IC芯片判斷好壞方法：器件質(zhì)量問題：由于芯片和其它器件質(zhì)量不良導致的損壞。led線路板廠家首先要提醒注意的是，灰塵是主板較大的敵人之一。注意防塵，可用毛刷輕輕刷去主板上的灰塵，另外，主板上一些插卡、芯片采用插腳形式，常會因為引腳氧化而接觸不良。可用橡皮擦去表面氧化層，重新插接。當然我們可以用三氯乙烷--揮發(fā)性能好，是清洗主板的液體之一。還有就是在突然掉電時，要馬上關(guān)上計算機，以免又突然來電把主板和電源燒毀。流程。BIOS由于BIOS設(shè)置不當，如果超頻可以跳線清處，摘重新設(shè)置。對于動態(tài)接收裝置，如電視機，在有無信號時，IC芯片各引腳電壓是不同的。TI DRV8313PWPR

IC芯片檢測時萬用表置于交流電壓擋，正表筆插入db插孔；對于無插孔的萬用表，需要在正表筆串接一只0.1～0.5μｆ隔直電容。該法適用于工作頻率較低的ic，如電視機的視頻放大級、場掃描電路等。由于這些電路的固有頻率不同，波形不同，所以所測的數(shù)據(jù)是近似值，只能供參考。總電流測量法：該法是通過檢測IC電源進線的總電流，來判IC好壞的一種方法。由于IC內(nèi)部絕大多數(shù)為直接耦合，IC損壞時（如某一個pn結(jié)擊穿或開路）會引起后級飽和與截止，使總電流發(fā)生變化。所以通過測量總電流的方法可以判斷IC的好壞。TI LMR12010XMK/NOPBIC芯片的集成度是指單塊芯片上所容納的元件數(shù)目。集成度越高，所容納的元件數(shù)目越多。

IC芯片的包裝對于產(chǎn)品的影響相對較小，但是也是不容忽視的一個環(huán)節(jié)，產(chǎn)品的包裝對于 IC芯片廠家來說需要精心的進行設(shè)計，選擇材質(zhì)好耐用的包裝。IC芯片廠家的生產(chǎn)難度相對來說是比較高的，因為IC芯片產(chǎn)品對于工藝的要求比較高，所以在相關(guān)問題把控過程中也比較嚴格，需要注意的問題也比較多。ic芯片采購的不同特點需要根據(jù)不同的ic芯片要求所得，具體情況具體分析，選擇多樣，信任為大，不能胡亂作出決定，以免影響ic芯片的使用效果。

對于動態(tài)接收裝置，如電視機，在有無信號時，IC芯片各引腳電壓是不同的。如發(fā)現(xiàn)引腳電壓不該變化的反而變化大，該隨信號大小和可調(diào)元件不同位置而變化的反而不變化，就可確定IC損壞。對于多種工作方式的裝置，如錄像機，在不同工作方式下，IC芯片各引腳電壓也是不同的。以上幾點就是在電路中IC芯片沒有故障的情況下，由于某種原因而使所測結(jié)果與標稱值不同，所以總的來說，在進行集成塊直流電壓或直流電阻測試時要規(guī)定一個測試條件，尤其是要作為實測經(jīng)驗數(shù)據(jù)記錄時更要注意這一點。確立IC芯片的實作方法，將不同功能分配成不同的單元，并確立不同單元間連結(jié)的方法，完成規(guī)格的制定。

IC芯片設(shè)計第1步，訂定目標：在IC設(shè)計中，重要的步驟就是規(guī)格制定。這個步驟就像是在設(shè)計建筑前，先決定要幾間房間、浴室，有什么建筑法規(guī)需要遵守，在確定好所有的功能之后在進行設(shè)計，這樣才不用再花額外的時間進行后續(xù)修改。IC設(shè)計也需要經(jīng)過類似的步驟，才能確保設(shè)計出來的芯片不會有任何差錯。規(guī)格制定的第1步便是確定IC的目的、效能為何，對大方向做設(shè)定。接著是察看有哪些協(xié)定要符合，像無線網(wǎng)卡的芯片就需要符合IEEE802.11等規(guī)範，不然，這芯片將無法和市面上的產(chǎn)品相容，使它無法和其他設(shè)備連線。為了掌握ic交流信號的變化情況，可以用帶有插孔的萬用表對ic的交流工作電壓進行近似測量。TI TPS62743YFPR

IC芯片在通電之后就會產(chǎn)生一個啟動指令，所有的晶體管就會開始傳輸數(shù)據(jù)，將特定的指令和數(shù)據(jù)輸出。TI DRV8313PWPR

IC芯片可靠性測試，主要就是針對芯片施加各種苛刻環(huán)境，比如ESD靜電，就是模擬人體或者模擬工業(yè)體去給芯片加瞬間大電壓。再比如老化HTOL【HighTemperatureOperatingLife】，就是在高溫下加速芯片老化，然后估算芯片壽命。還有HAST【HighlyAcceleratedStressTest】測試芯片封裝的耐濕能力，待測產(chǎn)品被置于嚴苛的溫度、濕度及壓力下測試，濕氣是否會沿者膠體或膠體與導線架之接口滲入封裝體從而損壞芯片。芯片測試絕不是一個簡單的雞蛋里挑石頭，不只是“挑剔”“嚴苛”就可以，還需要全流程的控制與參與。TI DRV8313PWPR

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