半導體制造對潔凈度要求嚴苛，晶圓切割環節的微塵污染可能導致芯片失效。中清航科的切割設備采用全封閉防塵結構與高效 HEPA 過濾系統，工作區域潔凈度達到 Class 1 標準，同時配備激光誘導等離子體除塵裝置，實時清理切割產生的微米級顆粒，使產品不良率降低至 0.1% 以下。在成本控制成為半導體企業核心競爭力的現在，中清航科通過技術創新實現切割耗材的大幅節約。其自主研發的金剛石切割刀片，使用壽命較行業平均水平延長 50%，且通過刀片磨損實時監測與自動補償技術，減少頻繁更換帶來的停機損失，幫助客戶降低 20% 的耗材成本，在激烈的市場競爭中構筑成本優勢。晶圓切割全流程追溯系統中清航科開發，實現單芯片級質量管理。揚州芯片晶圓切割藍膜

為幫助客戶應對半導體行業的技術人才短缺問題，中清航科推出 “設備 + 培訓” 打包服務。購買設備的客戶可獲得技術培訓名額，培訓內容涵蓋設備操作、工藝調試、故障排除等，培訓結束后頒發認證證書。同時提供在線技術支持平臺，隨時解答客戶在生產中遇到的技術問題。隨著半導體器件向微型化、集成化發展，晶圓切割的精度要求將持續提升。中清航科已啟動亞微米級切割技術的產業化項目，計劃通過引入更高精度的運動控制系統與更短波長的激光源，實現 500nm 以內的切割精度，為量子芯片、生物傳感器等前沿領域的發展提供關鍵制造設備支持。嘉興藍寶石晶圓切割寬度中清航科切割機遠程診斷系統，故障排除時間縮短70%。

在晶圓切割的質量檢測方面，中清航科引入了三維形貌檢測技術。通過高分辨率 confocal 顯微鏡對切割面進行三維掃描，生成精確的表面粗糙度與輪廓數據，粗糙度測量精度可達 0.1nm，為工藝優化提供量化依據。該檢測結果可直接與客戶的質量系統對接，實現數據的無縫流轉。針對晶圓切割過程中的熱變形問題，中清航科開發了恒溫控制切割艙。通過高精度溫度傳感器與 PID 溫控系統，將切割艙內的溫度波動控制在 ±0.1℃以內，同時采用熱誤差補償算法，實時修正溫度變化引起的機械變形，確保在不同環境溫度下的切割精度穩定一致。

在晶圓切割的邊緣檢測精度提升上，中清航科創新采用雙攝像頭立體視覺技術。通過兩個高分辨率工業相機從不同角度采集晶圓邊緣圖像，經三維重建算法精確計算邊緣位置，即使晶圓存在微小翹曲，也能確保切割路徑的精確定位，邊緣檢測誤差控制在 1μm 以內，大幅提升切割良率。為適應半導體工廠的能源管理需求，中清航科的切割設備配備能源監控與分析系統。實時監測設備的電壓、電流、功率等能源參數，生成能耗分析報表，識別能源浪費點并提供優化建議。同時支持峰谷用電策略，可根據工廠電價時段自動調整運行計劃，降低能源支出。切割粉塵回收模塊中清航科集成，重金屬污染減排90%以上。

針對高粘度晶圓切割液的回收處理，中清航科研發了離心式過濾凈化系統。該系統通過三級過濾工藝，可去除切割液中 99.9% 的固體顆粒雜質，使切割液循環利用率提升至 80% 以上，不只降低耗材成本，還減少廢液排放。同時配備濃度自動調節功能，確保切割液性能穩定，保障切割質量一致性。在晶圓切割設備的維護便捷性設計上，中清航科秉持 “易維護” 理念。設備關鍵部件采用模塊化設計，更換激光頭、切割刀片等中心組件只需 15 分鐘，較傳統設備縮短 70% 維護時間。同時配備維護指引系統，通過 AR 技術直觀展示維護步驟，降低對專業維護人員的依賴，減少客戶運維壓力。12英寸晶圓切割中清航科解決方案突破產能瓶頸，良率99.3%。淮安半導體晶圓切割劃片

8小時連續切割驗證：中清航科設備溫度波動≤±0.5℃。揚州芯片晶圓切割藍膜

中清航科開放6條全自動切割產線，支持從8英寸化合物半導體到12英寸邏輯晶圓的來料加工。云端訂單系統實時追蹤進度，平均交貨周期48小時，良率承諾99.2%。先進封裝RDL層切割易引發銅箔撕裂。中清航科應用超快飛秒激光（脈寬400fs）配合氦氣保護，在銅-硅界面形成納米級熔融區，剝離強度提升5倍。中清航科搭建全球較早切割工藝共享平臺，收錄3000+材料參數組合。客戶輸入晶圓類型/厚度/目標良率，自動生成比較好參數包，工藝開發周期縮短90%。