二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性，在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極管。晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于PN結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流。當外加的反向電壓高到一定程度時，PN結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。PN結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。 陶瓷基板封裝的二極管模塊具備良好散熱性，適合高功率密度場景。中國臺灣變容二極管

變容二極管是一種利用PN結電容隨反向電壓變化的特性制成的特殊二極管。又稱壓控變容二極管或可變電容二極管。其電容值可通過施加的反向電壓調節，常用于調諧電路，如收音機、電視機的頻道選擇，以及手機的天線匹配電路。在壓控振蕩器（VCO）和鎖相環（PLL）等高頻電路中，變容二極管可替代機械可變電容，實現電子調諧，提高系統的可靠性和響應速度。這種二極管在無線通信、射頻識別（RFID）及衛星接收設備中具有重要應用。 英飛凌二極管哪家靠譜高頻開關下，二極管模塊的結電容（Cj）會引入額外損耗，需搭配 RC 緩沖電路抑制。

二極管就是由一個PN結加上相應的電極引線及管殼封裝而成的。
采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區稱為PN結。
由P區引出的電極稱為陽極，N區引出的電極稱為陰極。因為PN結的單向導電性，二極管導通時電流方向是由陽極通過管子內部流向陰極。
二極管有兩個電極，由P區引出的電極是正極，又叫陽極；由N區引出的電極是負極，又叫陰極。三角箭頭方向表示正向電流的方向，二極管的文字符號用VD表示。

穩壓管是一種特殊的面接觸型半導體硅二極管，具有穩定電壓的作用。穩壓管與普通二極管的主要區別在于，穩壓管是工作在PN結的反向擊穿狀態。通過在制造過程中的工藝措施和使用時限制反向電流的大小，能保證穩壓管在反向擊穿狀態下不會因過熱而損壞。穩壓管與一般二極管不一樣，它的反向擊穿是可逆的，只要不超過穩壓管電流的允許值，PN結就不會過熱損壞，當外加反向電壓去除后，穩壓管恢復原性能，所以穩壓管具有良好的重復擊穿特性。碳化硅（SiC）二極管模塊憑借零反向恢復特性，顛覆傳統硅基器件在新能源汽車的應用。

二極管模塊是一種將多個二極管芯片集成在單一封裝中的功率電子器件，其主要結構包括半導體芯片、絕緣基板、電極和外殼。常見的封裝形式有TO-220、TO-247、DIP模塊和壓接式模塊等。模塊內部通常采用直接覆銅（DBC）或活性金屬釬焊（AMB）陶瓷基板，以實現高絕緣耐壓（如2.5kV以上）和優良散熱性能。例如，三相全橋整流模塊會將6個二極管芯片集成在氮化鋁（AlN）基板上，通過銅層實現電氣互連。這種模塊化設計不僅減小了寄生電感（可低于10nH），還通過標準化引腳布局簡化了系統集成，廣泛應用于工業變頻器和新能源發電領域。

通過灌封環氧樹脂，二極管模塊可實現 IP67 級防塵防水，適用于戶外設備。SEMIKRON賽米控二極管批發

快速恢復二極管模塊可明顯降低開關損耗，提升高頻電源轉換效率，適用于光伏和UPS系統。中國臺灣變容二極管

英飛凌CoolSiC?系列SiC肖特基二極管模塊是第三代半導體的技術***，具有零反向恢復電荷（Qrr）、正溫度系數和超高結溫（175℃）等優勢。其獨特的溝槽柵結構使1200V模塊的比導通電阻低至2.5mΩ·cm2，開關損耗較硅基模塊降低70%。在光伏逆變器應用中，實測數據顯示，采用CoolSiC?模塊的系統效率提升1.5個百分點，年發電量增加約2000kWh。此外，該模塊通過了嚴苛的1000次-55℃~175℃溫度循環測試，可靠性遠超行業標準，成為新能源和工業高功率應用的**產品。中國臺灣變容二極管