IF---正向直流電流（正向測試電流）.鍺檢波二極管在規定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規定的使用條件下，在正弦半波中允許連續通過的最大工作電流（平均值），硅開關二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩壓二極管正向電參數時給定的電流IF（AV）---正向平均電流IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）.在額定功率下，允許通過二極管的比較大正向脈沖電流.發光二極管極限電流.IH---恒定電流、維持電流.Ii---；發光二極管起輝電流IFRM---正向重復峰值電流IFSM---正向不重復峰值電流（浪涌電流）Io---整流電流.在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流IF(ov)---正向過載電流IL---光電流或穩流二極管極限電流.凱軒業按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。珠海晶體管品牌企業

CT---勢壘電容Cj---結（極間）電容，；表示在二極管兩端加規定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容Cjv---偏壓結電容Co---零偏壓電容Cjo---零偏壓結電容Cjo/Cjn---結電容變化Cs---管殼電容或封裝電容Ct---總電容CTV---電壓溫度系數。在測試電流下，穩定電壓的相對變化與環境溫度的變化之比CTC---電容溫度系數Cvn---標稱電容。IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極管在規定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規定的使用條件下，在正弦半波中允許連續通過的最大工作電流（平均值），硅開關二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩壓二極管正向電參數時給定的電流收音機晶體管晶體管可用于各種各樣的數字和模擬功能，包括放大，開關，穩壓，信號調制和振蕩器。

濾波器是由電感器和電容器構成的網路，可使混合的交直流電流分開。電源整流器中，即借助此網路濾凈脈動直流中的漣波，而獲得比較純凈的直流輸出。基本的濾波器，是由一個電容器和一個電感器構成，稱為L型濾波。所有各型的濾波器，都是L型單節濾波器而成。基本單節式濾波器由一個串聯臂及一個并聯臂所組成，串聯臂為電感器，并聯臂為電容器，在電源及聲頻電路中之濾波器，通用者為L型及π型兩種。就L型單節濾波器而言，其電感抗XL與電容抗XC，對任一頻率為一常數，其關系為XL·XC=K2

故L型濾波器又稱為K常數濾波器。倘若一濾波器的構成部分，較K常數型具有較尖銳的截止頻率（即對頻率范圍選擇性強），而同時對此截止頻率以外的其他頻率只有較小的衰減率者，稱為m常數濾波器。所謂截止頻率，亦即與濾波器有尖銳諧振的頻率。通帶與帶阻濾波器都是m常數濾波器，m為截止頻率與被衰減的其他頻率之衰減比的函數。每一m常數濾波器的阻抗與K常數濾波器之間的關系，均由m常數決定，此常數介于0～1之間。當m接近零值時，截止頻率的尖銳度增高，但對于截止頻的倍頻之衰減率將隨著而減小。合于實用的m值為。至于那一頻率需被截止，可調節共振臂以決定之。m常數濾波器對截止頻率的衰減度，決定于共振臂的有效Q值之大小。若達K常數及m常數濾波器組成級聯電路，可獲得尖銳的濾波作用及良好的頻率衰減。場效應光晶體管響應速度快，但缺點是光敏面積小，增益小，常用作極高速光探測器。

ID---暗電流IB2---單結晶體管中的基極調制電流IEM---發射極峰值電流IEB10---雙基極單結晶體管中發射極與基極間反向電流IEB20---雙基極單結晶體管中發射極向電流ICM---比較大輸出平均電流IFMP---正向脈沖電流IP---峰點電流Ⅳ---谷點電流IGT---晶閘管控制極觸發電流IGD---晶閘管控制極不觸發電流IGFM---控制極正向峰值電流IR（AV）---反向平均電流IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）.在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規定值時，所通過的電流；硅開關二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩壓二極管在反向電壓下，產生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流光晶體管三端工作，故容易實現電控或電同步。光晶體管所用材料通常是砷化鎵.樂山晶體管出廠價格

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在正向活動模式下，NPN晶體管處于偏置狀態。通過直流電源Vbb，基極到發射極的結點將被正向偏置。因此，在該結的耗盡區將減少。集電極至基極結被反向偏置，集電極至基極結的耗盡區將增加。多數電荷載流子是n型發射極的電子。基極發射極結正向偏置，因此電子向基極區域移動。因此，這會導致發射極電流Ie。基極區很薄，被空穴輕摻雜，形成了電子-空穴的結合，一些電子保留在基極區中。這會導致基本電流Ib非常小。基極集電極結被反向偏置到基極區域中的空穴和電子，而正偏向基極區域中的電子。集電極端子吸引的基極區域的剩余電子引起集電極電流Ic。在此處查看有關NPN晶體管的更多信息珠海晶體管品牌企業