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金屬層310可以代換為金屬層510。圖6所示剖面600的**是晶圓層320。該結(jié)構(gòu)300所形成的芯片可以是矩形，也可以是正方形。在該晶圓層320的中間是該金屬層310。該金屬層310的上下軸長度611與左右軸長度612可以是相同，也可以不同。當(dāng)兩者相同時，該金屬層310的剖面是正方形。該金屬層310剖面與該晶圓層320外緣之間，是該晶圓層320用于包圍該金屬層310的四個邊框。該四個邊框的厚度可以相同，也可以不同。舉例來說，相對于上下外緣的厚度621與623可以相同，相對于左右外緣的厚度622與624可以相同。但厚度621與622可以不同。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以透過圖6理解到，本申請并...

在氣泡內(nèi)的氣體和/或蒸汽溫度降至室溫t0或達(dá)到時間段τ2后(在時間段τ2內(nèi)，設(shè)置電源輸出為零)，電源輸出恢復(fù)至頻率f1及功率水平p1。在步驟15270中，檢查晶圓的清潔度，如果晶圓尚未清潔到所需程度，則重復(fù)步驟15210-15260。或者，可能不需要在每個周期內(nèi)檢查清潔度，取而代之的是，使用的周期數(shù)可能是預(yù)先用樣品晶圓通過經(jīng)驗確定。參考圖15d所示，氣泡內(nèi)氣體和/或蒸汽的溫度不需要冷卻至室溫t0，但是**好使溫度冷卻至遠(yuǎn)低于內(nèi)爆溫度ti。此外，在步驟15250中，只要氣泡膨脹力不破壞或損壞圖案結(jié)構(gòu)15034，氣泡的尺寸可以略大于圖案結(jié)構(gòu)15034的間距w。參考圖15d所示，步驟1524...

在本發(fā)明的一個或多個實施方式中，排氣口包含多個穿孔。本發(fā)明的另一實施方式提供一種半導(dǎo)體晶圓干燥方法。半導(dǎo)體晶圓干燥方法包含：將半導(dǎo)體晶圓設(shè)置于腔室內(nèi)；對半導(dǎo)體晶圓發(fā)射微波，以將半導(dǎo)體晶圓上的水加熱并轉(zhuǎn)換成水蒸氣；以及將水蒸氣排出腔室。在本發(fā)明的一個或多個實施方式中，半導(dǎo)體晶圓干燥方法進(jìn)一步包含：旋轉(zhuǎn)半導(dǎo)體晶圓。在本發(fā)明的一個或多個實施方式中，半導(dǎo)體晶圓的轉(zhuǎn)速實質(zhì)上為10rpm。相較于公知技術(shù)，本發(fā)明的上述實施方式至少具有以下優(yōu)點：(1)運用微波移除先前的工藝殘留于半導(dǎo)體晶圓表面上的水，使得干燥過程變得簡單，從而能有效降低干燥半導(dǎo)體晶圓的作業(yè)成本。(2)由于微波產(chǎn)生器平均地環(huán)繞腔室分布，...

可以利用多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)，例如回字型的內(nèi)框結(jié)構(gòu)來加強(qiáng)結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。所謂的回字型，就是內(nèi)框內(nèi)還有內(nèi)框的結(jié)構(gòu)。在一實施例當(dāng)中，多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)可以是同心的，以便簡化設(shè)計。在另一實施例當(dāng)中，多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)的框的寬度是相同的。在更一實施例當(dāng)中，大內(nèi)框結(jié)構(gòu)與小內(nèi)框結(jié)構(gòu)的形狀可以是相應(yīng)的。舉例來說，大內(nèi)框結(jié)構(gòu)與小內(nèi)框結(jié)構(gòu)的形狀可以是相同的，但大小不同。框的寬度可以與內(nèi)框結(jié)構(gòu)的大小成比例。在一實施例當(dāng)中，可以具有兩個以上的多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)。請參考圖11b所示，其為根據(jù)本申請一實施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面1100的一示意圖。圖11b所示的實施例，為回字型的內(nèi)框結(jié)構(gòu)，就是內(nèi)框內(nèi)還有內(nèi)框的多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)。本申請所欲保...

圖11a所示的實施例是圖8a所示的結(jié)構(gòu)800，因此使用了金屬層810與晶圓層820的符號。但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到，剖面1100可以適用于結(jié)構(gòu)900或1000，金屬層810可以代換為金屬層1010。先前提到過，本申請并不限定內(nèi)框結(jié)構(gòu)的形狀。舉例來說，內(nèi)框結(jié)構(gòu)可以是x字型，還可以是v字型，也可以是井字型，也就是兩組互相垂直的并行線結(jié)構(gòu)。在圖11a所示的實施例當(dāng)中，晶圓層820的外緣形狀是正方形，用白色來表示。晶圓層820的四個邊框的820a寬度相等。在金屬層810a的內(nèi)部，還有晶圓層的內(nèi)框結(jié)構(gòu)820b。該內(nèi)框結(jié)構(gòu)820b的內(nèi)部尚有金屬層810b。圖11a所示晶圓層820的邊框結(jié)構(gòu)8...

并且與基座110形成腔室c。在實際應(yīng)用中，殼體120接觸基座110。依據(jù)實際情況，殼體120可與基座110密封地接觸，然而本發(fā)明不以此為限。由殼體120與基座110形成的腔室c被配置成容納半導(dǎo)體晶圓200。殼體120具有排氣口121，其遠(yuǎn)離基座110設(shè)置。微波產(chǎn)生器130設(shè)置于殼體120上，并且被配置成對半導(dǎo)體晶圓200所在的腔室c發(fā)射微波w。在半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備100運行的期間，半導(dǎo)體晶圓200首先被設(shè)置于基座110上，使得半導(dǎo)體晶圓200位于殼體120與基座110所形成的腔室c內(nèi)。接下來，微波產(chǎn)生器130對位于腔室c內(nèi)的半導(dǎo)體晶圓200發(fā)射微波w，使得先前的工藝殘留于半導(dǎo)體晶圓20...

所述橫條的頂面上固設(shè)有第二齒牙，所述第二齒牙可與所述***齒牙嚙合。進(jìn)一步的技術(shù)方案，所述從動腔的后側(cè)開設(shè)有蝸輪腔，所述旋轉(zhuǎn)軸向后延伸部分均伸入所述蝸輪腔內(nèi)，且其位于所述蝸輪腔內(nèi)的外周上均固設(shè)有蝸輪，所述蝸輪腔的左壁固設(shè)有***電機(jī)，所述***電機(jī)的右側(cè)面動力連接設(shè)有蝸桿，所述蝸桿的右側(cè)面與所述蝸輪腔的右壁轉(zhuǎn)動連接，所述蝸桿與所述蝸輪嚙合。進(jìn)一步的技術(shù)方案，所述穩(wěn)定機(jī)構(gòu)包括限制塊，所述橫板向右延伸部分伸出外界，且其右側(cè)面固設(shè)有手拉塊，所述橫板內(nèi)設(shè)有開口向上的限制腔，所述從動腔的上側(cè)連通設(shè)有滑動腔，所述滑動腔與所述送料腔連通，所述限制塊滑動設(shè)在所述滑動腔的右壁上，所述限制塊向下滑動可插入...

所述送料腔內(nèi)設(shè)有可在切割狀態(tài)時限制所述滑塊左右晃動，并在所述滑塊移動狀態(tài)時打開的穩(wěn)定機(jī)構(gòu)，所述送料腔的左側(cè)連通設(shè)有切割腔，所述切割腔內(nèi)設(shè)有可用于切割的切割片，所述切割腔的左側(cè)連通設(shè)有升降腔，所述升降腔的內(nèi)壁上設(shè)有可帶動所述切割片升降的升降塊，所述升降腔的下側(cè)開設(shè)有動力腔，所述動力腔內(nèi)設(shè)有可控制所述升降塊間歇性往返升降，來達(dá)到連續(xù)切割狀態(tài)的動力機(jī)構(gòu)，所述切割腔靠上側(cè)位置設(shè)有兩個左右對稱，且能用來冷卻所述切割片的海綿，所述切割腔的靠上側(cè)位置左右兩側(cè)連通設(shè)有冷卻水腔，是冷卻水腔的上側(cè)連通設(shè)有傳動腔，所述傳動腔內(nèi)設(shè)有可控制所述海綿在所述切割片上升時抵接所述切割片，達(dá)到冷卻效果的傳動機(jī)構(gòu)，所述傳...

所述第二螺桿57的外周上螺紋連接設(shè)有螺套58，所述螺套58與所述第四連桿54之間鉸接設(shè)有第五連桿56，通過所述第二螺桿57的間歇性正反轉(zhuǎn)動，可使所述螺套58間歇性升降移動，進(jìn)而可使所述第五連桿56帶動所述第四連桿54間歇性往返左右移動，從而可使所述移動塊53帶動所述海綿52間歇性往返左右移動，則可使所述海綿52在所述切割片50上升時向所述切割片50移動并抵接，以及在所述切割片50下降時向所述移動腔13方向打開，通過所述冷卻水腔14內(nèi)的冷卻水，可保證所述海綿52處于吸水狀態(tài)。另外，在一個實施例中，所述傳動腔55的上側(cè)開設(shè)有皮帶腔60，所述皮帶腔60的底壁上轉(zhuǎn)動設(shè)有豎軸12，所述第二螺桿5...

周期測量模塊30104用于通過使用以下公式的計數(shù)器測量高電平和低電平信號的持續(xù)時間：τ1＝counter_h*20ns,τ2＝counter_l*20ns其中，counter_h為高電平的數(shù)量，counter_l為低電平的數(shù)量。主控制器26094比較計算出的通電時間和預(yù)設(shè)時間τ1，如果計算出的通電時間比預(yù)設(shè)時間τ1長，主控制器26094發(fā)送報警信號到主機(jī)25080，主機(jī)25080接收到報警信號則關(guān)閉聲波發(fā)生器25082。主控制器26094比較計算出的斷電時間和預(yù)設(shè)時間τ2，如果計算出的斷電時間比預(yù)設(shè)時間τ2短，主控制器26094發(fā)送報警信號到主機(jī)25080，主機(jī)25080接收到報警信號...

該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同。進(jìn)一步的，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導(dǎo)體組件的設(shè)計更加簡化，其中該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同。進(jìn)一步的，為了讓基板結(jié)構(gòu)適應(yīng)所承載的半導(dǎo)體組件的不同設(shè)計，其中該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域依序包含***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域，該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度不同。進(jìn)一步的，為了讓基板結(jié)構(gòu)適應(yīng)所承載的半導(dǎo)體組件的具有更大的設(shè)計彈性，其中該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度均不相同。進(jìn)一步的，為了配合大多數(shù)矩形芯片的形狀，...

其為根據(jù)本申請一實施例的晶圓1400的一示意圖。除了下列的不同之處以外，先前有關(guān)于晶圓1300的敘述都可能可以套用在晶圓1400的實施例上。晶圓1400包含了三種不同形狀或尺寸的芯片，分別是芯片1310、1420與1430。在一實施例中，這三個芯片1310~1430可以是同一種設(shè)計的芯片。換言之，這三個芯片1310~1430可以包含上述基板結(jié)構(gòu)300~1200當(dāng)中的其中一種。或者說整個晶圓1300所包含的所有芯片都包含同一種基板結(jié)構(gòu)。在另一實施例當(dāng)中，這三個芯片1310~1430可以是不同種設(shè)計的芯片。也就是說，這三個芯片1310~1330可以包含上述基板結(jié)構(gòu)300~1200當(dāng)中的其中...

在步驟33050中，待氣泡內(nèi)的溫度降至一定程度后，聲波電源再次被設(shè)置為頻率為f1及功率為p1。在步驟33060中，將檢測到的斷電時間與預(yù)設(shè)時間τ2進(jìn)行比較，如果檢測到的斷電時間短于預(yù)設(shè)時間τ2，則關(guān)閉超聲波或兆聲波電源并發(fā)出報警信號。在步驟33070中，檢查晶圓的清潔度，如果晶圓尚未清潔到所需程度，則重復(fù)步驟33010-33060。或者，可能不需要在每個周期內(nèi)檢查清潔度，取而代之的是，使用的周期數(shù)可能是預(yù)先用樣品晶圓通過經(jīng)驗確定。圖34揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的晶圓清洗工藝的流程圖。該晶圓清洗工藝從步驟34010開始，首先向晶圓和超聲波或兆聲波裝置之間的間隙施加清洗液。在步驟34...

x0-x)│0x0-1＝sx0p0ln(x0)(2)其中，s為汽缸截面的面積，x0為汽缸的長度，p0為壓縮前汽缸內(nèi)氣體的壓強(qiáng)。方程式(2)不考慮壓縮過程中溫度增長的因素，因此，由于溫度的增加，氣泡內(nèi)的實際壓強(qiáng)會更高，實際上由聲壓做的機(jī)械功要大于方程式(2)計算出的值。假設(shè)聲壓做的機(jī)械功部分轉(zhuǎn)化為熱能，部分轉(zhuǎn)換成氣泡內(nèi)高壓氣體和蒸汽的機(jī)械能，這些熱能完全促使氣泡內(nèi)部氣體溫度的增加(沒有能量轉(zhuǎn)移至氣泡周圍的液體分子)，假設(shè)壓縮前后氣泡內(nèi)氣體質(zhì)量保持不變，氣泡壓縮一次后溫度增量δt可以用下面的方程式表達(dá)：δt＝q/(mc)＝βwm/(mc)＝βsx0p0ln(x0)/(mc)(3)其中，q是...

氣泡內(nèi)氣體或蒸汽的溫度不需要冷卻至室溫或清洗液的溫度。它可以是高于室溫或清洗液溫度的一定溫度。較佳地，該溫度是明顯低于內(nèi)爆溫度ti。根據(jù)公式(8)和(9)，如果已知(δt-δt)，可以計算出內(nèi)爆時間τi。但通常情況下，(δt-δt)不太容易被計算出或直接得到。然而可以憑經(jīng)驗直接得到τi的值。圖7e揭示了根據(jù)經(jīng)驗得出內(nèi)爆時間τi值的流程圖。在步驟7210中，基于表1，選擇五個不同的時間段τ1作為實驗設(shè)定(doe)的條件。在步驟7220中，選擇至少是τ1十倍的時間段τ2，在***次測試時**好是100倍的τ1。在步驟7230中，使用確定的功率水平p0運行以上五種條件來分別清洗具有圖案結(jié)構(gòu)的...

圖3為依據(jù)本發(fā)明另一實施方式的半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備的剖視圖。具體實施方式以下將以附圖公開本發(fā)明的多個實施方式。為明確說明起見，許多實務(wù)上的細(xì)節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，應(yīng)了解到，這些實務(wù)上的細(xì)節(jié)不應(yīng)用以限制本發(fā)明。也就是說，在本發(fā)明的部分實施方式中，這些實務(wù)上的細(xì)節(jié)是非必要的。此外，為簡化附圖起見，一些公知慣用的結(jié)構(gòu)與元件在附圖中將以簡單示意的方式繪示。附圖與說明書中盡可能使用相同的元件符號表示相同或相似的部分。除非另外定義，否則本文使用的所有術(shù)語(包含技術(shù)以及科學(xué)術(shù)語)對于所屬領(lǐng)域中的技術(shù)人員通常理解的涵義。還應(yīng)理解到，諸如常用的字典中定義的術(shù)語的解讀，應(yīng)使其在相關(guān)領(lǐng)域與本發(fā)明中具...

并且不同規(guī)格的花籃無法同時進(jìn)行作業(yè)，**降低了生產(chǎn)的效率。技術(shù)實現(xiàn)要素：本實用新型所要解決的技術(shù)問題在于克服現(xiàn)有技術(shù)不足，提供一種半導(dǎo)體晶圓濕法清洗治具，可適用于不同尺寸不同形狀晶圓，且可實現(xiàn)多層同時清洗。本實用新型具體采用以下技術(shù)方案解決上述技術(shù)問題：一種半導(dǎo)體晶圓濕法清洗治具，該治具包括提把和一組平放花籃；所述提把沿豎直方向均勻設(shè)置有一組連接端口；所述平放花籃由圓形底盤和設(shè)置在圓形底盤邊緣的一圈鏤空側(cè)壁組成，圓形底盤上設(shè)置有一組通孔，在所述鏤空側(cè)壁的外緣設(shè)置有至少一個連接端子，所述連接端子與提把上的任一連接端口相配合可使得平放花籃可拆卸地固定于提把上對應(yīng)于該連接端口的位置。推薦地，...

圖9a至圖9d揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。圖10a至圖10c揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。圖11a至圖11b揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。圖12a至圖12b揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。圖13a至圖13b揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。圖14a至圖14b揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。圖15a至圖15c揭示了在聲波清洗晶圓過程中穩(wěn)定的氣穴振蕩損傷晶圓的圖案結(jié)構(gòu)。圖15d揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的晶圓清洗的流程圖。圖16a至圖16c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的晶圓清...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工制造領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體晶圓表面缺陷的快速超高分辨檢測系統(tǒng)。背景技術(shù)：半導(dǎo)體缺陷檢測系統(tǒng)是半導(dǎo)體器件制作前用于識別襯底或外延層缺陷數(shù)量、沾污面積、表面顆粒物數(shù)量，從而進(jìn)行襯底或外延層的篩選，器件制造良率的計算，是半導(dǎo)體器件制作的關(guān)鍵工序。缺陷檢測貫穿生產(chǎn)過程，未及時修正將導(dǎo)致**終器件失效。集成電路的設(shè)計、加工、制造以及生產(chǎn)過程中，各種人為、非人為因素導(dǎo)致錯誤難以避免，造成的資源浪費、危險事故等代價更是難以估量。在檢測過程中會對芯片樣品逐一檢查，只有通過設(shè)計驗證的產(chǎn)品型號才會開始進(jìn)入量產(chǎn)，由于其發(fā)生在芯片制造**早環(huán)節(jié)，性價比相對**高，可為芯片批量制造指明接下...

所述拉桿45向上延伸部分伸出外界，且其頂面固設(shè)有手握球46，所述限制塊39頂面與所述滑動腔43的頂壁之間固定安裝有彈簧44，當(dāng)所述橫條33帶動所述第二齒牙34向上移動時，所述第二齒牙34可抵接所述限制塊39，并使所述限制塊39向上移動，進(jìn)而可使所述限制塊39離開所述限制腔42，則可使所述滑塊47能夠正常向左移動，當(dāng)所述滑塊47需要向右移動時，手動向上拉動所述手握球46，使所述限制塊39向上移動，并手動向右拉動所述手拉塊40，則所述橫板41可帶動所述滑塊47向右移動。另外，在一個實施例中，所述升降塊15的內(nèi)壁里固嵌有第二電機(jī)16，所述第二電機(jī)16的右側(cè)面動力連接設(shè)有切割軸51，所述切割片...

圖32a至圖32c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的如圖27所示的振幅檢測電路27092的示例。該振幅檢測電路27092示例性包括參考電壓生成電路和比較電路。如圖32b所示，參考電壓生成電路使用d/a轉(zhuǎn)換器32118將主控制器26094的數(shù)字輸入信號轉(zhuǎn)換為模擬直流參考電壓vref+和vref-，如圖32c所示。比較電路使用窗口比較器32114及與門32116來比較電壓衰減電路26090輸出的振幅vin和參考電壓vref+和vref-。如果衰減后的振幅vin超過參考電壓vref+和/或vref-，那么振幅檢測電路27092發(fā)送報警信號到主機(jī)25080，主機(jī)25080接收到報警信號則關(guān)閉聲波發(fā)...

通過通信電纜25088發(fā)送比較結(jié)果到主機(jī)25080。如果聲波發(fā)生器25082的輸出值與主機(jī)25080發(fā)送的參數(shù)設(shè)定值不同，則檢測電路25086將發(fā)送報警信號到主機(jī)25080。主機(jī)25080接收到報警信號后關(guān)閉聲波發(fā)生器25082來阻止對晶圓1010上的圖案結(jié)構(gòu)的損傷。圖26揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的圖25所示的檢測電路25086的框圖。該檢測電路25086示范性包括電壓衰減電路26090、整形電路26092、主控制器26094、通信電路26096及電源電路26098。主控制器26094可以用fpga實現(xiàn)。通信電路26096作為主機(jī)25080的接口。通信電路26096與主機(jī)25080...

用于集成電路生產(chǎn)的材料依然以進(jìn)口為主，中國生產(chǎn)替代空間非常龐大。未來隨著多條中國新建晶圓制造產(chǎn)線陸續(xù)投產(chǎn)，預(yù)計2018年將為中國當(dāng)?shù)匕雽?dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來新契機(jī)。未來中國半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢將從兩方面同步進(jìn)行：集中優(yōu)勢資源，針對各類別半導(dǎo)體材料，以一部分大廠為首，進(jìn)行資源再整合；建立完善的半導(dǎo)體材料體系，加快**材料的研發(fā)，實現(xiàn)中國國產(chǎn)替代。中國半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)雖然克服了政策和資金的障礙，但仍面對來自技術(shù)、人才與客戶認(rèn)證等方面的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。未來產(chǎn)業(yè)將著重解決以下問題：基礎(chǔ)**瓶頸突破進(jìn)展緩慢、半導(dǎo)體材料人才儲備和培養(yǎng)嚴(yán)重不足、聯(lián)合**協(xié)調(diào)作用，以及率先突破當(dāng)?shù)卣J(rèn)證關(guān)卡。目前中國半導(dǎo)體材料...

位于上側(cè)所述夾塊49固設(shè)有兩個前后對稱的卡扣61，所述切割腔27的前側(cè)固設(shè)有玻璃窗66，通過所述卡扣61，可使所述夾塊49夾緊所述硅錠48，通過所述玻璃窗66可便于觀測切割情況。初始狀態(tài)時，滑塊47與送料腔68右壁抵接，切割片50處于上側(cè)，兩個海綿52抵接切割片50，接收箱28位于切割腔27下側(cè)，并接收腔29內(nèi)存有清水，橫條33位于**下側(cè)，第二齒牙34與***齒牙38不接觸，第二齒牙34與限制塊39不接觸，限制塊39插入限制腔42內(nèi)。當(dāng)使用時，通過***電機(jī)63的運轉(zhuǎn)，可使蝸桿65帶動旋轉(zhuǎn)軸36轉(zhuǎn)動，通過旋轉(zhuǎn)軸36的旋轉(zhuǎn)，可使***連桿32帶動三叉連桿31繞圓弧方向左右晃動，從而可使...

金屬層310可以代換為金屬層510。圖6所示剖面600的**是晶圓層320。該結(jié)構(gòu)300所形成的芯片可以是矩形，也可以是正方形。在該晶圓層320的中間是該金屬層310。該金屬層310的上下軸長度611與左右軸長度612可以是相同，也可以不同。當(dāng)兩者相同時，該金屬層310的剖面是正方形。該金屬層310剖面與該晶圓層320外緣之間，是該晶圓層320用于包圍該金屬層310的四個邊框。該四個邊框的厚度可以相同，也可以不同。舉例來說，相對于上下外緣的厚度621與623可以相同，相對于左右外緣的厚度622與624可以相同。但厚度621與622可以不同。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以透過圖6理解到，本申請并...

圖18b是圖18a所示通孔的頂視圖。圖18c揭示了形成在晶圓18010上的多個槽18036的剖視圖。同樣的，槽18036中由聲波能量產(chǎn)生的氣泡18012增強(qiáng)了對雜質(zhì)的去除，如殘留物和顆粒。圖18d是圖18c所示槽18036的頂視圖。飽和點rs被定義為通孔18034、槽18036或其他凹進(jìn)區(qū)域內(nèi)可容納的**大氣泡量。當(dāng)氣泡的數(shù)量超過飽和點rs時，清洗液將受圖案結(jié)構(gòu)內(nèi)的氣泡阻擋且很難到達(dá)通孔18034或槽18036側(cè)壁的底部，因此，清洗液的清洗效果會受到影響。當(dāng)氣泡的數(shù)量低于飽和點時，清洗液在通孔18034或槽18036內(nèi)有足夠的活動路徑，從而獲得良好的清洗效果。低于飽和點時，氣泡總體積v...

f1為超聲波或兆聲波的頻率。根據(jù)公式(10)和(11)，內(nèi)爆周期數(shù)ni和內(nèi)爆時間τi可以被計算出來。表1為內(nèi)爆周期數(shù)ni、內(nèi)爆時間τi和(δt–δt)的關(guān)系，假設(shè)ti＝3000℃，δt＝℃，t0＝20℃，f1＝500khz，f1＝1mhz，及f1＝2mhz。表1圖6a至圖6c揭示了在聲波晶圓清洗工藝中**終發(fā)生微噴射且工藝參數(shù)符合公式(1)-(11)。參考圖6a所示，電功率(p)連續(xù)供應(yīng)至聲波裝置以在清洗液中產(chǎn)生氣穴振蕩。隨著氣穴振蕩的周期數(shù)n增加，如圖6b所示氣體或蒸汽的溫度也隨之增加，因此氣泡表面更多的分子會被蒸發(fā)至氣泡6082內(nèi)部，導(dǎo)致氣泡6082的尺寸隨著時間的推移而增加，如圖...

一個晶圓1300可以在半導(dǎo)體的制程與封裝之后，再進(jìn)行芯片的切割，這種制作過程通常被稱為晶圓級芯片封裝(wlcsp,waferlevelchipscalepackage)。如圖13所示，該晶圓1300可以預(yù)先設(shè)計成要在虛線處進(jìn)行切割，以便在封裝之后形成多個芯片。在圖13當(dāng)中，該晶圓1300可以包含三個尺寸相同的芯片1310~1330。在一實施例中，這三個芯片1310~1330可以是同一種設(shè)計的芯片。換言之，這三個芯片1310~1330可以包含上述基板結(jié)構(gòu)300~1200當(dāng)中的其中一種。或者說整個晶圓1300所包含的所有芯片都包含同一種基板結(jié)構(gòu)。在另一實施例當(dāng)中，這三個芯片1310~133...

圖案結(jié)構(gòu)4034包括需要清潔的多個特征，包括但不限于鰭、通孔、槽等。氣泡4044變成微噴射，它可以非常猛烈，達(dá)到幾千大氣壓以及幾千攝氏度。參考圖4b所示，一旦微噴射發(fā)生，圖案結(jié)構(gòu)4034的一部分被損傷。對于器件特征尺寸小于或等于70nm的晶圓，這種損傷更為嚴(yán)重。圖5a至圖5c揭示了在晶圓清洗過程中氣泡5016內(nèi)的熱能變化。當(dāng)聲波正壓作用在氣泡5016上時，氣泡5016如圖5a中所示體積減小。在體積減小的過程中，聲波壓強(qiáng)pm對氣泡5016做功，機(jī)械功轉(zhuǎn)化為氣泡5016內(nèi)的熱能。因此，氣泡5016內(nèi)的氣體和/或蒸汽的溫度t如圖5b所示那樣增加。各參數(shù)間的關(guān)系可用如下公式表示：p0v0/t0...

所述傳動腔的上側(cè)開設(shè)有皮帶腔，所述皮帶腔的底壁上轉(zhuǎn)動設(shè)有豎軸，所述第二螺桿向上延伸部分伸入所述皮帶腔內(nèi)，所述第二螺桿與所述豎軸之間傳動連接設(shè)有皮帶傳動裝置，所述豎軸向下延伸部分伸入所述動力腔內(nèi)，且其底面固設(shè)有***齒輪，位于所述動力腔內(nèi)的所述***螺桿外周上固設(shè)有第二齒輪，所述第二齒輪與所述***齒輪嚙合。進(jìn)一步的技術(shù)方案，所述夾塊分為上下兩部分，位于上側(cè)所述夾塊固設(shè)有兩個前后對稱的卡扣，所述切割腔的前側(cè)固設(shè)有玻璃窗。本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明可有效降低半導(dǎo)體制作原料晶圓在切割時所產(chǎn)生的發(fā)熱變形問題，并且也能降低硅錠在移動送料切割過程中，由于長時間連續(xù)工作導(dǎo)致主軸位置偏移導(dǎo)致切割不準(zhǔn)的...