失效背景調查就像是為芯片失效分析開啟 “導航系統”,能幫助分析人員快速了解芯片的基本情況,為后續工作奠定基礎。收集芯片型號是首要任務,不同型號的芯片在結構、功能和特性上存在差異,這是開展分析的基礎信息。同時,了解芯片的應用場景也不可或缺,是用于消費電子、工業控制還是航空航天等領域,不同的應用場景對芯片的性能要求不同,失效原因也可能大相徑庭。
失效模式的收集同樣關鍵,短路、漏電、功能異常等不同的失效模式,指向的潛在問題各不相同。比如短路可能是由于內部線路故障,而漏電則可能與芯片的絕緣性能有關。失效比例的統計也有重要意義,如果同一批次芯片失效比例較高,可能暗示著設計缺陷或制程問題;如果只是個別芯片失效,那么應用不當的可能性相對較大。 配備的自動對焦系統,能快速鎖定檢測區域,減少人工操作時間,提高檢測效率。半導體失效分析微光顯微鏡備件
微光顯微鏡技術特性差異
探測靈敏度方向:EMMI 追求對微弱光子的高靈敏度(可檢測單光子級別信號),需配合暗場環境減少干擾;熱紅外顯微鏡則強調溫度分辨率(部分設備可達 0.01℃),需抑制環境熱噪聲。
空間分辨率:EMMI 的分辨率受光學系統和光子波長限制,通常在微米級;熱紅外顯微鏡的分辨率與紅外波長、鏡頭數值孔徑相關,一般略低于 EMMI,但更注重大面積熱分布的快速成像。
樣品處理要求:EMMI 對部分遮蔽性失效(如金屬下方漏電)需采用背面觀測模式,可能需要減薄、拋光樣品;
處理要求:熱紅外顯微鏡可透過封裝材料(如陶瓷、塑料)探測,對樣品破壞性較小,更適合非侵入式初步篩查。 半導體失效分析微光顯微鏡備件微光顯微鏡的便攜款桌面級設計,方便在生產線現場快速檢測,及時發現產品問題,減少不合格品流出。
在半導體芯片的精密檢測領域,微光顯微鏡與熱紅外顯微鏡如同兩把功能各異的 “利劍”,各自憑借獨特的技術原理與應用優勢,在芯片質量管控與失效分析中發揮著不可替代的作用。二者雖同服務于芯片檢測,但在邏輯與適用場景上的差異,使其成為互補而非替代的檢測組合。從技術原理來看,兩者的 “探測語言” 截然不同。
微光顯微鏡是 “光子的捕捉者”,其重心在于高靈敏度的光子傳感器,能夠捕捉芯片內部因電性能異常釋放的微弱光信號 一一 這些信號可能來自 PN 結漏電時的電子躍遷,或是柵氧擊穿瞬間的能量釋放,波長多集中在可見光至近紅外范圍。
微光顯微鏡無法檢測不產生光子的失效(如歐姆接觸、金屬短路),且易受強光環境干擾;熱紅外顯微鏡則難以識別無明顯溫度變化的失效(如輕微漏電但功耗極低的缺陷),且溫度信號可能受環境熱傳導影響。
實際分析中,二者常結合使用,通過 “光 - 熱” 信號交叉驗證,提升失效定位的準確性。致晟光電在技術創新的征程中,實現了一項突破性成果 一一 將熱紅外顯微鏡與微光顯微鏡集可以集成于一臺設備,只需一次采購,便可以節省了重復的硬件投入。 微光顯微鏡搭配高分辨率鏡頭,可將微小缺陷放大至清晰可見,讓檢測更易觀察分析,提升檢測的準確度。
致晟光電在推動產學研一體化進程中,積極開展校企合作。公司依托南京理工大學光電技術學院,專注開發基于微弱光電信號分析的產品及應用。雙方聯合攻克技術難題,不斷優化實時瞬態鎖相紅外熱分析系統(RTTLIT),使該系統溫度靈敏度可達0.0001℃,功率檢測限低至1uW,部分功能及參數優于進口設備。此外,致晟光電還與其他高校建立合作關系,搭建起學業-就業貫通式人才孵化平臺。為學生提供涵蓋研發設計、生產實踐、項目管理全鏈條的育人平臺,輸送了大量實踐能力強的專業人才,為企業持續創新注入活力。通過建立科研成果產業孵化綠色通道,高校的前沿科研成果得以快速轉化為實際生產力,實現了高校科研資源與企業市場轉化能力的優勢互補。當金屬層遮擋導致 OBIRCH 等無法偵測故障時,微光顯微鏡可進行補充檢測。廠家微光顯微鏡大概價格多少
氧化層漏電及多晶硅晶須引發電流異常時,會產生光子,使微光顯微鏡下出現亮點。半導體失效分析微光顯微鏡備件
在微光顯微鏡(EMMI) 操作過程中,當對樣品施加合適的電壓時,其失效點會由于載流子加速散射或電子-空穴對復合效應而發射特定波長的光子。這些光子經過采集和圖像處理后,可以形成一張信號圖。隨后,取消施加在樣品上的電壓,在未供電的狀態下采集一張背景圖。再通過將信號圖與背景圖進行疊加處理,就可以精確地定位發光點的位置,實現對失效點的精確定位。進一步地,為了提升定位的準確性,可采用多種圖像處理技術進行優化。例如,通過濾波算法去除背景噪聲,增強信號圖的信噪比;利用邊緣檢測技術,突出顯示發光點的邊緣特征,從而提高定位精度。半導體失效分析微光顯微鏡備件