深圳市盟科電子科技有限公司2025-07-22

可控硅容易損壞的原因主要有以下幾方面。首先是過電壓，包括操作過電壓和浪涌過電壓，比如電路開關操作時產生的瞬態電壓、雷擊引入的浪涌電壓等，超過可控硅的反向耐壓或正向轉折電壓時，會導致擊穿損壞。其次是過電流，當電路中的電流超過可控硅的額定電流且未及時切斷時，會使芯片溫度急劇升高，造成 PN 結燒毀。再者，散熱不良也是重要原因，可控硅導通時會產生功耗，若散熱裝置設計不合理，如散熱器面積過小、風扇故障等，會導致結溫過高，縮短壽命甚至損壞。另外，觸發電路異常也可能導致損壞，比如觸發電壓過高、觸發脈沖過寬或過窄，會使可控硅誤導通或無法正常導通，引發電路故障。還有，可控硅的反向恢復時間不匹配電路要求，在高頻電路中可能因反向電流過大而損壞，以及長期使用后性能老化、參數漂移，也會增加損壞的概率。?

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