主要流程光復印工藝的主要流程如圖2：曝光方式常用的曝光方式分類如下：接觸式曝光和非接觸式曝光的區別，在于曝光時掩模與晶片間相對關系是貼緊還是分開。接觸式曝光具有分辨率高、復印面積大、復印精度好、曝光設備簡單、操作方便和生產效率高等特點。但容易損傷和沾污掩模版和晶片上的感光膠涂層,影響成品率和掩模版壽命,對準精度的提高也受到較多的限制。一般認為，接觸式曝光只適于分立元件和中、小規模集成電路的生產。非接觸式曝光主要指投影曝光。在投影曝光系統中，掩膜圖形經光學系統成像在感光層上，掩模與晶片上的感光膠層不接觸,不會引起損傷和沾污,成品率較高，對準精度也高，能滿足高集成度器件和電路生產的要求。但投影曝光設備復雜，技術難度高，因而不適于低檔產品的生產。現代應用**廣的是 1:1倍的全反射掃描曝光系統和x:1倍的在硅片上直接分步重復曝光系統。 [2]b、除去水蒸氣，使基底表面由親水性變為憎水性，增強表面的黏附性六甲基二硅胺烷）。吳中區比較好的光刻系統選擇

極紫外光刻系統是采用13.5納米波長極紫外光源的半導體制造**設備，可將芯片制程推進至7納米、5納米及更先進節點。該系統由荷蘭阿斯麥公司于2019年推出第五代產品，突破光學衍射極限，將摩爾定律物理極限推向新高度。2021年12月14日，中國工程院***發布的"2021全球**工程成就"將其列為近五年全球工程科技重大成果，評選標準包括**技術突破、系統集成創新及產業帶動效益三項維度 [1-7]。采用13.5納米波長的極紫外光源，突破傳統深紫外光刻193納米波長限制，通過多層鍍膜反射式光學系統實現更高精度曝光。該技術使芯片制程工藝節點從10納米推進至7納米、5納米及3納米水平，相較前代技術晶體管密度提升3倍以上 [5] [7]。太倉本地光刻系統按需定制連續噴霧顯影（Continuous Spray Development）/自動旋轉顯影（Auto-rotation Development）。

目 前EUV技 術 采 用 的 曝 光 波 長 為13．5nm，由于其具有如此短的波長，所有光刻中不需要再使用光學鄰近效應校正（OPC）技術，因而它可以把光刻技術擴展到32nm以下技術節點。2009年9月Intel*** 次 向 世 人 展 示 了22 nm工藝晶圓，稱繼續使用193nm浸沒式光刻技術，并規 劃 與EUV及EBL曝 光 技 術 相 配 合，使193nm浸沒式光刻技術延伸到15和11nm工藝節點。 [1]電子束光刻技術是利用電子槍所產生的電子束，通過電子光柱的各極電磁透鏡聚焦、對中、各種象差的校正、電子束斑調整、電子束流調整、電子束曝光對準標記檢測、電子束偏轉校正、電子掃描場畸變校正等一系列調整，***通過掃描透鏡根據電子束曝光程序的安排，在涂布有電子抗蝕劑（光刻膠）的基片表面上掃描寫出所需要的圖形。

所有實際電子束曝光、顯影后圖形的邊緣要往外擴展，這就是所謂的“電子束鄰近效應。同時，半導體基片上如果有絕緣的介質膜，電子通過它時也會產生一定量的電荷積累，這些積累的電荷同樣會排斥后續曝光的電子，產生偏移，而不導電的絕緣體（如玻璃片）肯定不能采用電子束曝光。還有空間交變磁場、實驗室溫度變化等都會引起電子束曝光產生“漂移”現象。因此，即使擁有2nm電子束斑的曝 光 系統，要曝光出50nm以下的圖形結構也不容易。麻省理工學院（MIT）已經采用的電子束光刻技術分辨率將推進到9nm。電子束直寫光刻可以不需要另外層間對準，即套刻精度（Overlay），保證圖形與硅片上已經存在的圖形之間的對準。

2019年荷蘭阿斯麥公司推出新一代極紫外光刻系統，**了當今**的第五代光刻系統，可望將摩爾定律物理極限推向新的高度 [5]。中國工程院《Engineering》期刊于2021年組建跨學科評選委員會，通過全球**提名、公眾問卷等多階段評審，選定近五年內完成且具有全球影響力的**工程成就。極紫外光刻系統憑借三大**指標入選：原創性突破：開發新型等離子體光源與反射式光學系統系統創新：整合超精密機械、真空環境控制與實時檢測技術產業效益：支撐全球90%以上**芯片制造需求 [1] [3-4] [7]。關鍵尺寸控片（Critical Dimension MC）：用于光刻區關鍵尺寸穩定性的監控；蘇州本地光刻系統批量定制

影響光刻膠均勻性的參數：旋轉加速度，加速越快越均勻；與旋轉加速的時間點有關。吳中區比較好的光刻系統選擇

世界三 大光刻機 生產商ASML，Nikon和Cannon的*** 代 浸 沒 式 光 刻 機 樣 機 都 是 在 原 有193nm干式光刻機的基礎上改進研制而成，**降低了研發成本和風險。因為浸沒式光刻系統的原理清晰而且配合現有的光刻技術變動不大，目前193nm ArF準分子激光光刻技術在65nm以下節點半導體量產中已經廣泛應用；ArF浸沒式光刻 技 術 在45nm節 點 上 是 大 生 產 的 主 流 技 術。為把193i技術進一步推進到32和22nm的技術節點上，光刻**一直在尋找新的技術，在沒有更好的新光刻技術出現前，兩次曝光技術（或者叫兩次成型技術，DPT）成為人們關 注 的 熱 點。ArF浸沒式兩次曝光技術已被業界認為是32nm節點相當有競爭力的技術；在更低的22nm節點甚至16nm節點技術中，浸沒式 光刻技術也 具 有相當大 的優勢。吳中區比較好的光刻系統選擇

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