限流作用的強弱調節使靜止的。無接觸的。非機械式的，這就為微電子技術打開了大門。所以，在工作原理上磁控軟起動和晶閘管軟起動是完全相同的。說磁飽和軟起動能實現軟停止，能夠具有晶閘管軟起動所具有的幾乎全部功能，其原因概出于此。高壓磁飽和電抗器在原理和結構上與低壓（380V）磁飽和電抗器沒有本質的區別，只是在某些方面需要采取一些特殊的處理罷了。磁飽和電抗器具有，這使磁控軟起動的快速性比晶閘管慢一個數量級。對于電動機系統的大慣性來說，磁控軟起動的慣性是不足為慮的。有人說磁控軟起動不產生高次諧波，這是錯誤的。只要飽和。就一定會有非線性，就一定會引起高次諧波，只是磁飽和電抗器產生的高次諧波會比工作于斬波狀態的晶閘管要小一些。磁控軟起動裝置需要有相對較大功率的輔助電源，噪聲較大則是其不足之處。三、晶閘管軟起動晶閘管軟起動產品的問世是當今電力電子器件長足進步的結果。在很多年以前電氣工程界就有人指出，晶閘管軟起動將引發軟起動行業的一場革命。晶閘管軟啟動器主要性能優于液阻軟起動。與液阻軟起動相比，它體積小，結構緊湊，維護量小，功能齊全，菜單豐富，起動重復性好，保護周全，這些都是液阻軟起動難以望其項背的。正高電氣公司可靠的質量保證體系和經營管理體系，使產品質量日趨穩定。MTAC220晶閘管智能模塊哪家好

 某加熱爐控制柜，需要控制額定電壓為380V，比較大工作電流為150A的加熱爐，應使用什么規格型號的模塊？

《使用說明書》中的選型計算公式：I>K×I負載×U比較大/U實際

K：安全系數，阻性負載K=1點5，感性負載K=2

I負載：負載流過的比較大電流

U比較大：負載上的最小電壓

U實際：模塊能輸出的比較大電壓（三相整流模塊為輸入電壓的1點35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0點9倍，其余規格均為1點0倍）

I：需要選擇模塊的最小電流，模塊標稱的電流必須大于該值。 聊城MTAC150晶閘管智能模塊配件正高電氣具有一支經驗豐富、技術力量過硬的專業技術人才管理團隊。

晶閘管模塊常用的保護措施

① 過電流保護

過流保護一般都推薦外接快速熔斷器的方法，可將快速熔斷器串聯于模塊的交流輸入端即可，三相模塊三只，單相模塊一只。熔斷器額定電壓要大于電路工作電壓，額定電流一般取負載電流的百分之七十到八十。但快速熔斷器對于短路引起的過流保護效果很好，對于一般性的過流并不能起到很好的保護效果，因為兩倍于快速熔斷器額定值的電流在幾秒內才能熔斷。如果要取得較好的保護效果，除采用快速熔斷器外可采用帶過流保護功能的模塊或具有過流保護功能的控制板。

②過電壓保護

模塊的過壓保護，推薦使用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式。

阻容吸收回路能有效晶閘管由導通到截止時產生的過電壓，有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收并聯在模塊每一只晶閘管芯片上即可，反并聯芯片可共用一組。

晶閘管智能模塊導通角與模塊輸出電流的關系

晶閘管模塊的導通角與模塊能輸出的較大電流有直接關系，模塊的標稱電流是較大導通角時能輸出的較大電流。在小導通角（輸出電壓與輸入電壓比值很小）下輸出的電流峰值很大，但電流的有效值很小（直流儀表一般顯示平均值，交流儀表顯示非正弦電流時比實際值小），但是輸出電流的有效值很大，半導體器件的發熱與有效值的平方成正比，會使模塊嚴重發熱甚至燒毀。因此，模塊應選擇在極較大導通角的65％以上工作，及控制電壓應在5V以上。 正高電氣產品暢銷國內。

晶閘管智能模塊的應用領域

晶閘管智能模塊普遍應用于溫度控制、調光、勵磁、電鍍、電解、充放電、焊機、等離子弧焊、逆變電源等領域，如工業、通訊、等電氣控制、電源等。根據模塊的控制端口，可以與多功能控制板連接，實現穩流、穩壓、軟啟動等功能，可實現過熱、缺乏等保護功能。

晶閘管智能模塊的控制方式

該輸入模塊控制該接口的可調節電壓或電流信號，該模塊的輸出電壓可通過調整該信號的大小來平穩地調節，以實現將該模塊的輸出電壓從0V切換到任意一個或全部的過程。

電壓或電流信號可從各種控制儀表和計算機D/A輸出中獲取，電位器可直接與直流電源分開，控制信號采用3種常用的控制形式：0-5V、0-10V、4-20mA。

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    構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管圖2當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導銅，必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。圖2中每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基極電流。因此，兩個互相復合的晶體管電路，當有足夠的門機電流Ig流入時，就會形成強烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導通，晶體管飽和導通。設PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2；發射極電流相應為Ia和Ik；電流放大系數相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設流過J2結的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽極電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相應的電流放大系數a1和a2隨其發射極電流的改變而急劇變化如圖3所示。當晶閘管承受正向陽極電壓，而門極未受電壓的情況下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘關處于正向阻斷狀態。當晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經NPN管的發射結，從而提高起點流放大系數a2,產生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發射結。MTAC220晶閘管智能模塊哪家好

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