吉田半導體突破光刻膠共性難題，提升行業生產效率，通過優化材料配方與工藝，吉田半導體解決光刻膠留膜率低、蝕刻損傷等共性問題，助力客戶降本增效。
針對傳統光刻膠留膜率低、蝕刻損傷嚴重等問題，吉田半導體研發的 T150A KrF 光刻膠留膜率較同類產品高 8%，密集圖形側壁垂直度達標率提升 15%。其納米壓印光刻膠采用特殊交聯技術，在顯影過程中減少有機溶劑對有機半導體的損傷，使芯片良率提升至 99.8%。這些技術突破有效降低客戶生產成本，推動行業生產效率提升。光刻膠的關鍵應用領域。無錫厚膜光刻膠報價

廣東吉田半導體材料有限公司以光刻膠為中心，逐步拓展至半導體全材料領域，形成了 “技術驅動、全產業鏈覆蓋” 的發展格局。公司產品不僅包括芯片與 LCD 光刻膠，還延伸至錫膏、焊片、靶材等配套材料，為客戶提供一站式采購服務。

• 產品遠銷全球 50 多個地區，客戶包括電子制造服務商（EMS）及半導體廠商。
• 獲評 “廣東省專精特新企業”“廣東省創新型中小企業”，并通過技術企業認證。
• 生產基地配備自動化設備，年產能超千噸，滿足大規模訂單需求。

1. 正性光刻膠（如 YK-300）
   應用場景：用于芯片的精細圖案化，如集成電路（IC）、分立器件（二極管、三極管）的制造。
   特點：高分辨率（可達亞微米級），適用于多層光刻工藝，確保芯片電路的高精度與可靠性。
2. 負性光刻膠（如 JT-1000）
   應用場景：用于功率半導體（如 MOSFET、IGBT）的制造，以及傳感器（如 MEMS）的微結構成型。
   特點：抗蝕刻能力強，適合復雜圖形的轉移，尤其在深寬比要求較高的工藝中表現優異。
3. 納米壓印光刻膠（JT-2000）
   應用場景：第三代半導體（GaN、SiC）芯片、量子點器件及微流控芯片的制造。特點：耐高溫（250℃）、耐酸堿，支持納米級精度圖案復制，降低芯片的制造成本。

 吉田半導體納米壓印光刻膠 JT-2000：國產技術突破耐高溫極限

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廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產品，各有特性與優勢，適用于不同領域。

厚板光刻膠 JT - 3001：具有優異的分辨率和感光度，抗深蝕刻性能良好。符合歐盟 ROHS 標準，保質期 1 年，適用于對光刻精度和抗蝕刻要求較高的厚板加工場景，如一些特殊的電路板制造。

SU - 3 負性光刻膠：分辨率優異，對比度良好，曝光靈敏度高，光源適應。重量為 100g，常用于對曝光精度和光源適應性要求較高的微納加工、半導體制造等領域。

液晶平板顯示器負性光刻膠 JT - 1000：有 1L 和 100g 兩種規格，具有優異的分辨率，準確性和穩定性好。主要應用于液晶平板顯示器的制造，能滿足其對光刻膠高精度和穩定性的需求。

JT - 2000 UV 納米壓印光刻膠：耐強酸強堿，耐高溫達 250°C，長期可靠性高，粘接強度高。重量 100g，適用于需要在特殊化學和高溫環境下進行納米壓印光刻的工藝，如一些半導體器件的制造。 無錫厚膜光刻膠報價