半導體制造**設備。2024年9月工信部文件顯示，國產氟化氬浸沒式光刻機套刻精度已達到≤8nm水平。該技術研發涉及浸液系統、光學控制等多項復雜工藝，林本堅團隊在浸液系統領域取得關鍵突破。目前國產ArF光刻機在成熟制程（如28nm）上有應用潛力，但與ASML同類產品仍存在代差 [1]。通過浸液系統在物鏡和晶圓之間填充超純水，將193nm的氟化氬激光等效縮短為134nm波長，同時將數值孔徑提升至1.35以上，***增強光刻分辨率 [1]。該技術相比干式光刻機，可突破物理衍射極限。顆粒控片（Particle MC）：用于芯片上微小顆粒的監控，使用前其顆粒數應小于10顆；吳中區直銷光刻系統規格尺寸

當前先進的EUV光刻系統已實現2nm制程芯片量，應用于微納器件加工、芯片制造等領域。吳中區直銷光刻系統規格尺寸

世界三 大光刻機 生產商ASML，Nikon和Cannon的*** 代 浸 沒 式 光 刻 機 樣 機 都 是 在 原 有193nm干式光刻機的基礎上改進研制而成，**降低了研發成本和風險。因為浸沒式光刻系統的原理清晰而且配合現有的光刻技術變動不大，目前193nm ArF準分子激光光刻技術在65nm以下節點半導體量產中已經廣泛應用；ArF浸沒式光刻 技 術 在45nm節 點 上 是 大 生 產 的 主 流 技 術。為把193i技術進一步推進到32和22nm的技術節點上，光刻**一直在尋找新的技術，在沒有更好的新光刻技術出現前，兩次曝光技術（或者叫兩次成型技術，DPT）成為人們關 注 的 熱 點。ArF浸沒式兩次曝光技術已被業界認為是32nm節點相當有競爭力的技術；在更低的22nm節點甚至16nm節點技術中，浸沒式 光刻技術也 具 有相當大 的優勢。吳中區直銷光刻系統規格尺寸

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