晶圓級封裝的實現可以帶來許多經濟利益。它允許晶圓制造，封裝和測試的集成，從而簡化制造過程。縮短的制造周期時間可提高生產量并降低每單位制造成本。

      晶圓級封裝還可以減小封裝尺寸，從而節省材料并進一步降低生產成本。然而，更重要的是，減小的封裝尺寸允許組件用于更***的高級產品中。晶圓級封裝的主要市場驅動因素之一是需要更小的組件尺寸，尤其是減小封裝高度。

      岱美儀器提供的EVG的晶圓鍵合機，可以實現晶圓級封裝的功能。 EVG的GEMINI FB XT集成熔融鍵合系統，擴展了現有標準，并擁有更高的生產率，更高的對準和涂敷精度。紅外鍵合機學校會用嗎

從表面上看，“引線鍵合”似乎只是焊接的另一個術語，但由于涉及更多的變量，因此該過程實際上要復雜得多。為了將各種組件長久地連接在一起，在電子設備上執行引線鍵合過程，但是由于項目的精致性，由于它們的導電性和相對鍵合溫度，通常*應用金，鋁和銅。通過使用球形鍵合或楔形鍵合可完成此方法結合了低熱量，超聲波能量和微量壓力的技術，可避免損壞電子電路。如果執行不當，很容易損壞微芯片或相應的焊盤，因此強烈建議在以前損壞或一次性使用的芯片上進行練習，然后再嘗試進行引線鍵合。EVG501鍵合機應用EVG鍵合機鍵合卡盤承載來自對準器對準的晶圓堆疊，用來執行隨后的鍵合過程。

EVG®850LT

特征

利用EVG的LowTemp?等離子基活技術進行SOI和直接晶圓鍵合

適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應用

生產系統可在高通量，高產量環境中運行

盒到盒的自動操作（錯誤加載，SMIF或FOUP）

無污染的背面處理

超音速和/或刷子清潔

機械平整或缺口對準的預鍵合

先進的遠程診斷

技術數據

晶圓直徑（基板尺寸）

100-200、150-300毫米

全自動盒帶到盒帶操作

預鍵合室

對準類型：平面到平面或凹口到凹口

對準精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1°

結合力：蕞高5N

鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活

真空系統：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件）

EVG?850LTSOI和直接晶圓鍵合的自動化生產鍵合系統 用途：自動化生產鍵合系統，適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應用 特色 技術數據 晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級3D集成的一項關鍵技術。借助用于機械對準SOI的EVG850LT自動化生產鍵合系統以及具有LowTemp?等離子活化的直接晶圓鍵合，熔融了熔融的所有基本步驟-從清潔，等離子活化和對準到預鍵合和IR檢查-。因此，經過實踐檢驗的行業標準EVG850 LT確保了高達300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高通量，高產量生產工藝。晶圓鍵合機系統 EVG?520 IS，擁有EVG?501和EVG?510鍵合機的所有功能；200 mm的單個或雙腔自動化系統。

臨時鍵合系統：

臨時鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機械支撐的必不可少的過程，這對于3DIC，功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板（例如化合物半導體）非常重要。借助于中間臨時鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上，從而可以通過附加的機械支撐來處理通常易碎的器件晶片。在關鍵工藝之后，將晶片堆疊剝離。EVG出色的鍵合技術在其臨時鍵合設備中得到了體現，該設備自2001年以來一直由該公司提供。包含型號：EVG805解鍵合系統；EVG820涂敷系統；EVG850TB臨時鍵合系統；EVG850DB自動解鍵合系統。 EVG鍵合機的鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空，快速加熱和冷卻。四川EVG820鍵合機

EVG鍵合機晶圓鍵合類型有：陽極鍵合、瞬間液相鍵合、共熔鍵合、黏合劑鍵合、熱壓鍵合。紅外鍵合機學校會用嗎

對準晶圓鍵合是晶圓級涂層，晶圓級封裝，工程襯**造，晶圓級3D集成和晶圓減薄方面很有用的技術。反過來，這些工藝也讓MEMS器件，RF濾波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS圖像傳感器）的生產迅速增長。這些工藝也能用于制造工程襯底，例如SOI（絕緣體上硅）。 主流鍵合工藝為：黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態液相）和金屬擴散/熱壓縮。采用哪種鍵合工藝取決于應用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。 鍵合機廠家EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機制造經驗，擁有累計2000多年晶圓鍵合經驗的員工。同時，EVG的GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業標準。紅外鍵合機學校會用嗎