雙向晶閘管（Triac）是一種能雙向導通的半導體功率器件，本質上相當于兩個反并聯的普通晶閘管（SCR）集成在同一芯片上。其結構由五層半導體（P-N-P-N-P）構成，擁有三個電極：主端子 T1、T2 和門極 G。與單向晶閘管不同，雙向晶閘管無論在交流電壓的正半周還是負半周，只要門極施加合適的觸發信號，就能導通。觸發方式分為四種模式：T2 為正，G 為正（模式 Ⅰ+）；T2 為正，G 為負（模式 Ⅰ-）；T2 為負，G 為正（模式 Ⅲ+）；T2 為負，G 為負（模式 Ⅲ-）。其中，模式 Ⅰ+ 的觸發靈敏度*高，模式 Ⅲ- *低。雙向晶閘管的伏安特性曲線關于原點對稱，體現了其雙向導電的特性。在交流電路中，通過控制觸發角可實現對交流電的斬波調壓，廣泛應用于調光器、電機調速和家用電子設備中。例如，在臺燈調光電路中，雙向晶閘管可根據用戶需求調節導通角，改變燈泡兩端的有效電壓，從而實現燈光亮度的平滑調節。 光控晶閘管（LASCR）通過光信號觸發，適用于高壓隔離場景。賽米控晶閘管現貨

單向晶閘管的制造依賴于半導體平面工藝，主要材料是高純度單晶硅。其制造流程包括外延生長、光刻、擴散、離子注入等多個精密步驟。首先，在N型硅襯底上生長P型外延層，形成P-N結；接著，通過多次光刻和擴散工藝，構建出四層三結的結構；然后，進行金屬化處理，制作出陽極、陰極和門極的歐姆接觸；然后再進行封裝測試。制造過程中的關鍵技術參數，如雜質濃度、結深等，會直接影響晶閘管的耐壓能力、開關速度和觸發特性。采用離子注入技術可以精確控制雜質分布，從而提高器件的性能和可靠性。目前，高壓晶閘管的耐壓值能夠達到數千伏，電流容量可達數千安，這為高壓直流輸電等大功率應用奠定了堅實的基礎。 賽米控晶閘管現貨晶閘管的開關速度較慢，不適合高頻電路。

單向晶閘管與其他功率器件的性能比較

單向晶閘管與其他功率器件如 IGBT、MOSFET 等相比，具有不同的性能特點和適用場景。單向晶閘管的優點是耐壓高、電流容量大、成本低，適用于高電壓、大電流的場合，如高壓直流輸電、工業電機調速等。但其開關速度較慢，一般適用于低頻應用。IGBT 結合了 MOSFET 和 BJT 的優點，具有輸入阻抗高、開關速度快、導通壓降小等特點，適用于中高頻、中等功率的應用，如變頻器、UPS 電源等。MOSFET 的開關速度**快，輸入阻抗極高，適用于高頻、小功率的應用，如開關電源、高頻逆變器等。與單向晶閘管相比，IGBT 和 MOSFET 的控制更加靈活，可以通過柵極信號快速控制導通和關斷。在實際應用中，需要根據具體的電路要求和工作環境，選擇**合適的功率器件。例如，在高頻開關電源中，MOSFET 是優先；而在高壓大電流的整流電路中，單向晶閘管則更為合適。

晶閘管的觸發電路是確保其可靠工作的關鍵環節。設計觸發電路時，需考慮觸發脈沖的幅度、寬度、前沿陡度以及與主電路的同步問題。同步問題是觸發電路設計的重要挑戰之一。在交流電路中，觸發脈沖必須與電源電壓保持嚴格的相位關系，以實現對導通角的精確控制。常用的同步方法包括變壓器同步、過零檢測同步和數字鎖相環（PLL）同步。例如，在交流調壓電路中，通過檢測電源電壓過零點作為基準，再延遲一定角度（觸發角α）輸出觸發脈沖，即可實現對負載功率的調節。觸發脈沖參數的選擇直接影響晶閘管的性能。觸發脈沖幅度一般為門極觸發電流的3-5倍，以確保可靠觸發；脈沖寬度需大于晶閘管的開通時間（通常為5-20μs）；前沿陡度應足夠大（通常要求di/dt>1A/μs），以提高晶閘管的動態響應速度。隔離技術在觸發電路中至關重要。為避免主電路高壓對控制電路的干擾，通常采用脈沖變壓器、光耦或光纖進行電氣隔離。例如，光耦隔離觸發電路利用發光二極管將電信號轉換為光信號，再通過光敏三極管還原為電信號，實現信號傳輸的同時切斷電氣連接。 雙向晶閘管模塊可在交流電路的正負半周均導通，簡化了交流調壓設計。

單向晶閘管，也就是普通晶閘管（SCR），屬于四層三端的半導體器件，其結構是 P-N-P-N。它有陽極（A）、陰極（K）和門極（G）這三個端子。當陽極相對于陰極加上正向電壓，同時門極施加一個短暫的正向觸發脈沖時，晶閘管就會從阻斷狀態轉變為導通狀態。一旦導通，門極便失去控制作用，要使晶閘管關斷，只有讓陽極電流減小到維持電流以下，或者給陽極施加反向電壓。這種 “觸發導通、過零關斷” 的特性，讓單向晶閘管在可控整流、交流調壓等電路中得到了廣泛應用。例如，在晶閘管整流器里，通過調整觸發角，能夠實現對直流輸出電壓的連續調節，這在工業電機調速和電力系統中有著重要的應用價值。

晶閘管模塊的觸發電路需與主電路電氣隔離，提高安全性。浙江晶閘管一般多少錢

晶閘管在過壓或過流時易損壞，需加保護電路。賽米控晶閘管現貨

晶閘管（Thyristor）是一種大功率半導體開關器件，廣泛應用于電力電子領域。它由PNPN四層半導體結構組成，具有三個電極：陽極（A）、陰極（K）和門極（G）。晶閘管的**特性是“半控性”，即只能通過門極信號控制其導通，但無法直接控制關斷，需依賴外部電路強制電流過零或反向電壓才能關閉。這種特性使其特別適用于交流電的相位控制和直流電的開關調節。晶閘管因其高耐壓、大電流承載能力，成為工業電力控制的關鍵元件，如電機調速、電源轉換和高壓直流輸電等。 賽米控晶閘管現貨