碳化硅早在1842年就被發現了，但直到1955年，飛利浦（荷蘭）實驗室的Lely才開發出生長高品質碳化硅晶體材料的方法。到了1987年，商業化生產的SiC襯底進入市場，進入21世紀后，SiC襯底的商業應用才算***鋪開。碳化硅分為立方相（閃鋅礦結構）、六方相（纖鋅礦結構）和菱方相3大類共260多種結構，目前只有六方相中的4H-SiC、6H-SiC才有商業價值，美國科銳（Cree）等公司已經批量生產這類襯底。立方相（3C-SiC）還不能獲得有商業價值的成品。SiC的基本結構單元是Si-C四面體，屬于密堆積結構。四川進口n型碳化硅襯底

SiC由Si原子和C原子組成，其晶體結構具有同質多型體的特點，在半導體領域最常見的是具有立方閃鋅礦結構的3C-SiC和六方纖鋅礦結構的4H-SiC和6H-SiC。21世紀以來以Si為基本材料的微電子機械系統(MEMS)已有長足的發展，隨著MEMS應用領域的不斷擴展，Si材料本身的性能局限性制約了Si基MEMS在高溫、高頻、強輻射及化學腐蝕等極端條件下的應用。因此尋找Si的新型替代材料正日益受到重視。在眾多半導體材料中，SiC的機械強度、熱學性能、抗腐蝕性、耐磨性等方面具有明顯的優勢，且與IC工藝兼容，故而在極端條件的MEMS應用中，成為Si的優先替代材料。四川半絕緣碳化硅襯底采用碳化硅作襯底的LED器件亮度更高、能耗更低、壽命更長、單位芯片面積更小。

SiC晶體的獲得最早是用AchesonZ工藝將石英砂與C混合放入管式爐中2600℃反應生成，這種方法只能得到尺寸很小的多晶SiC。至1955年，Lely用無籽晶升華法生長出了針狀3C-SiC孿晶，由此奠定了SiC的發展基礎。20世紀80年代初Tairov等采用改進的升華工藝生長出SiC晶體，SiC作為一種實用半導體開始引起人們的研究興趣，國際上一些先進國家和研究機構都投入巨資進行SiC研究。20世紀90年代初，Cree Research Inc用改進的Lely法生長6H-SiC晶片并實現商品化，并于1994年制備出4H-SiC晶片。這一突破性進展立即掀起了SiC晶體及相關技術研究的熱潮。目前實現商業化的SiC晶片只有4H-和6H-型，且均采用PVD技術，以美國CreeResearch Inc為**。采用此法已逐步提高SiC晶體的質量和直徑達7.5cm，目前晶圓直徑已超過10cm，比較大有用面積達到40mm2，微導管密度已下降到小于0.1/cm2?，F今就SiC單晶生長來講，美國處于領先地位，俄羅斯、日本和歐盟(以瑞典和德國為首)的一些公司或科研機構也在生產SiC晶片，并且已經實現商品化。

碳化硅晶體材料生長、加工難度極大，目前世界上只有少數幾家企業能夠實現碳化硅晶體材料的產業化。美國科銳公司（Cree）是碳化硅半導體行業的先行者和領先者，已研制出了6英寸碳化硅襯底片。2012年，該公司碳化硅晶體材料的產量在80—100萬片之間，控制了國際碳化硅襯底片的市場價格和質量標準。美國二六（II-VI）、道康寧（Dow Corning）、德國SiCrystal AG、日本新日鐵等公司也相繼推出了2—3英寸碳化硅襯底片生產計劃，搶占碳化硅市場份額。與傳統硅基功率電力電子器件相比，碳化硅基功率器件可以**降低能耗，節約電力。

碳化硅被譽為下一代半導體材料，因為其具有眾多優異的物理化學特性，被廣泛應用于光電器件、高頻大功率、高溫電子器件。本文闡述了SiC研究進展及應用前景，從光學性質、電學性質、熱穩定性、化學性質、硬度和耐磨性、摻雜物六個方面介紹了SiC的性能。SiC有高的硬度與熱穩定性,穩定的結構,大的禁帶寬度 ,高的熱導率,優異的電學性能。同時介紹了SiC的制備方法：物***相沉積法和化學氣相沉積法，以及SiC薄膜表征手段。包括X射線衍射譜、傅里葉紅外光譜、拉曼光譜、X射線光電子能譜等。***講了SiC的光學性能和電學性能以及參雜SiC薄膜的光學性能研究進展。碳化硅可在超過200℃的高溫下長期穩定地工作。北京碳化硅襯底進口sic

SiC在很寬的光譜范圍（2.2～3.2eV）內也有良好的發光特性。四川進口n型碳化硅襯底

不同的SiC多型體在半導體特性方面表現出各自的特性。利用SiC的這一特點可以制作SiC不同多型體間晶格完全匹配的異質復合結構和超晶格，從而獲得性能較好的器件．其中6H-SiC結構最為穩定，適用于制造光電子器件：p-SiC比6H-SiC活潑，其電子遷移率比較高，飽和電子漂移速度最快，擊穿電場最強，較適宜于制造高溫、大功率、高頻器件，及其它薄膜材料(如A1N、GaN、金剛石等)的襯底和X射線的掩膜等。而且，β-SiC薄膜能在同屬立方晶系的Si襯底上生長，而Si襯底由于其面積大、質量高、價格低，可與Si的平面工藝相兼容，所以后續PECVD制備的SiC薄膜主要是β-SiC薄膜[2]。四川進口n型碳化硅襯底

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