13、江崎二極管 （Tunnel Diode）它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其 P 型區的 N 型區是高摻雜的（即高濃度雜質的）。隧道電流由這些簡并態半導體的量子力學效應所產生的。如發生隧道效應具備如下三個條件：①費米能級位于導帶和滿帶內；②空間電荷層寬度必須很窄（0.01 微米以下）；簡并半導體 P 型區和 N 型區中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數有峰谷電流比（IP／PV），其中，下標“P”表示“峰”；而下標“V”表示“谷”。江崎二極管可以被應用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中（其工作頻率可達毫米波段），也可以被應用于高速開關電路中。這款場效應管具有良好的線性度，信號處理更準確。黑龍江場效應管制造商

二極管的特性與應用幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導體二極管，它在許多的電路中起著重要的作用，它是誕生較早的半導體器件之一，其應用也非常擴大。二極管的應用1、整流二極管利用二極管單向導電性，可以把方向交替變化的交流電變換成單一方向的脈動直流電。2、開關元件二極管在正向電壓作用下電阻很小，處于導通狀態，相當于一只接通的開關；在反向電壓作用下，電阻很大，處于截止狀態，如同一只斷開的開關。利用二極管的開關特性，可以組成各種邏輯電路。黑龍江場效應管制造商憑借出色性能，場效應管深受市場青睞。

較高反向工作電壓VR：指二極管兩端允許施加的較大反向電壓。若大于此值，則反向電流(IR)劇增，二極管的單向導電性被破壞，從而引起反向擊穿。通常取反向擊穿電壓VB的一半作為VR。（3）較大反向電流IR：它是二極管在較高反向工作電壓下允許流過的反向電流，此參數反映了二極管單向導電性能的好壞。因此這個電流值越小，表明二極管質量越好。（4）擊穿電壓VB：指二極管反向伏安特性曲線急劇彎曲點的電壓值。（5）正向電壓VF：指二極管正向電壓是電流通過二極管傳導時產生的電壓降。（6）反向恢復時間trr：指在規定的負載、正向電流及較大反向瞬態電壓下的反向恢復時間。

整流橋的整流作用及分類整流橋的整流作用及分類整流橋的整流作用及分類整流這一個術語，它是通過二極管的單向導通原理來完成工作的，通俗的來說二極管它是正向導通和反向截整流橋就是將整流管封在一個殼內了.分全橋和半橋.全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起.半橋是將兩個二極管橋式整流的一半封在一起,用兩個半橋可組成一個橋式整流電路,一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路,（一）整流橋堆整流橋（D25XB60）堆一般用在全波整流電路中，它又分為全橋與半橋。1．全橋 全橋是由4只整流二極管按橋式全波整流電路的形式連接并封裝為一體構成的，圖4-65是其電路圖形符號與內部電路場效應管在凱軒業的推動下不斷完善升級。

擴散型二極管在高溫的 P 型雜質氣體中，加熱 N 型鍺或硅的單晶片，使單晶片表面的一部變成 P 型，以此法 PN 結。因 PN 結正向電壓降小，適用于大電流整流。較近，使用大電流整流器的主流已由硅合金型轉移到硅擴散型。5、臺面型二極管PN 結的制作方法雖然與擴散型相同，但是，只保留 PN 結及其必要的部分，把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現出臺面形，因而得名。初期生產的臺面型，是對半導體材料使用擴散法而制成的。因此，又把這種臺面型稱為擴散臺面型。對于這一類型來說，似乎大電流整流用的產品型號很少，而小電流開關用的產品型號卻很多。凱軒業場效應管在電力電子設備中保障供電穩定。山東場效應管品牌

場效應管經不斷改進，滿足更高技術要求。黑龍江場效應管制造商

反向恢復時間 (trr) 是指開關二極管從導通狀態到完全關閉狀態所經過的時間。一般關斷后電子不能瞬間停止，有一定量的反向電流流過。其漏電流越大損耗也越大。還正在開發優化材料或擴散重金屬從而縮短trr，抑制反沖后振蕩（振鈴）的FRD (Fast Recovery Diode) 等產品。trr是指電壓變為反向后，直到電流變為零的時間。trr快速，則可以實現低損耗、高速開關使用穩壓二極管的關鍵是設計好它的電流值。穩壓二極管的特點就是擊穿后，其兩端的電壓基本保持不變。 這樣，當把穩壓管接入電路以后，若由于電源電壓發生波動，或其它原因造成電路中各點電壓變動時，負載兩端的電壓將基本保持不變。黑龍江場效應管制造商