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國內微光顯微鏡用途

來源: 發布時間:2025-07-16

在半導體芯片漏電檢測中,微光顯微鏡為工程師快速鎖定問題位置提供了關鍵支撐。當芯片施加工作偏壓時,設備即刻啟動檢測模式 —— 此時漏電區域因焦耳熱效應會釋放微弱的紅外輻射,即便輻射功率為 1 微瓦,高靈敏度探測器也能捕捉到這一極微弱信號。這種檢測方式的在于,通過熱成像技術將漏電點的紅外輻射轉化為可視化熱圖,再與電路版圖進行疊加分析,可實現漏電點的微米級精確定位。相較于傳統檢測手段,微光設備無需拆解芯片即可完成非接觸式檢測,既避免了對芯片的二次損傷,又能在不干擾正常電路工作的前提下,捕捉到漏電區域的細微熱信號。與原子力顯微鏡聯用時,微光顯微鏡可同步獲取樣品的表面形貌和發光信息,便于關聯材料的結構與電氣缺陷。國內微光顯微鏡用途

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OBIRCH與EMMI技術在集成電路失效分析領域中扮演著互補的角色,其主要差異體現在檢測原理及應用領域。具體而言,EMMI技術通過光子檢測手段來精確定位漏電或發光故障點,而OBIRCH技術則依賴于激光誘導電阻變化來識別短路或阻值異常區域。這兩種技術通常被整合于同一檢測系統(即PEM系統)中,其中EMMI技術在探測光子發射類缺陷,如漏電流方面表現出色,而OBIRCH技術則對金屬層遮蔽下的短路現象具有更高的敏感度。例如,EMMI技術能夠有效檢測未開封芯片中的失效點,而OBIRCH技術則能有效解決低阻抗(<10 ohm)短路問題。紅外光譜微光顯微鏡批量定制配備的自動對焦系統,能快速鎖定檢測區域,減少人工操作時間,提高檢測效率。

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需要失效分析檢測樣品,我們一般會在提前做好前期的失效背景調查和電性能驗證工作,能夠為整個失效分析過程找準方向、提供依據,從而更高效、準確地找出芯片失效的原因。

1.失效背景調查收集芯片型號、應用場景、失效模式(如短路、漏電、功能異常等)、失效比例、使用環境(溫度、濕度、電壓)等。確認失效是否可復現,區分設計缺陷、制程問題或應用不當(如過壓、ESD)。

2.電性能驗證使用自動測試設備(ATE)或探針臺(ProbeStation)復現失效,記錄關鍵參數(如I-V曲線、漏電流、閾值電壓偏移)。對比良品與失效芯片的電特性差異,縮小失效區域(如特定功能模塊)。

芯片制造工藝復雜精密,從設計到量產的每一個環節都可能潛藏缺陷,而失效分析作為測試流程的重要一環,是攔截不合格產品、追溯問題根源的 “守門人”。微光顯微鏡憑借其高靈敏度的光子探測技術,能夠捕捉到芯片內部因漏電、熱失控等故障產生的微弱發光信號,定位微米級甚至納米級的缺陷。這種檢測能力,能幫助企業快速鎖定問題所在 —— 無論是設計環節的邏輯漏洞,還是制造過程中的材料雜質、工藝偏差,都能被及時發現。這意味著企業可以針對性地優化生產工藝、改進設計方案,從而提升芯片良率。在當前芯片制造成本居高不下的背景下,良率的提升直接轉化為生產成本的降低,讓企業在價格競爭中占據更有利的位置。升級后的冷卻系統,能減少設備自身熱噪聲,讓對微弱光子的探測更靈敏,提升檢測下限。

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我司專注于微弱信號處理技術的深度開發與場景化應用,憑借深厚的技術積累,已成功推出多系列失效分析檢測設備及智能化解決方案。更懂本土半導體產業的需求,軟件界面貼合工程師操作習慣,無需額外適配成本即可快速融入產線流程。

性價比優勢直擊痛點:相比進口設備,采購成本降低 30% 以上,且本土化售后團隊實現 24 小時響應、48 小時現場維護,備件供應周期縮短至 1 周內,徹底擺脫進口設備 “維護慢、成本高” 的困境。用國產微光顯微鏡,為芯片質量把關,讓失效分析更高效、更經濟、更可控! 漏電結和接觸毛刺會產生亮點,這些亮點產生的光子能被微光顯微鏡捕捉到。微光顯微鏡方案

通過與光譜儀聯用,可分析光子的光譜信息,為判斷缺陷類型提供更多依據,增強分析的全面性。國內微光顯微鏡用途

例如,當某批芯片在測試中發現漏電失效時,我們的微光顯微鏡能定位到具體的失效位置,為后續通過聚焦離子束(FIB)切割進行截面分析、追溯至柵氧層缺陷及氧化工藝異常等環節提供關鍵前提。可以說,我們的設備是半導體行業失效分析中定位失效點的工具,其的探測能力和高效的分析效率,為后續問題的解決奠定了不可或缺的基礎。

在芯片研發階段,它能幫助研發人員快速鎖定設計或工藝中的隱患,避免資源的無效投入;在量產過程中,它能及時發現批量性失效的源頭,為生產線調整爭取寶貴時間,降低損失;在產品應用端,它能為可靠性問題的排查提供方向,助力企業提升產品質量和市場口碑。無論是先進制程的芯片研發,還是成熟工藝的量產檢測,我們的設備都以其獨特的技術優勢,成為失效分析流程中無法替代的關鍵一環,為半導體企業的高效運轉和技術升級提供有力支撐。 國內微光顯微鏡用途

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