鎖相頻率越高，得到的空間分辨率則越高。然而，對于鎖相紅外熱成像系統來說，較高的頻率往往會降低待檢測的熱發射。這是許多 LIT系統的限制。RTTLIT系統通過提供一個獨特的系統架構克服了這一限制，在該架構中，可以在"無限"的時間內累積更高頻率的 LIT 數據。數據采集持續延長，數據分辨率提高。系統采集數據的時間越長，靈敏度越高。當試圖以極低的功率級采集數據或必須從弱故障模式中采集數據時，鎖相紅外熱成像RTTLIT系統的這一特點尤其有價值。電激勵為鎖相熱成像系統提供穩定熱信號源。實時瞬態鎖相分析系統鎖相紅外熱成像系統對比
電激勵下的鎖相熱成像系統為電子產業的 PCB 板檢測提供了強有力的技術支持，尤其適用于高密度、高精度 PCB 板的質量檢測。PCB 板作為電子設備的 “血管”，其線路密集且復雜，在生產過程中容易出現線路斷路、過孔堵塞、銅箔起皮等缺陷。這些缺陷若未被及時發現，會導致電子設備工作異常甚至故障。
通過對 PCB 板施加周期性的電激勵，電流會沿著線路流動，缺陷區域由于導電性能下降，會產生異常的焦耳熱，導致局部溫度升高。鎖相熱成像系統可通過快速掃描整板，捕捉到這些溫度異常區域，并通過圖像處理技術，定位缺陷的位置和范圍。與傳統的人工目檢或測試相比，該系統的檢測效率提升了數倍，而且能夠檢測出人工難以發現的細微缺陷。例如，在檢測手機主板這類高密度 PCB 板時，系統可在 10 分鐘內完成整板檢測，并生成詳細的缺陷報告，為生產人員提供精確的修復依據，極大地助力了電子制造業提高生產效率。 鎖相紅外熱成像系統廠家電話三維可視化通過相位信息實現微米級深度定位功能，能夠無盲區再現被測物內部構造。
先進的封裝應用、復雜的互連方案和更高性能的功率器件的快速增長給故障定位和分析帶來了前所未有的挑戰。有缺陷或性能不佳的半導體器件通常表現出局部功率損耗的異常分布，導致局部溫度升高。RTTLIT系統利用鎖相紅外熱成像進行半導體器件故障定位，可以準確有效地定位這些目標區域。LIT是一種動態紅外熱成像形式，與穩態熱成像相比，其可提供更好的信噪比、更高的靈敏度和更高的特征分辨率。LIT可在IC半導體失效分析中用于定位線路短路、ESD缺陷、氧化損壞、缺陷晶體管和二極管以及器件閂鎖。LIT可在自然環境中進行，無需光屏蔽箱。
鎖相熱成像系統與電激勵結合，為電子產業的芯片失效分析提供了一種全新的方法，幫助企業快速定位失效原因，改進生產工藝。芯片失效的原因復雜多樣，可能是設計缺陷、材料問題、制造過程中的污染，也可能是使用過程中的靜電損傷、熱疲勞等。傳統的失效分析方法如切片分析、探針測試等，不僅操作復雜、耗時較長，而且可能會破壞失效芯片的原始狀態，難以準確找到失效根源。通過對失效芯片施加特定的電激勵，模擬其失效前的工作狀態，鎖相熱成像系統能夠記錄芯片表面的溫度變化過程，并將其與正常芯片的溫度數據進行對比分析，從而找出失效位置和失效原因。例如，當芯片因靜電損傷而失效時，系統會檢測到芯片的輸入端存在異常的高溫區域；當芯片因熱疲勞失效時，會在芯片的焊接點處發現溫度分布不均的現象。基于這些分析結果，企業可以有針對性地改進生產工藝，減少類似失效問題的發生。電激勵強度可控，保障鎖相熱成像系統檢測安全。
這款一體化設備的核心競爭力，在于打破了兩種技術的應用邊界。熱紅外顯微鏡擅長微觀尺度的熱分布成像，能通過高倍率光學系統捕捉芯片表面微米級的溫度差異；鎖相紅外熱成像系統則依托鎖相技術，可從環境噪聲中提取微弱的周期性熱信號，實現納米級缺陷的精細定位。致晟光電通過硬件集成與算法優化，讓兩者形成 “1+1＞2” 的協同效應 一一 既保留熱紅外顯微鏡的微觀觀測能力，又賦予其鎖相技術的微弱信號檢測優勢，無需在兩種設備間切換即可完成從宏觀掃描到微觀定位的全流程分析。鎖相熱紅外電激勵成像系統是由鎖相檢測模塊，紅外成像模塊，電激勵模塊，數據處理與顯示模塊組成。長波鎖相紅外熱成像系統故障維修
鎖相熱成像系統放大電激勵下的微小溫度差異。實時瞬態鎖相分析系統鎖相紅外熱成像系統對比
在電子領域，所有器件都會在不同程度上產生熱量。器件散發一定熱量屬于正常現象，但某些類型的缺陷會增加功耗，進而導致發熱量上升。在失效分析中，這種額外的熱量能夠為定位缺陷本身提供有用線索。熱紅外顯微鏡可以借助內置攝像系統來測量可見光或近紅外光的實用技術。該相機對波長在3至10微米范圍內的光子十分敏感，而這些波長與熱量相對應，因此相機獲取的圖像可轉化為被測器件的熱分布圖。通常，會先對斷電狀態下的樣品器件進行熱成像，以此建立基準線；隨后通電再次成像。得到的圖像直觀呈現了器件的功耗情況，可用于隔離失效問題。許多不同的缺陷在通電時會因消耗額外電流而產生過多熱量。例如短路、性能不良的晶體管、損壞的靜電放電保護二極管等，通過熱紅外顯微鏡觀察時會顯現出來，從而使我們能夠精細定位存在缺陷的損壞部位。實時瞬態鎖相分析系統鎖相紅外熱成像系統對比
