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快恢復可控硅模塊

來源: 發布時間:2025-07-22

可控硅模塊規格的選擇方法:考慮到可控硅產品一般為非正弦電流,存在導通角問題,負載電流存在一些波動和不穩定因素,晶閘管芯片抗電流沖擊能力差,在選擇模塊電流規格時必須留出一定的裕度。

推薦選擇方法可按照以下公式計算:I>K×I負載×U∕U實際

K :安全系數,阻性負載K= 1.5,感性負載K= 2;

I負載:負載流過的強大電流; U實際:負載上的小電壓;

U強大 模塊能輸出的強大電壓;(三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍,單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍,其余規格均為1.0倍);

I:需要選擇模塊的小電流,模塊標稱的電流必須大于該值。 淄博正高電氣有限公司擁有業內權威人士和高技術人才。快恢復可控硅模塊

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過電壓會對可控硅模塊造成損壞,如果要想保護可控硅不受其損壞,就要了解過電壓的產生原因,從而去避免防止受損,下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞?以及過電壓產生的原因。

可控硅模塊對過電壓非常敏感,當正向電壓超過udrm值時,可控硅會誤導并導致電路故障;當施加的反向電壓超過urrm值時,可控硅模塊會立即損壞。因此,需要研究過電壓產生的原因和過電壓的方法。

過電壓主要是由于供電電源或系統儲能的急劇變化,使系統轉換太晚,或是系統中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發現,由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型,如雷擊和開關開啟和關閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動作產生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰,對可控硅模塊非常危險。


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選擇可控硅模塊時不能只看表面,應參考實際工作條件來選擇,選用可控硅模塊的額定電流時,除了考慮通過元件的平均電流外,還應注意正常工作時導通角的大小、散熱通風條件等因素。在工作中還應注意管殼溫度不超過相應電流下的允許值。


1.可控硅模塊的冷卻及環境條件:

(1)強迫風冷:風速≥6m/s,風溫≤40℃;

(2)水冷:流量≥4L/mm,壓強0.2±0.03Mpa。水溫≤35℃. 水電阻率≥20KΩ.cm,HP值6—8;

(3)自冷和負冷環境溫度—40℃—40℃.水冷以環境溫度5℃—40℃;

(4)空氣相對濕度≤85%;

(5)空氣中無腐蝕性氣體和破壞絕緣的塵埃;

(6)氣壓86—106Kpa;

(7)無劇烈震動或沖擊;

(8)若有特殊場合,應進行相應的試驗,證明工作可靠方可使用。

選擇可控硅模塊的主要參數可控硅模塊的主要參數應根據應用電路的具體要求而定。


  所選可控硅模塊應留有一定的功率裕量,其額定峰值電壓和額定電流(通態平均電流)均應高于受控電路的較大工作電壓和較大工作電流1.5~2倍。


  可控硅模塊的正向壓降、門極觸發電流及觸發電壓等參數應符合應用電路(指門極的控制電路)的各頂要求,不能偏高或偏低,否則會影響可控硅模塊的正常工作。

上就是可控硅模塊在不同設備中的種類選擇,希望對您有所幫助。 淄博正高電氣有限公司生產的產品受到用戶的一致稱贊。

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任何的東西都有其使用的壽命,可控硅也不例外,可控硅模塊使用時間長了,它的溫度就會升高,如果溫度過高就容易損壞,并且降低使用壽命,這就需要大家來看看可控硅模塊的升溫方法:

1 可控硅模塊環境溫度的測定:在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計,溫度計測點距地面的高度與減速機軸心線等高,溫度計的放置應不受外來輻射熱與氣流的影響,環境溫度數值的讀取與工作溫度數值的讀取應同時進行。

2 可控硅模塊溫升按下式計算:式中:Δt--可控硅模塊的溫升(℃)。

3 可控硅模塊工作溫度的測定:被測可控硅模塊溫升的測定,通常與減速機的承載能力及傳動效率測定同時進行,也可單獨進行,被測減速機在符合規定時,讀取它在額定轉速、額定輸入功率下的工作溫度

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實際上,可控硅模塊元件的結溫不容易直接測量,因此不能用它作為是否超溫的判據。通過控制模塊底板的溫度(即殼溫Tc)來控制結溫是一種有效的方法。由于PN結的結溫Tj和殼溫Tc存在著一定的溫度梯度,知道了殼溫也就知道了結溫,而相當高殼溫Tc是限定的,由產品數據表給出。借助溫控開關可以很容易地測量到與散熱器接觸處的模塊底板溫度(溫度傳感元件應置于模塊底板溫度相當高的位置)。從溫控天關測量到的殼溫可以判斷模塊的工作是否正常。若在線路中增加一個或兩個溫度控制電路,分別控制風機的開啟或主回路的通斷(停機),就可以有效地保證晶閘管模塊在額定結溫下正常工作。

  需要指出的是,溫控開關測量到的溫度是模塊底板表面的溫度,易受環境、空氣對流的影響,與模塊和散熱器的接觸面上的溫度Tc,還有一定的差別(大約低幾度到十幾度),因此其實際控制溫度應低于規定的Tc值。用戶可以根據實際情況和經驗決定控制的溫度。 快恢復可控硅模塊

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