量子計算低溫恒溫器注塑加工件采用聚四氟乙烯（PTFE）與碳纖維微球復合注塑，添加 15% 中空碳纖維微球（直徑 50μm）通過冷壓燒結（壓力 150MPa，溫度 380℃）成型，使材料密度降至 2.1g/cm3，熱導率≤0.1W/(m?K)。加工時運用數控車削（轉速 10000rpm，進給量 0.1mm/rev），在 10mm 厚隔熱板上加工精度 ±0.02mm 的階梯槽，槽面經等離子體氟化處理后表面能≤10mN/m，減少低溫下的氣體吸附。成品在 4.2K 液氦環境中，熱漏率≤0.5mW/cm2，且體積電阻率≥101?Ω?cm，同時通過 100 次冷熱循環（4.2K~300K）測試無開裂，為量子比特提供低損耗的極低溫絕緣環境。注塑加工件選用環保型 ABS 材料，符合 REACH 標準，可回收再利用。壓鑄加工件設計

半導體制造設備中的絕緣加工件，需達到 Class 100 級潔凈標準，通常選用聚醚醚酮（PEEK）材料。采用激光切割工藝進行加工，切口熱影響區≤50μm，避免傳統機械加工產生的微塵污染，切割后表面經超純水超聲清洗（電阻率≥18MΩ?cm），粒子殘留量≤0.1 個 /ft2。制成的晶圓載具絕緣件，在 150℃真空環境中放氣率≤1×10??Pa?m3/s，且摩擦系數≤0.15，防止晶圓傳輸過程中產生靜電吸附，同時通過 1000 次插拔循環測試，接觸電阻波動≤5mΩ，確保半導體生產的高可靠性。?杭州絕緣加工件生產雙色注塑件通過二次成型工藝，色彩過渡自然，提升產品外觀質感。

5G 基站天線的注塑加工件，需實現低介電損耗與高精度成型，采用液態硅膠（LSR）與玻璃纖維微珠復合注塑。在 LSR 原料中添加 20% 空心玻璃微珠（粒徑 10μm），通過精密計量泵（計量精度 ±0.1g）注入熱流道模具（溫度 120℃），成型后介電常數穩定在 2.8±0.1，介質損耗 tanδ≤0.002（10GHz）。加工時運用多組分注塑技術，同步成型天線罩與金屬嵌件，嵌件定位公差≤0.03mm，配合后電磁波透過率≥95%。成品在 - 40℃~85℃環境中經 1000 次熱循環測試，尺寸變化率≤0.1%，且耐鹽霧腐蝕（5% NaCl 溶液，1000h）后表面無粉化，滿足戶外基站的長期穩定運行需求。

柔性電子設備的注塑加工件，需實現高彈性與導電功能集成，采用熱塑性彈性體（TPE）與碳納米管（CNT）復合注塑。將 8% 碳納米管（純度≥99.5%）通過熔融共混（溫度 180℃，轉速 400rpm）分散至 TPE 基體，制得體積電阻率 102Ω?cm 的導電彈性體，斷裂伸長率≥500%。加工時運用多材料共注塑技術，內層注塑導電 TPE 作為天線載體（厚度 0.3mm），外層包覆絕緣 TPE（硬度 50 Shore A），界面結合強度≥10N/cm。成品在 1000 次彎曲循環（曲率半徑 5mm）后，導電層電阻波動≤15%，且在 - 20℃~80℃溫度范圍內保持彈性，滿足可穿戴設備的柔性電路與絕緣防護需求。絕緣加工件通過真空浸漆處理，內部空隙填充充分，絕緣性能更優異。

在高頻電子設備中，絕緣加工件的介電性能至關重要，聚四氟乙烯（PTFE）加工件憑借≤2.1 的介電常數和≤0.0002 的介質損耗，成為微波器件的較好選擇材料。加工時需采用冷壓燒結工藝，將粉末在 30MPa 壓力下預成型，再經 380℃高溫燒結成整體，避免傳統注塑工藝產生的內應力。制成的絕緣子在 10GHz 頻率下，信號傳輸損耗≤0.1dB/cm，且具有 - 190℃至 260℃的寬溫適應性，即便在極寒的衛星通訊設備或高溫的雷達發射機中，也能保證電磁波的無失真傳輸。?精密研磨的絕緣件平面度高，與其他部件貼合緊密，減少漏電風險。杭州絕緣加工件生產

這款絕緣件具有良好的阻燃性能，遇明火不易燃燒，保障設備安全。壓鑄加工件設計

半導體刻蝕腔體注塑加工件采用全氟烷氧基樹脂（PFA）與二硫化鉬納米管復合注塑，添加 3% 二硫化鉬納米管（直徑 20nm，長度 1μm）通過超臨界流體混合（CO?壓力 10MPa，溫度 80℃）均勻分散，使材料表面摩擦系數降至 0.08，抗等離子體刻蝕速率≤0.05μm/h。加工時運用精密擠出成型（溫度 380℃，口模溫度 360℃），在 0.5mm 薄壁部件上成型精度 ±5μm 的氣流槽，槽面經電子束拋光后粗糙度 Ra≤0.02μm，減少刻蝕產物沉積。成品在 CF?/O?等離子體環境（功率 1000W，氣壓 10Pa）中使用 1000 小時后，表面腐蝕量≤0.1μm，且顆粒脫落量≤0.01 個 / 片，滿足高級半導體刻蝕設備的高純度與長壽命需求。壓鑄加工件設計