碳化硅下游應用場景眾多，包括新能源車、充電樁、光伏、儲能、軌道交通、智能電網、航空航天等，而下游的需求放量情況會影響碳化硅的市場規模體量，比如新能源車的產銷量、充電樁的配套數量、光伏的裝機量等。雖然碳化硅襯底和器件工藝逐漸成熟，價格有所下降，但碳化硅功率器件價格仍遠高于硅基器件。下游應用領域需平衡碳化硅器件高價格與性能優勢帶來的綜合成本，短期內將限制碳化硅器件在功率器件領域的滲透率，大規模應用仍存挑戰。若下游存在放量不及預期的情況，將對上游碳化硅企業研發、生產造成不利影響。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯動，串聯相關產業鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業同臺競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿交流平臺。展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產業鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等產品、服務和整體解決方案。誠邀您蒞臨參觀！聚焦行業發展前沿，探索業界先進技術，“中國?國際先進陶瓷展覽會”：2025年3月10-12日上海世博展覽館！2025年3月10日中國上海市先進陶瓷技術論壇

“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！陶瓷基板產品問世，開啟散熱應用行業的發展，由于陶瓷基板散熱特色，加上陶瓷基板具有高散熱、低熱阻、壽命長、耐電壓等優點，隨著生產技術、設備的改良，產品價格加速合理化，進而擴大LED產業的應用領域，如家電產品的指示燈、汽車車燈、路燈及戶外大型看板等。陶瓷基板的開發成功，更將成為室內照明和戶外亮化產品提供服務，使LED產業未來的市場領域更寬廣。誠邀您蒞臨參觀！2025年3月10至12日中國上海國際先進陶瓷技術高峰論壇先進陶瓷行業精英齊聚上海、交流合作、共謀發展，中國?國際先進陶瓷展，3月10日我們共同見證盛會開幕！

將氧氯化鋯、硝酸釔、硝酸鋁按比例配置成溶液，氨水為沉淀劑，采用共沉淀法制備出釔穩定氧化鋯粉體，加入一定比例的PVA，水為介質，濕法球磨，烘干、造粒，得到可成型的釔穩定氧化鋯粉(Y-ZrO2)。在8.3MPa壓力下干壓，然后在不同壓力下冷等靜壓成型，將制得的生坯在不同溫度下燒結，并保溫不同時間，研究等靜壓壓力、燒結溫度、保溫時間對陶瓷密度、抗彎強度、硬度和斷裂韌性的影響。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯動孕育無限發展商機IACE CHINA 2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應用技術展覽會（AM CHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會（POWDEX CHINA）同期同地舉辦。五展聯動，串聯相關產業鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業同臺競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿交流平臺。本屆展會（2025年）展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。 誠邀您蒞臨參觀！

PVT法通過感應加熱碳化硅粉料，在密閉生長腔室內高溫低壓下使其升華產生反應氣體，通過固—氣反應產生碳化硅單晶反應源，在生長腔室頂部設置碳化硅籽晶，氣相組分在籽晶表面原子沉積，生長為碳化硅單晶。HT-CVD法在2000-2500℃下，使用高純度氣體在高溫區形成碳化硅氣態前驅物，帶入低溫區沉積形成碳化硅晶體。LPE法基于“溶解—析出”原理，通過碳在1400℃至1800℃高溫純硅溶液中的溶解和從過飽和溶液中析出碳化硅晶體來實現生長，需助熔劑提高碳溶解度。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產業鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等一應俱全的產品、服務和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！云集中外杰出供應商的中國?國際先進陶瓷展覽會！2025年3月10-12日，新之聯伊麗斯誠邀您相聚上海！

碳化硅外延制作方法包括化學氣相沉積法（CVD）、分子束外延法（MBE）、液相外延法（LPE）、脈沖激光淀積和升華法（PLD）等。其中CVD法較為普及，該方法能精確控制生長條件，包括氣體源流量、溫度和壓力，從而精確控制外延層的厚度、摻雜濃度和類型，重復性良好，設備適中，為目前主流技術。液相外延法和分子束外延法雖理論上可行，但外延制作的質量、效率和成本均不如CVD法，不適合商業化應用。碳化硅外延設備的密閉性、氣壓、氣體通入時間、配比和沉積溫度均需精確控制。器件耐壓提升，厚度和摻雜濃度均勻性的控制難度增加；外延層厚度增加，控制均勻性和缺陷密度的難度增加。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產業鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等產品、服務和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！先進制造業新發展格局“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會：2025年3月10-12日上海世博展覽館！2025年3月10日至12日中國上海市先進陶瓷與粉末冶金展覽會

靠技術騰飛，借展會布局，云集中外品牌的“中國?國際先進陶瓷展覽會：2025年3月10-12日我們上海見！2025年3月10日中國上海市先進陶瓷技術論壇

在半導體制造領域，增大晶片尺寸是提高半導體產品競爭力的關鍵途徑。對于同一規格的芯片，隨著晶圓尺寸增加，邊緣管芯（Die）數量占比縮小，晶圓利用率大幅增加。按晶圓面積測算，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積是6英寸晶圓面積的1.8倍，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積則是4英寸晶圓面積的近4.3倍。根據Wolfspeed測算，一片8英寸碳化硅晶片可以產出845顆32mm2的芯片，是6英寸碳化硅外延晶片產出的近2倍；邊緣管芯占比下降到7%，大幅度提高晶圓利用率，將進一步降低碳化硅芯片單位成本。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產業鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等一應俱全的產品、服務和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！2025年3月10日中國上海市先進陶瓷技術論壇