光束誘導(dǎo)電阻變化（OBIRCH）功能與微光顯微鏡（EMMI）技術(shù)常被集成于同一檢測系統(tǒng)，合稱為光發(fā)射顯微鏡（PEM，PhotoEmissionMicroscope）。二者在原理與應(yīng)用上形成巧妙互補(bǔ)，能夠協(xié)同應(yīng)對集成電路中絕大多數(shù)失效模式，大幅提升失效分析的全面性與效率。OBIRCH技術(shù)的獨(dú)特優(yōu)勢在于，即便失效點(diǎn)被金屬層覆蓋形成“熱點(diǎn)”，其仍能通過光束照射引發(fā)的電阻變化特性實(shí)現(xiàn)精細(xì)檢測一一這恰好彌補(bǔ)了EMMI在金屬遮擋區(qū)域光信號捕捉受限的不足。鎖相熱成像系統(tǒng)讓電激勵檢測數(shù)據(jù)更可靠。制冷鎖相紅外熱成像系統(tǒng)用途

鎖相熱成像系統(tǒng)與電激勵結(jié)合，為電子產(chǎn)業(yè)的傳感器芯片檢測提供了可靠保障，確保傳感器芯片能夠滿足各領(lǐng)域?qū)Ω呔�度檢測的需求。傳感器芯片是獲取外界信息的關(guān)鍵部件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動化、醫(yī)療診斷、環(huán)境監(jiān)測等領(lǐng)域，其精度和可靠性至關(guān)重要。傳感器芯片內(nèi)部的敏感元件、信號處理電路等若存在缺陷，如敏感元件的零點(diǎn)漂移、電路的噪聲過大等，會嚴(yán)重影響傳感器的檢測精度。通過對傳感器芯片施加電激勵，使其處于工作狀態(tài)，系統(tǒng)能夠檢測芯片表面的溫度變化，發(fā)現(xiàn)敏感區(qū)域的缺陷。例如，在檢測紅外溫度傳感器芯片時，系統(tǒng)可以發(fā)現(xiàn)因敏感元件材料不均導(dǎo)致的溫度檢測偏差；在檢測壓力傳感器芯片時，能夠識別出因應(yīng)變片粘貼不良導(dǎo)致的信號失真。通過篩選出無缺陷的傳感器芯片，提升了電子產(chǎn)業(yè)傳感器產(chǎn)品的質(zhì)量，滿足了各領(lǐng)域?qū)�傳感器的高精度需求。致晟光電鎖相紅外熱成像系統(tǒng)設(shè)備鎖相熱成像系統(tǒng)讓電激勵下的缺陷無所遁形。

鎖相熱成像系統(tǒng)在鋰電池檢測領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。隨著新能源汽車的快速發(fā)展，鋰電池的安全性和可靠性越來越受到關(guān)注。鋰電池內(nèi)部的隔膜破損、極片錯位等缺陷，可能會導(dǎo)致電池短路、熱失控等嚴(yán)重問題。鎖相熱成像系統(tǒng)可以通過對鋰電池施加周期性的充放電激勵，使電池內(nèi)部的缺陷區(qū)域產(chǎn)生異常的溫度變化。系統(tǒng)能夠捕捉到這些細(xì)微的溫度變化，并通過鎖相技術(shù)將其從復(fù)雜的背景信號中提取出來，從而定位缺陷的位置。這種檢測方式不僅能夠快速檢測出鋰電池的內(nèi)部缺陷，還能對電池的性能進(jìn)行評估，為鋰電池的生產(chǎn)質(zhì)量控制和使用安全提供了有力的技術(shù)保障。

致晟光電熱紅外顯微鏡采用高性能InSb（銦銻）探測器，用于中波紅外波段（3–5 μm）的熱輻射信號捕捉。InSb材料具有優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換效率和極低的本征噪聲，在制冷條件下可實(shí)現(xiàn)高達(dá)nW級的熱靈敏度和優(yōu)于20mK的溫度分辨率，適用于高精度、非接觸式熱成像分析。該探測器在熱紅外顯微系統(tǒng)中的應(yīng)用，提升了空間分辨率（可達(dá)微米量級）與溫度響應(yīng)線性度，使其能夠?qū)Π雽?dǎo)體器件、微電子系統(tǒng)中的局部發(fā)熱缺陷、熱點(diǎn)遷移和瞬態(tài)熱行為進(jìn)行精細(xì)刻畫。配合致晟光電自主開發(fā)的高數(shù)值孔徑光學(xué)系統(tǒng)與穩(wěn)態(tài)熱控平臺，InSb探測器可在多物理場耦合背景下實(shí)現(xiàn)高時空分辨的熱場成像，是先進(jìn)電子器件失效分析、電熱耦合行為研究及材料熱特性評價中的關(guān)鍵。利用周期性調(diào)制的熱激勵源對待測物體加熱，物體內(nèi)部缺陷會導(dǎo)致表面溫度分布產(chǎn)生周期性變化。

在半導(dǎo)體行業(yè)飛速發(fā)展的現(xiàn)在，芯片集成度不斷提升，器件結(jié)構(gòu)日益復(fù)雜，失效分析的難度也隨之大幅增加。傳統(tǒng)檢測設(shè)備往往難以兼顧微觀觀測與微弱信號捕捉，導(dǎo)致許多隱性缺陷成為 “漏網(wǎng)之魚”。蘇州致晟光電科技有限公司憑借自主研發(fā)實(shí)力，將熱紅外顯微鏡與鎖相紅外熱成像系統(tǒng)創(chuàng)造性地集成一體，推出 Thermal EMMI P 熱紅外顯微鏡系列檢測設(shè)備（搭載自主研發(fā)的 RTTLIT （實(shí)時瞬態(tài)鎖相紅外系統(tǒng)），為半導(dǎo)體的失效分析提供了全新的技術(shù)范式。

本系統(tǒng)對鎖相處理后的振幅和相位數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，生成振幅熱圖和相位熱圖，并通過算法定位異常區(qū)域。非破壞性分析鎖相紅外熱成像系統(tǒng)emmi

電激勵頻率可調(diào)，適配鎖相熱成像系統(tǒng)多場景檢測。制冷鎖相紅外熱成像系統(tǒng)用途

在實(shí)際應(yīng)用中，這款設(shè)備已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的 “故障診斷利器”。在晶圓制造環(huán)節(jié)，它能通過熱分布成像識別光刻缺陷導(dǎo)致的局部漏電；在芯片封裝階段，可定位引線鍵合不良引發(fā)的接觸電阻過熱；針對 IGBT 等功率器件，能捕捉高頻開關(guān)下的瞬態(tài)熱行為，提前預(yù)警潛在失效風(fēng)險。某半導(dǎo)體企業(yè)在檢測一批失效芯片時，傳統(tǒng)熱成像設(shè)備能看到模糊的發(fā)熱區(qū)域，而使用致晟光電的一體化設(shè)備后，通過鎖相技術(shù)發(fā)現(xiàn)發(fā)熱區(qū)域內(nèi)存在一個 2μm 的微小熱點(diǎn)，終定位為芯片內(nèi)部的金屬離子遷移缺陷 一一 這類缺陷若未及時發(fā)現(xiàn)，可能導(dǎo)致產(chǎn)品在長期使用中突然失效。制冷鎖相紅外熱成像系統(tǒng)用途