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南京阻焊光刻膠供應商

來源: 發布時間:2025-06-19

吉田半導體助力區域經濟,構建半導體材料生態圈,發揮企業作用,吉田半導體聯合上下游資源,推動東莞松山湖半導體產業協同創新。
作為松山湖產業集群重要成員,吉田半導體聯合光刻機制造商、光電子企業共建材料生態圈。公司通過技術輸出與資源共享,幫助本地企業提升工藝水平,促進產業鏈協同創新。例如,與華中科技大學合作研發的 T150A KrF 光刻膠,極限分辨率 120nm,工藝寬容度優于日本信越同類產品,已實現量產并出口東南亞,為區域經濟發展注入新動能。感光膠的工藝和應用。南京阻焊光刻膠供應商

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作為深耕半導體材料領域二十余年的綜合性企業,廣東吉田半導體材料有限公司始終將技術創新與產品質量視為重要發展動力。公司位于東莞松山湖產業集群,依托區域產業鏈優勢,持續為全球客戶提供多元化的半導體材料解決方案。

公司產品涵蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠、半導體錫膏、焊片及靶材等,原材料均嚴格選用美國、德國、日本等國的質量進口材料。通過全自動化生產設備與精細化工藝控制,確保每批次產品的穩定性與一致性。例如,納米壓印光刻膠采用特殊配方,可耐受 250℃高溫及復雜化學環境,適用于高精度納米結構制造;LCD 光刻膠以高分辨率和穩定性,成為顯示面板行業的推薦材料。


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光刻膠系列

厚板光刻膠 JT - 3001,具備優異分辨率、感光度和抗深蝕刻性能,符合歐盟 ROHS 標準,保質期 1 年;

水油光刻膠 SR - 3308,容量 5L;SU - 3 負性光刻膠,分辨率優異,對比度良好,曝光靈敏度高,光源適應,重量 100g;

液晶平板顯示器負性光刻膠 JT - 1000,有 1L 裝和 100g 裝兩種規格,分辨率高,準確性和穩定性好;

JT - 2000 UV 納米壓印光刻膠,耐強酸強堿,耐高溫達 250°C,長期可靠性高,粘接強度高,重量 100g;

LCD 正性光刻膠 YK - 200,具有較大曝光、高分辨率、良好涂布和附著力,重量 100g;

半導體正性光刻膠 YK - 300,具備耐熱耐酸、耐溶劑性、絕緣阻抗和緊密性,重量 100g;

耐腐蝕負性光刻膠 JT - NF100,重量 1L。

國際標準與客戶認證
公司通過ISO9001、ISO14001等認證,并嚴格執行8S現場管理,生產環境潔凈度達Class 10級。其光刻膠產品已通過京東方、TCL華星的供應商認證,在顯示面板領域的市占率約5%,成為本土企業中少數能與日本JSR、德國默克競爭的廠商。

全流程可追溯體系
吉田半導體建立了從原材料入庫到成品出庫的全流程追溯系統,關鍵批次數據(如樹脂分子量分布、光敏劑純度)實時上傳云端,確保產品一致性和可追溯性。這一體系使其在車規級芯片等對可靠性要求極高的領域獲得突破,2023年車用光刻膠銷售額同比增長120%。
半導體芯片制造,用于精細電路圖案光刻,決定芯片性能與集成度。

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關鍵工藝流程

 涂布:

? 在晶圓/基板表面旋涂光刻膠,厚度控制在0.1-5μm(依制程精度調整),需均勻無氣泡(旋涂轉速500-5000rpm)。

 前烘(Soft Bake):

? 加熱(80-120℃)去除溶劑,固化膠膜,增強附著力(避免顯影時邊緣剝離)。

 曝光:

? 光源匹配:

? G/I線膠:汞燈(適用于≥1μm線寬,如PCB、LCD)。

? DUV膠(248nm/193nm):KrF/ArF準分子激光(用于28nm-14nm制程,如存儲芯片)。

? EUV膠(13.5nm):極紫外光源(用于7nm以下制程,需控制納米級缺陷)。

? 曝光能量:需精確控制(如ArF膠約50mJ/cm2),避免過曝或欠曝導致圖案失真。

 顯影:

? 采用堿性溶液(如0.262N四甲基氫氧化銨,TMAH),曝光區域膠膜溶解,未曝光區域保留,形成三維立體圖案。

 后烘(Post-Exposure Bake, PEB):

? 化學增幅型膠需此步驟,通過加熱(90-130℃)激發光酸催化反應,提高分辨率和耐蝕刻性。
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LCD顯示

? 彩色濾光片(CF):

? 黑色矩陣(BM)光刻膠:隔離像素,線寬精度±2μm,透光率<0.1%。

? RGB色阻光刻膠:形成紅/綠/藍像素,需高色純度(NTSC≥95%)和耐光性。

? 陣列基板(Array):

? 柵極絕緣層光刻膠:用于TFT-LCD的柵極圖案化,分辨率≤3μm。

 OLED顯示(柔性/剛性)

? 像素定義層(PDL)光刻膠:在基板上形成有機發光材料的 confinement 結構,線寬精度±1μm,需耐溶劑侵蝕(適應蒸鍍工藝)。

? 觸控電極(如ITO/PET):通過光刻膠圖形化實現透明導電線路,線寬≤5μm。

 Mini/Micro LED

? 巨量轉移前的芯片制備:使用高分辨率光刻膠(分辨率≤5μm)定義微米級LED陣列,良率要求>99.99%。
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